BPX 60 BPX 60 fmo06011 Silizium-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon Photodiode with Enhanced Blue Sensitive Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● Hohe Fotoempfindlichkeit ● Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) Features ● Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm ● High photosensitivity ● Hermetically sealed metal package (similar to TO-5) Anwendungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronic ● “Messen/Steuern/Regeln” Application ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and circuits drive Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPX 60 Q62702-P54 Semiconductor Group 353 10.95 BPX 60 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 125 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 250 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 70 nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 350 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 7.45 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.73 × 2.73 mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 1.9 ... 2.3 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 55 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 7 (≤ 55) nA Semiconductor Group 354 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax L×W BPX 60 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 400 nm Spectral sensitivity Sλ 0.20 A/W Quantenausbeute, λ = 400 nm Quantum yield η 0.62 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 460 mV Kurzschlußstrom Short-circuit current Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 400 nm ISC 7.4 (≥ 5.4) µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 70 µA tr, tf 3.0 µs Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 580 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 400 nm NEP 2.4 × 10–13 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 400 nm Detection limit D* 1.2 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 355 BPX 60 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO = f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 356