KOM 2100 B KOM 2100 BF KOM 2100 B KOM 2100 BF feof6529 feo06529 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from ● ● ● ● Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM 2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF) Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns) Kathode = Chipunterseite Geeignet für Diodenbetrieb (mit Vorspannung) und Elementbetrieb SMT-fähig ● ● ● ● Anwendungen ● Universell, z.B. Drehwinkelgeber 400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of 880 nm (KOM 2100 BF) Short switching time (typ. 13 ns) Cathode = back contact Available as photodiode with reverse voltage or photovoltaic cell Suitable for SMT Applications ● General-purpose, e.g. encoders Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package KOM 2100 B Q62702-K35 KOM 2100 BF Q62702-K34 Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit klarem bzw. schwarzem Epoxyverguß pcb with SMT flanks, cover frame sealed with transparent or black epoxy Semiconductor Group 469 10.95 KOM 2100 B KOM 2100 BF Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range TA; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 20 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C, λ = 950 nm) per single diode Bezeichnung Description Symbol Wert Value Einheit Unit KOM 2100 B KOM 2100 BF Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 0.5 mW/cm2 S 9 (≥ 7) 8.5 (≥ 6.6) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 870 870 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 400 ... 1100 730 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 2.5 2.5 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfinlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 1 × 2.5 1 × 2.5 mm x mm Abstand Chipoberfläche zu Verguβoberfläche Distance chip front to case seal H 0.4 ... 0.6 0.4 ... 0.6 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 1 (≤ 10) 1 (≤ 10) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Sλ 0.68 0.64 A/W S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Semiconductor Group L×W 470 KOM 2100 B KOM 2100 BF Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C, λ = 950 nm) per single diode Bezeichnung Description Symbol Wert Value Einheit Unit KOM 2100 B KOM 2100 BF Quantenausbeute Quantum yield η 0.9 0.85 Electrons Photon Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average ∆S ± 10 ± 10 % Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current ISC 8.5 8 µA Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage VO 320 (≥ 250) 320 (≥ 250) mV Anstiegszeit/Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω, VR = 10 V; λ = 850 nm; IP = 800 µA t r, t f 13 13 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0 Forward voltage VF 1.2 1.2 V Kapazität Capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 C0 25 25 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP TCI 0.18 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V NEP 2.6 × 10–14 2.8 × 10–14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit D* 6.1 × 1012 5.7 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 471 KOM 2100 B KOM 2100 BF Relative spectral sensitivity KOM 2100 B, Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity KOM 2100 BF, Srel = f (λ) Photocurrent, IP = f (Ee); VR = 5 V, Open-circuit voltage VO= f (Ee) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E=0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 472