SFH 302 SFH 302 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm ● Hohe Linearität ● TO-18, Bodenplatte, klares EpoxyGießharz, mit Basisanschluß ● Gruppiert lieferbar Anwendungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 302 Q62702-P1641 SFH 302-2 Q62702-P1623 SFH 302-3 Q62702-P1624 SFH 302-4 Q62702-P1625 SFH 302-5 Q62702-P1626 SFH 302-6 Q62702-P1627 Semiconductor Group Features ● Especially suitable for applications from 450 nm to 1100 nm ● High linearity ● TO-18, base plate, transparent exposy resin lens, with base connection ● Available in groups Applications ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits 252 10.95 SFH 302 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 50 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 200 mA Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage VEB 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Semiconductor Group 253 SFH 302 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 880 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 450 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.675 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 1×1 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.2 ... 0.8 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 50 Grad deg. IPCB IPCB 4.2 12.5 µA µA CCE CCB CEB 23 39 47 pF pF pF Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 ICEO 20 (≤ 200) nA Semiconductor Group 254 Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 SFH 302 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Wert Value -2 Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A VCE = 5 V -3 -4 -5 -6 Einheit Unit IPCE IPCE 0.4 ... 0.8 0.63 ... 1.25 1 ... 2 1.6 ... 3.2 ≥ 2.5 mA 1.75 2.8 4.5 7.1 9.5 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ t r, t f 9 Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 Stromverstärkung Current gain Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V 1) 1) 11 14 17 20 µs VCEsat 200 200 200 200 200 mV IPCE IPCB 230 360 570 750 140 IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 255 SFH 302 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Output characteristics IC = f (VCE), IB = Parameter Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 256 Total power dissipation Ptot = f (TA)