BPW 21 BPW 21 fmo06011 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm ● Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ) ● Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) Features ● Especially suitable for applications from 350 nm to 820 nm ● Adapted to human eye sensitivity (Vλ) ● Hermetically sealed metal package (similar to TO-5) Anwendungen Applications ● Belichtungsmesser für Tageslicht ● Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in ● Exposure meter for daylight ● For artificial light of high color temperature in der Fotografie und Farbanalyse Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPW 21 Q62702-P885 Semiconductor Group photographic fields and color analysis 1 1998-11-13 BPW 21 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 235 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 10 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 250 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 10 (≥ 5.5) nA/lx Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 550 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 350 ... 820 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 7.34 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.73 × 2.73 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 1.9 ... 2.3 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 55 Grad deg. Semiconductor Group 2 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax L×W 1998-11-13 BPW 21 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Dunkelstrom Dark current VR = 5 V VR = 10 mV IR IR 2 (≤ 30) 8 (≤ 200) nA pA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 550 nm Spectral sensitivity Sλ 0.34 A/W Quantenausbeute, λ = 550 nm Quantum yield η 0.80 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 400 (≥ 320) mV Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 10 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 550 nm; Ip = 10 µA tr, tf 1.5 µs Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.2 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 580 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI – 0.05 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 5 V, λ = 550 nm NEP 7.2 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 5 V, λ = 550 nm Detection limit D* 1 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 1998-11-13 BPW 21 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA ) Dark current IR = f (VR) Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 5 V Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 1998-11-13