BP 103 B BP 103 BF .NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103 B BP 103 BF Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B) und bei 880 nm (BP 103 BF) ● Hohe Linearität ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Gruppiert lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of 880 nm (BP 103 BF) ● High linearity ● 5 mm LED plastic package ● Available in groups Anwendungen ● Computer-Blitzlichtgeräte ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Computer-controlled flashes ● Light-reflecting switches for steady and varying intensity ● Industrial electronics ● For control and drive circuits ● Speziell geeignet für Anwendungen im Semiconductor Group 204 BP 103 B BP 103 BF Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code Gehäuse Package BP 103 B-2 (*SFH 300-2) Q62702-P85-S2 BP 103 B-3 (*SFH 300-3) Q62702-P85-S3 T13/4, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzeichung: kürzerer Lötspieβ, flach am Gehäuseboden BP 103 B-41) (*SFH 300-4) Q62702-P85-S4 BP 103 BF-2 (*SFH 300 FA-2) Q62702-P1192 BP 103 BF-3 (*SFH 300 FA-3) Q62702-P1057 BP 103 BF-4 (*SFH 300 FA-4) Q62702-P1058 T13/4, transparent and black epoxy resin lens, solder tabs 2.54 mm (1/10”) lead spacing, collector marking: short solder lead, flat at package bottom 1) Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. 1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg –55 ... +100 oC Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5s TS 260 oC Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3s TS 300 oC Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Semiconductor Group 205 BP 103 B BP 103 BF Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7 V Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 375 K/W Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit BP 103 B BP 103 BF 900 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax λ 420 ... 1130 730 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.12 0.045 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area LxB LxW 0.5 x 0.5 0.45 x 0.45 mm x mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 4.1 ... 4.7 2.4 ... 2.8 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 25 ± 12 Grad deg. Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 6.5 5.0 pF Dunkelstrom Dark current VCEO = 35 V, E = 0 ICEO 5 (≤100) 1 (≤200) nA Semiconductor Group 206 nm BP 103 B BP 103 BF Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit -2 -3 -4 IPCE IPCE 0.63 ... 1.25 3.4 1 ... 2 5.4 ≥1.6 8.6 mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 7.5 10 10 µs Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 130 140 150 mV Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 207 BP 103 B BP 103 BF Relative spectral sensitivity , BP 103 B Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity , BP 103 BF Srel = f (λ) Dark curent ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Dark curent ICEO = f (VCE), E = 0 Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 208