SFH 216 SFH 216 feo06314 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) ● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) 350 nm to 1100 nm ● Short switching time (typ. 5 ns) ● Hermetically sealed metal package (TO-18) Anwendungen Applications ● Schneller optischer Empfänger mit groβer ● Optical sensor of high modulation bandwidth Modulationsbandbreite für Lichtgriffel Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 216 Q62702-P936 Semiconductor Group for light pens 410 10.95 SFH 216 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 125 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 250 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 50 (≥ 35) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 350 ... 1150 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 1×1 mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 4.2 ... 5.0 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 12 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 (≤ 5) nA Semiconductor Group 411 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax L×W SFH 216 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.55 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.80 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 410 (≥ 350) mV Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 50 µA tr, tf Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA 5 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.2 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, λ = 850 nm NEP 3.3 × 10–14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm Detection limit D* 3.1 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 412 SFH 216 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO = f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 1 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 413