CY8C28xxx PSoC Programmable System-on-Chip Datasheet (Chinese).pdf

CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
PSoC® Programmable System-on-Chip™
（可编程片上系统）
PSoC®Programmable System-on-Chip™
特性
■
■
一个 PSoC® 器件组可提供多种资源选项
强大的哈佛架构处理器
M8C 处理器的速度最高可达 24 MHz
❐ 8 × 8 乘法、 32 位累加运算能力
❐ 能在高速度条件下实现低功耗操作
❐ 工作电压范围：3.0 V 到 5.25 V
❐ 利用片上开关电压泵 （SMP），工作电压可低至 1.5 V
❐ 工业温度范围：–40 °C ~ +85 °C
❐
■
所有 GPIO 均可选择上拉、下拉、高阻 、强驱动或开漏驱动
等模式
❐ 所有 GPIO 均接受模拟输入
❐ GPIO 能够提供 30 mA 的模拟输出电流
❐ 所有 GPIO 都能生成可配置中断
❐
高级可配置外设 （PSoC 模块）
多达 12 个轨至轨模拟 PSoC 模块，能够提供：
• 高达 14 位的 ADC
• 高达 9 位的 DAC
• 可编程增益放大器
• 可编程滤波器和比较器
• 多种 ADC 配置
• 专用的 SAR ADC，在含采样和保持时最高可达 142 ksps
采样率
• 多达 4 个同步或独立 Delta-Sigma ADC，适用于高级应用
❐ 多达 4 个特殊 E 型模拟模块，能够提供：
• 双通道电容式感测功能
• 带可编程 DAC 参考的比较器
• 高达 10 位的单斜 ADC
❐ 多达 12 个数字 PSoC 模块，能够提供：
• 8 位到 32 位定时器和计数器， 8 位和 16 位脉宽调制器
（PWM）
• 移位寄存器、 CRC 和 PRS 模块
• 多达 3 个全双工 UART
• 多达 6 个半双工 UART
• 多个数据可变长度的 SPI 主设备或从设备
• 可连接到所有 GPIO
❐ 通过多个模块组合，能够构建复杂外设
■
其它系统资源
2
❐ 多达 2 个硬件 I C 资源
• 每个资源都采用从设备、主设备或多主设备模式
• 工作频率范围为 0 到 400 kHz
❐ 看门狗和睡眠定时器
❐ 用户可配置的低压检测功能
❐ 灵活的内部电压参考
❐ 集成监控电路
❐ 片上高精度参考电压
■
完整的开发工具
❐ 免费的开发软件 （PSoC Designer™）
❐ 功能齐全的在线仿真器、编程器
❐ 全速仿真
❐ 灵活实用的断点结构
❐ 128 KB 的跟踪存储器
❐
■
■
逻辑框图
Port 5 Port 4 Port 3 Port 2 Port 1 Port 0
System Bus
Global Digital Interconnect
SRAM
1K
可编程引脚配置
❐ 所有 GPIO 均具有 25 mA 的灌电流能力和 10 mA 的驱动能力
赛普拉斯半导体公司
文档编号：001-63461 版本 *D
•
198 Champion Court
Global Analog Interconnect
Flash 16K
Sleep and
Watchdog
CPU Core (M8C)
Multiple Clock Sources
(Includes IMO, ILO, PLL, and ECO)
DIGITAL SYSTEM
Digital
Clocks
2
MACs
ANALOG SYSTEM
Analog
Ref.
Analog
Block
Array
Digital
Block
Array
❐
■
SROM
Interrupt
Controller
高精度的可编程时钟
❐ 内部 ±2.5% 24/48 MHz 主振荡器
❐ 可选 32.768 kHz 晶振，能够实现精确的片上时钟
❐ 可选外部振荡器，最高频率可达 24 MHz
❐ 内部低速、低功耗振荡器，能够实现看门狗和睡眠功能
灵活的片上存储器
16 KB 闪存程序存储器， 50,000 次擦 / 写循环
❐ 1 KB 的 SRAM 数据存储器
❐ 系统内串行编程 （ISSP）
❐ 局部闪存更新
❐ 灵活的保护模式
❐ 闪存内的 EEPROM 仿真
Analog
Drivers
PSoC
CORE
4 Type 2
2 I2C
Decimators Blocks
Analog
Input
Muxing
POR and LVD
System Resets
Internal
Voltage
Ref.
Switch
Mode
Pump
SYSTEM RESOURCES
•
San Jose, CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订日期 July 2, 2015
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目录
更多有关的信息 ........................................................................3
PSoC Designer ........................................................................3
PSoC 功能概述 .........................................................................4
PSoC 内核 .........................................................................4
数字系统 ............................................................................4
模拟系统 ............................................................................5
系统资源 ............................................................................8
PSoC 器件特性 ..................................................................8
开发工具 .................................................................................10
PSoC Designer 软件子系统 .............................................10
使用 PSoC Designer 进行设计 ..............................................11
选择用户模块 ...................................................................11
配置用户模块 ...................................................................11
组织和连接 ......................................................................11
生成、验证和调试 ............................................................11
引脚分布 .................................................................................12
20 引脚器件的引脚分布 ...................................................12
28 引脚器件的引脚分布 ...................................................13
44 引脚器件的引脚分布 ...................................................14
48 引脚器件的引脚分布 ...................................................15
56 引脚器件的引脚分布 ...................................................16
寄存器参考 ..............................................................................18
寄存器规范 ......................................................................18
寄存器映射表 ...................................................................18
电气规范 .................................................................................33
最大绝对额定值 ...............................................................34
工作温度 ..........................................................................34
直流电气特性 ...................................................................35
交流电气特性 ...................................................................55
封装信息 .................................................................................68
封装尺寸 ..........................................................................68
文档编号：001-63461 版本 *D
热阻 .................................................................................72
晶振引脚上的电容 ............................................................72
回流焊规范 ......................................................................72
开发工具选择 ..........................................................................73
软件 .................................................................................73
开发套件 ..........................................................................73
评估工具 ..........................................................................73
器件编程器 ......................................................................74
附件 （仿真和编程）........................................................74
订购信息 .................................................................................75
订购代码定义 ...................................................................76
缩略语 .....................................................................................77
使用的缩略语 ...................................................................77
参考文档 .................................................................................77
文档规范 .................................................................................78
测量单位 ..........................................................................78
数字规范 ..........................................................................78
术语表 .....................................................................................78
勘误表 .....................................................................................82
受影响的器件型号 ............................................................82
合格状态 ..........................................................................82
勘误表汇总 ......................................................................82
文档修订记录 ..........................................................................84
销售、解决方案和法律信息 ....................................................85
全球销售和设计支持 ........................................................85
产品 .................................................................................85
PSoC® 解决方案 ..............................................................85
赛普拉斯开发者社区 ........................................................85
技术支持 ..........................................................................85
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更多有关的信息
注意：欲了解与开发套件相关的 CY8C28xxx 器件，请点击此
处。
赛普拉斯的网站 www.cypress.com 上提供了大量资料，有助
MiniProg1 和 MiniProg3 器件提供了用于进行闪存编程和调试的
接口。
您正确选择 PSoC 器件用于设计，并使您能够快速和有效地将
器件集成到设计中。有关使用资源的完整列表，请参考知识库文
章 “ 如何使用 PSoC® 1、 PowerPSoC® 和 PLC 进行设计 —
PSoC Designer
KBA88292”。下面是 PSoC 1 的简要列表：
PSoC Designer 是基于 Windows 的免费集成开发环境 （IDE）。
■
概况：PSoC 产品系列、 PSoC 路线图
在拖放式开发环境中使用预先设定的模拟和数字外设库来开发您
■
产品选型：PSoC 1、 PSoC 3、 PSoC 4、 PSoC 5LP
的应用程序。然后，利用动态生成的 API 代码库来自定义您的设
■
此外， PSoC Designer 还包含了一个器件选择工具。
计。图 1 显示的是 PSoC Designer 窗口。注意：这并不是默认窗
应用笔记：赛普拉斯提供了大量 PSoC 应用笔记，包括从基本到
高级的广泛主题。下面列出了 PSoC 1 入门的应用笔记：
®
❐ PSoC 1 入门 — AN75320。
®
❐ PSoC 1 — GPIO 入门 — AN2094。
®
❐ PSoC 1 模拟结构和配置 — AN74170。
®
❐ PSoC 1 开关电容模拟模块 — AN2041。
❐ 选择模拟接地和参考电压 — AN2219。
注意：欲了解与本应用笔记相关的 CY8C28xxx 器件，请点击此
处。
■
■
开发套件：
❐ 除了 CY8C25/26xxx 器件外，CY3210-PSoCEval1 支持所有
PSoC 1 混合信号阵列系列（包括汽车级器件）。该套件包括
LCD 模块、电位器、 LED 和实验板空间。
❐ CY3214-PSoCEvalUSB 主要作为 CY8C24x94 PSoC 器件的
开发板使用。开发板的特殊功能包括 USB 和 CapSense 开发
和调试支持。
口。
1. Global Resources （全局资源）— 所有器件硬件的设置。
2. Parameters （参数） — 当前选中的用户模块的参数。
3. Pinout （引脚分布） — 器件引脚的相关信息。
4. Chip-Level Editor（芯片级编辑器）— 选中芯片上可用资源
的框图
5. Datasheet（数据手册）— 当前选中的用户模块的数据手册。
6. User Modules（用户模块）— 选中器件的所有可用的用户模
块。
7. Device Resource Meter （器件资源计） — 当前项目配置的
器件资源使用率
8. Workspace （工作区） — 与项目有关的文件树级图。
9. Output （输出） — 从项目构建和调试操作的输出。
注意：欲了解有关 PSoC Designer 的详细信息，请依次选择
PSoC® Designer > Help > Documentation >
Designer Specific Documents > IDE User Guide。
图 1. PSoC Designer 布局
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图 2. 数字系统框图 [1]
PSoC 功能概述
Port 5
PSoC 系列包含许多带片上控制器的器件，这些器件旨在使用一
个低成本的单芯片可编程组件取代多个基于 MCU 的传统系统组
件。 PSoC 器件包含多个可配置的模拟模块、数字模块和互连。
这种结构可帮助用户根据每个应用的要求来创建定制的外设配
置。此外，在一系列方便易用的引脚布局和封装中还包含快速
CPU、闪存程序存储器、 SRAM 数据存储器和可配置的 I/O。
Port 0
Port 2
Digital Clocks
From Core
To System Bus
To Analog
System
DIGITAL SYSTEM
本数据表中介绍的 CY8C28xxx 系列的 PSoC 器件有多种资源配
置选项可供选择。因此，并非每个 CY8C28xxx 子系列均提供本
数据表中提到的所有资源。 CY8C28x45 子系列具有本数据表中
介绍的所有资源。此外，该系列还包含六个其他子系列，通过这
些子系列，设计人员可以使用仅包含特定应用所需资源和功能的
器件。要确定每个 CY8C28xxx 子系列所提供的资源，请参见第
9 页上的表 2。订购信息节还提供了更详细的信息。
Row 0
DBC00
DBC01
DCC02
4
DCC03
4
Row Output
Configuration
Row Input
Configuration
Digital PSoC Block Array
8
8
8
Row Input
Configuration
Row Input
Configuration
PSoC 内核是一个强大的引擎，支持丰富的功能集。内核包括
CPU、存储器、时钟和可配置的通用 I/O （GPIO）。 M8C CPU
内核是一个速度高达 24 MHz 的强大处理器，能够提供一个 4
MIPS 的 8 位哈佛架构微控制器。
DBC10
DBC11
DCC12
4
DCC13
4
Row 2
DBC20
DBC21
DCC22
4
DCC23
4
GIE[7:0]
GIO[7:0]
Global Digital
Interconnect
8
Row Output
Configuration
PSoC 内核
Row 1
Row Output
Configuration
如第 1 页上的逻辑框图所示，该指定 PSoC 器件系列的架构由以
下 4 个主要部分组成：PSoC 内核、数字系统、模拟系统和系统
资源。利用可配置的全局总线系统，可将所有器件资源整合到一
个完全定制的系统中。PSoC CY8C28xxx 系列器件具有多达 6 个
连接全局数字和模拟互连的 I/O 端口，能够访问多达 12 个数字模
块和多达 16 个模拟模块。
存储器包括 16 KB 的闪存 （用于存储程序）和 1 KB 的 SRAM
（用于存储数据）。PSoC 器件采用了多个非常灵活的内部时钟发
生器，其中包括在有效工作温度和电压下精度高达 2.5% 的 24
MHz 内部主振荡器 （IMO）。 PSoC 器件为睡眠定时器和看门狗
定时器 （WDT）提供了一个低功耗 32 kHz 内部低速振荡器
（ILO）。32.768 kHz外部晶振（ECO）可用作实时时钟（RTC），
并可以使用 PLL 选择性地生成具有晶振级精度的 24 MHz 系统时
钟。
Port 1
Port 3
Port 4
GOE[7:0]
GOO[7:0]
数字外设配置包括：
■
PWM （8 位到 16 位，单触发和多触发功能）
■
带死区的 PWM （8 位和 16 位）
PSoC GPIO 能够提供至 CPU、数字资源和模拟资源的连接。每
个引脚都有 8 种驱动模式可供选择，在进行外部连接方面具有极
大的灵活性。每个引脚还能够在处于高电平、处于低电平以及自
上次读取后发生变化时生成系统中断。
■
计数器 （8 到 32 位）
■
定时器 （8 到 32 位）
■
带可选奇偶校验位的全双工 8 位 UART （多达 3 个）
数字系统
■
带可选奇偶校验位的半双工 8 位 UART （多达 6 个）
数字系统由 12 个可配置的数字 PSoC 模块组成。每个模块都是
一个 8 位资源，既可以单独使用，也可以与其他模块一起组成 8、
16、 24 和 32 位外设 （称为用户模块）。数字模块可以通过一系
列能够将任何信号路由至任何引脚的全局总线，连接到任何
GPIO。
■
长度可变的 SPI 从设备和主设备
❐ 总共多达 6 个从设备和主设备 （8 位）
❐ 支持 8 到 16 位操作
■
I2C 从设备、主设备或多主设备 （多达 2 个可用作系统资源）
■
IrDA （多达 3 个）
■
伪随机序列发生器 （8 到 32 位）
■
循环冗余检验器 / 发生器 （16 位）
■
移位寄存器 （2 到 32 位）
注释：
1. CY8C28x52 器件没有数字模块行 2. 它们有两个数字行，共 8 个数字模块。
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模拟系统
模拟系统由多达 16 个可配置的模拟模块组成，其中每个模块都
包含一个能够创建复杂模拟信号流的运算放大器电路。这一
PSoC 系列中的某些器件具有可连接到每个 GPIO 引脚能力的模
拟复用总线。该总线还可连接到模拟系统，以便使用电压比较器
和模数转换器进行分析。它可以拆分成两个部分，以同时进行双
通道处理。
图 3. CY8C28x45 和 CY8C28x52 器件的模拟系统框图
All GPIO
P0[6]
P0[5]
P0[4]
P0[3]
P0[2]
一些更常用的 PSoC 模拟功能（大都以用户模块的方式提供）包
括：
P0[1]
P0[0]
模数转换器（6 到 14 位分辨率，多达 4 个，可选择增量或 Delta
Sigma）
P2[3]
■
专用的 10 位 SAR ADC，采样率高达 142ksps
■
同步 Delta Sigma ADC （多达 4 个）
■
滤波器 （2 到 8 极带通、低通和陷波滤波器）
■
放大器 （最多 4 个，可选增益达 48x）
■
仪表放大器 （多达 2 个，可选增益达 93x）
■
比较器 （多达 6 个，有 16 个可选阈值）
■
DAC （多达 4 个， 6 到 9 位分辨率）
■
乘法 DAC （多达 4 个， 6 到 9 位分辨率）
Analog Mux
Bus
■
AGNDIn RefIn
P0[7]
P2[1]
P2[0]
Array Input Configuration
ACI0[1:0]
ACI1[1:0]
ACI2[1:0]
ACI3[1:0]
高电流输出驱动器 （多达 4 个，驱动能力为 30 mA）
ACC02
ACC03
1.3 V 电压参考 （属于系统资源）
ASC10
ASD11
ASC12
ASD13
■
DTMF 拨号器
ASD20
ASC21
ASD22
ASC23
■
调制器
■
相关器
■
峰值检测器
■
可以使用其他许多拓扑
ACI4[1:0]
ACI5[1:0]
Block Array
ACC01
■
P2[4]
P2[2]
ACC00
■
P2[6]
ACE00
ACE01
ASE10
ASE11
Analog Reference
Interface to
Digital System
RefHi
RefLo
AGND
Reference
Generators
AGNDIn
RefIn
Bandgap
M8C Interface (Address Bus, Data Bus, Etc.)
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
图 4. CY8C28x43 器件的模拟系统框图
图 5. CY8C28x33 器件的模拟系统框图
All GPIO
All GPIO
P0[7]
P0[6]
P0[5]
P0[4]
P0[3]
P0[2]
P0[1]
P0[0]
P0[7]
P0[5]
P2[1]
P2[6]
P0[2]
P2[3]
P2[1]
P2[4]
P0[0]
AGNDIn RefIn
Analog Mux
Bus
P2[3]
P0[4]
P0[1]
Analog Mux
Bus
AGNDIn RefIn
P0[6]
P0[3]
P2[2]
P2[0]
P2[6]
P2[4]
Array Input Configuration
Array Input Configuration
ACI0[1:0]
ACI0[1:0]
ACI1[1:0]
ACI2[1:0]
ACI1[1:0]
ACI4[1:0]
ACI5[1:0]
ACI3[1:0]
Block Array
ACC00
ACC01
ACC03
ASC10
ASD11
ASD20
ASC21
Block Array
ACC00
ACC01
ACC02
ASC10
ASD11
ASC12
ASD13
ASD20
ASC21
ASD22
ASC23
ACE00
ACE01
ASE10
ASE11
Analog Reference
Interface to
Digital System
Analog Reference
Interface to
Digital System
RefHi
RefLo
AGND
Reference
Generators
RefHi
RefLo
AGND
Reference
Generators
AGNDIn
RefIn
Bandgap
AGNDIn
RefIn
Bandgap
M8C Interface (Address Bus, Data Bus, Etc.)
M8C Interface (Address Bus, Data Bus, Etc.)
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CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
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图 6. CY8C28x23 器件的模拟系统框图
图 7. CY8C28x13 器件的模拟系统框图
P0[7]
All GPIO
P0[5]
Analog Mux
Bus
P0[6]
P0[7]
P0[3]
P0[4]
P0[1]
P0[5]
P0[6]
P0[4]
P0[2]
P2[3]
P0[0]
AGNDIn RefIn
P2[1]
P0[3]
P0[2]
P0[1]
P0[0]
P2[6]
Array Input
Configuration
P2[4]
ACI0[1:0]
ACI1[1:0]
Array Input
Configuration
ACI0[1:0]
Block Array
ACI1[1:0]
Block Array
ACC00
ACC01
ASC10
ASD11
ASD20
ASC21
ACE00
ACE01
ASE10
ASE11
Analog Reference
Interface to
Digital System
RefHi
RefLo
AGND
Reference
Generators
AGNDIn
RefIn
Bandgap
Analog Reference
M8C Interface (Address Bus, Data Bus, Etc.)
Interface to
Digital System
RefHi
RefLo
AGND
Reference
Generators
AGNDIn
RefIn
Bandgap
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系统资源
■
多达 4 个抽取滤波器，能够针对数字信号处理应用 （例如
Delta-Sigma ADC 和 CapSense 电容式感测）提供定制硬件
滤波器。
■
数字时钟分频器能够提供三个可定制的时钟频率，以便在应用
中使用。这些时钟既可以路由到数字系统，又可以路由到模拟
系统。通过将数字 PSoC 模块作为时钟分频器使用，可以生成
更多时钟。
多达2个I2C资源，能够通过两条线路提供0到400 kHz的通信。
支持从设备、主设备和多主设备模式。 I2C 资源具有硬件地址
检测功能。
■
低压检测 （LVD）中断可以在电压下降时向应用程序发出信
号，而高级 POR （上电复位）电路则消除了系统监控方面的
需要。
乘累加（MAC）资源能够提供具有 32 位累加运算能力的 8 位快
速乘法器，以便协助通用数学和数字滤波器。
■
内部 1.3 V 电压参考为 ADC、DAC 等模拟系统提供了一个绝对
电压参考。
■
集成开关电压泵 （SMP）能够利用单个 1.5 V 的电池生成正常
工作电压，从而提供了一个低成本的升压转换器。
系统资源能够提供对整个系统非常有用的附加功能。有些系统资
源已在前面章节中列出，除此之外还包括乘法器、多个抽取滤波
器、开关电压泵、低压检测和上电复位。下面内容介绍了每种系
统资源的优势：
■
■
PSoC 器件特性
根据 PSoC 器件的特性，数字和模拟系统可具有 16、 8 或 4 个数字模块，并有 12、 6 或 4 个模拟模块。表 1 列出了特定 PSoC 器件
系列所提供的资源。本数据手册中介绍的 PSoC 器件在表中突出显示。
表 1. PSoC 器件特性
PSoC 器件型号
CY8C29x66
多达 64 个
数字 I/O
数字行
4
数字模块 模拟输入 模拟输出
16
4
多达 12 个
模拟列
4
模拟模块
12
SRAM 大小
2K
闪存大小
32 K
CY8C28xxx
多达 44 个
多达 6 个
多达
12 + 4[2]
1K
16 K
CY8C27x43
多达 44 个
2
8
多达 12 个
4
4
12
256
16K
CY8C24x94
多达 56 个
1
4
CY8C24x23A
多达 24 个
1
4
多达 48 个
2
2
6
1K
16K
多达 12 个
2
2
6
256
4K
多达 3 个 多达 12 个 多达 44 个 多达 4 个
CY8C23x33
多达 26 个
1
4
多达 12 个
2
2
4
256
8K
CY8C22x45
多达 38 个
2
8
多达 38 个
0
4
6[2]
1K
16 K
CY8C21x45
多达 24 个
1
4
多达 24 个
0
4
6[2]
512
8K
CY8C21x34
多达 28 个
1
4
多达 28 个
0
2
4[2]
512
8K
CY8C21x23
多达 16 个
1
4
多达 8 个
0
2
4[2]
256
4K
CY8C20x34
多达 28 个
0
0
多达 28 个
0
0
3
[2、 3]
512
8K
3
[2、 3]
高达 2 K
高达 32 K
CY8C20xx6
多达 36 个
0
0
多达 36 个
0
0
注释：
2. 有限的模拟功能。
3. 两个模拟模块和一个 CapSense®。
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本数据手册所涵盖的器件都具有相同的架构、规范和额定值。但在同一系列中，有些硬件资源的数量可能会因器件而异。下表列出了
本数据手册所涵盖的特定器件子系列所提供的资源。
表 2. CY8C28xxx 器件特性
PSoC
器件编号
CY8C28x03
CY8C28x13
无
12
常规
模拟模块
0
有
12
0
CapSense
数字模块
限制
模拟模块
0
HW I2C
抽取器
数字 I/O
模拟输入
2
0
多达 24 个
多达 8 个
0
模拟复用器
总线
0
4
1
2
多达 40 个
多达 40 个
0
2
模拟输出
CY8C28x23
无
12
6
0
2
2
多达 44 个
多达 10 个
2
0
CY8C28x33
有
12
6
4
1
4
多达 40 个
多达 40 个
2
2
CY8C28x43
无
12
12
0
2
4
多达 44 个
多达 44 个
4
2
CY8C28x45
有
12
12
4
2
4
多达 44 个
多达 44 个
4
2
CY8C28x52
有
8
12
4
1
4
多达 24 个
多达 24 个
4
2
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开发工具
PSoC Designer™ 是革新的集成设计环境 （IDE），您可以用来
自定义 PSoC 以满足特定的应用需求。PSoC Designer 软件可加
快系统的设计和上市进程。在拖放式设计环境中使用预先设定的
模拟和数字外设库 （也称为用户模块）来开发您的应用程序。然
后，利用动态生成的应用编程接口 （API）代码库来自定义您的
设计。最后，在集成调试环境中调试并测试您的设计，包括在线
仿真和标准的软件调试功能。 PSoC Designer 包括：
■
应用编辑器图形用户界面 （GUI），用于器件和用户模块配置
和动态重配置
■
内容丰富的用户模块目录
■
集成的源码编辑器 （C 语言和汇编语言）
■
免费的 C 语言编译器 （无大小限制或时间限制）
■
内置调试器
■
在线仿真
通信接口内置支持：
2
❐ 硬件和软件 I C 从设备和主设备
❐ 全速 USB 2.0
❐ 最多四个全双工通用异步收发器（UART）、SPI 主设备和从
设备及无线模块
PSoC Designer 支持 PSoC 1 器件的整个库，并可在 Windows
XP、 Windows Vista 和 Windows 7 操作系统上运行。
■
PSoC Designer 软件子系统
设计入口
在芯片级视图中，选择需要使用的基本器件。然后选择不同的板
上模拟和数字组件。这些组件采用 PSoC 模块并被称为用户模
块。用户模块的示例包括模数转换器 （ADCs） 、数模转换器
（DACs）、放大器和滤波器。为所选应用配置用户模块，且将它
们互连并连接至适当的引脚。然后生成您的项目。这样会在项目
中加入 API 和库，您可以使用它们来对应用进行编程。
文档编号：001-63461 版本 *D
通过此工具，用户还可以轻松开发多个配置和动态重配置。利用
动态重新配置，可在运行时更改配置。实质上，通过动态重新配
置，你可对某个应用使用超过 100% 的 PSoC 资源。
代码生成工具
这些代码生成工具能够在 PSoC Designer 界面内无缝工作，并已
采用一整套调试工具进行测试，您可以使用 C 语言、汇编语言或
两者进行开发设计。
汇编器。汇编器可使汇编代码与 C 语言代码无缝合并。链接库会
自动使用绝对寻址，或在相对模式下进行编译，然后与其他软件
模块连接，以实现绝对寻址。
C 语言编译器。C 语言编译器支持 PSoC 系列器件。这些产品可
让您为 PSoC 系列器件创建完整的 C 语言程序。优化的 C 语言
编译器能够提供针对 PSoC 架构定制的所有 C 语言功能。此外，
还提供了各个嵌入式库。这些库能够提供端口和总线操作、标准
键盘和显示器支持，以及扩展的数学功能。
调试器
PSoC Designer 提供的调试环境具有硬件在线仿真功能，不仅可
提供了 PSoC 器件的内部视图，而且可让您在物理系统中测试程
序。借助调试器命令，可对数据存储器进行读 / 编程及读 / 写操
作，对 I/O 寄存器进行读 / 写操作。可对 CPU 寄存器进行读 / 写
操作、设置和清除断点，以及提供程序运行、暂停和步进控制。
调试器还可让您创建相关寄存器和存储器位置的跟踪缓冲区。
在线帮助系统
在线帮助系统可提供与上下文相关的在线帮助。每个功能子系统
都有上下文关联的帮助，以便提供程式化的快速参考。此外，该
系统还提供相关教程及指向常见问题和在线支持论坛的链接，以
帮助设计人员入门。
在线仿真器
功能强大的低成本在线仿真器 （ICE）可支持开发工作。该硬件
为可编程单器件。
仿真器包含一个通过 USB 端口连接到 PC 的基本装置。这个基
本装置是通用的，它能够与所有的 PSoC 器件一起使用。您可以
单独购买任意器件系列的仿真转接板。仿真转接板取代了目标电
路板中的 PSoC 器件并可执行全速 （24 MHz）操作。
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使用 PSoC Designer 进行设计
PSoC 器件的开发过程不同于传统的固定功能微处理器的开发过
程。可配置的模拟和数字硬件模块为 PSoC 架构提供了独特的灵
活性，有助于在开发期间管理规范变更，并降低库存成本。这些
可配置的资源（称为 PSoC 模块）能够实现多种可供用户选择的
功能。 PSoC 开发过程如下：
1. 选择用户模块。
2. 配置用户模块。
3. 组织和连接。
4. 生成、验证和调试。
选择用户模块
PSoC Designer 提供了一个预建且预测试的硬件外设组件库，被
称为 “ 用户模块 ”。使用用户模块可使选择和实现外设器件（包
括模拟和数字器件）变得非常简单。
配置用户模块
所选的每个用户模块都能够建立用于实现所选功能的基本寄存器
设置。此外，它们还提供了参数和属性，用于方便您针对特定应
用进行准确配置。例如， PWM 用户模块能够配置一个或多个数
字 PSoC 模块 （每 8 位分辨率使用一个模块）。借助这些参数，
您可以确定脉宽和占空比。请根据所选应用配置相应的参数和属
性。您 可 以 直 接 输 入 某 个 值 或 从 下 拉 菜 单 中 选 择。在
PSoC Designer 或赛普拉斯公司网站上，您可以查看相应数据手
册中所介绍的所有用户模块。这些 用户模块数据手册介绍了用户
文档编号：001-63461 版本 *D
模块的内部操作并提供了性能规范。每个数据手册均描述了各个
用户模块参数的用途，以及成功实现设计所需要的其他信息。
组织和连接
通过互连用户模块，并与 I/O 引脚连接，您可以在芯片级构建信
号链。通过选择、配置和布线，可完全控制所有片上资源的使用。
生成、验证和调试
当准备好硬件配置的测试或要开发项目代码时，请执行 “ 生成配
置文件 ” 这一步骤。这样会使 PSoC Designer 生成源代码，而
源代码会自动按照您的规范配置器件，并为系统提供软件。生成
的代码提供了具有高级功能的应用编程接口 （API） ，以便在运
行时控制和响应硬件事件，另外还提供了可根据需要调整的中断
服务例程。
完善的代码开发环境可让您使用 C 语言和 / 或汇编语言来开发和
自定义应用。
开发过程的最后一步是在 PSoC Designer 的调 试器 （单击
Connect 图标访问）中完成的。 PSoC Designer 会将 HEX 文件
下载到全速运行的在线仿真器 （ICE）中。 PSoC Designer 的调
试功能优于具有类似功能但成本却高出数倍的系统。除了传统的
单步执行、运行到断点以及监视变量功能外，调试接口还提供了
大型跟踪缓冲器。这样，您可以定义复杂的断点事件，如监控地
址和数据总线值、存储器位置以及外部信号。
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引脚分布
本节说明、列出并展示了 CY8C28xxx PSoC 器件的引脚和引脚分布。
CY8C28xxx PSoC 器件有多种封装可供选择，具体请参见后续表格。每个端口引脚 （标有 “P”）均能用作数字 I/O。但是， VSS、
VDD、 SMP 和 XRES 不能用作数字 I/O。
20 引脚器件的引脚分布
表 3. 20 引脚器件的引脚分布 （SSOP）
引脚
编号
类型
引脚
名称
1
模拟
I、 M、 S
P0[7]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
2
I/O
I/O、 M、
S
P0[5]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
列输出。 [5、 6]
3
I/O
I/O、 M、
S
P0[3]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
列输出。 [5、 6]
4
I/O
I、 M、 S
P0[1]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
SMP
开关电压泵 （SMP）连接至外部组件。
6
I/O
输出
M
P1[7]
I2C0 串行时钟 （SCL）。
7
I/O
M
P1[5]
I2C0 串行数据 （SDA）。
8
I/O
M
P1[3]
9
I/O
M
P1[1]
5
电源
10
VSS
I/O
M
P1[0]
晶振输出 （XTALout）、 I2C0 串行数据
（SDA）、 ISSP-SDATA[4]。
12
I/O
M
P1[2]
I2C1 串行数据 （SDA）。 [7]
13
I/O
M
P1[4]
可选外部时钟输入 （EXTCLK）。
14
I/O
M
P1[6]
I2C1 串行时钟 （SCL）。 [7]
输入
I/O
I、 M、 S
17
I/O
I/O、 M、
S
P0[2]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。 [5、 8]
18
I/O
I/O、 M、
S
P0[4]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
列输出。 [5、 8]
19
I/O
I、 M、 S
P0[6]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
VDD
电源电压。
电源
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
SSOP
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Vdd
P0[6], M, AI, S
P0[4], M, AIO, S
P0[2], M, AIO, S
P0[0], M, AI, S
XRES
P1[6], M, I2C1 SCL
P1[4], M, EXTCLK
P1[2], M, I2C1 SDA
P1[0], M, XTALout, I2C0 SDA
XRES 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复
位。
P0[0] 模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
16
20
S, AI, M, P0[7]
S, AIO, M, P0[5]
S, AIO, M, P0[3]
S, AI, M, P0[1]
SMP
I2C0 SCL, M, P1[7]
I2C0 SDA, M, P1[5]
M, P1[3]
I2C0 SCL, XTALin, M, P1[1]
Vss
晶振输入 （XTALin）、 I2C0 串行时钟
（SCL）、 ISSP-SCLK[4]。
接地。
11
15
CY8C28243 的 20 引脚 PSoC 器件
说明
数字
I/O
注释：A = 模拟， I = 输入， O = 输出， S = SAR ADC 输入， M = 模拟复用器总线输入。
注释：
4. 这些是 ISSP 引脚，在 POR （上电复位）时不处于高阻态。有关详细信息，请参见 CY8C28xxx PSoC 器件的 PSoC 技术参考手册。
5. CY8C28x52 和 CY8C28x23 器件没有 SAR ADC。因此，对于这些器件而言，此引脚不能用作 SAR ADC 输入。
6. CY8C28x13 和 CY8C28x03 器件没有任何模拟输出缓冲区。因此，对于这些器件而言，此引脚不能用作模拟列输出。
7. CY8C28x52、 CY8C28x13 和 CY8C28x33 器件只有一个 I2C 模块。因此，对于这些器件而言，此 GPIO 不能用作 I2C 引脚。
8. CY8C28x33、 CY8C28x23、 CY8C28x13 和 CY8C28x03 器件没有用于此引脚的模拟输出缓冲区。因此，对于这些器件而言，此引脚不能用作模拟列输出。
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CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
28 引脚器件的引脚分布
表 4. 28 引脚器件的引脚分布 （SSOP）
引脚
编号
类型
模拟
引脚
名称
说明
1
数字
I/O
I、M、S
P0[7]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
2
I/O
I/O、
M、 S
P0[5]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
列输出。 [5、 6]
3
I/O
I/O、
M、 S
P0[3]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
列输出。 [5、 6]
4
I/O
P0[1]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
5
I/O
I、M、S
M
6
I/O
M
P2[5]
7
I/O
I、 M
P2[3]
直接切换电容模块输入。 [9]
8
I/O
I、 M
P2[1]
直接切换电容模块输入。 [9]
输出
P2[7]
SMP
开关电压泵 （SMP）连接至外部组件。
10
I/O
M
P1[7]
I2C0 串行时钟 （SCL）。
11
I/O
M
P1[5]
I2C0 串行数据 （SDA）。
12
I/O
M
P1[3]
13
I/O
M
P1[1]
9
电源
14
VSS
M
P1[0]
晶振输出 （XTALout）、 I2C0 串行数据
（SDA）、 ISSP-SDATA[4]。
16
I/O
M
P1[2]
I2C1 串行数据 （SDA）。 [7]
17
I/O
M
P1[4]
可选外部时钟输入 （EXTCLK）。
18
I/O
M
P1[6]
I2C1 串行时钟 （SCL）。 [7]
I/O
I、 M
21
I/O
P2[2]
直接切换电容模块输入。 [10]
22
I/O
I、 M
M
P2[4]
外部模拟接地 （AGND）。
23
I/O
M
P2[6]
外部参考电压 （VRef）。
24
I/O
I、M、S
P0[0]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
25
I/O
I/O、
M、 S
P0[2]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
列输出。 [5、 8]
26
I/O
I/O、
M、 S
P0[4]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
列输出。 [5、 8]
27
I/O
I、M、S
P0[6]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
VDD
供电电压。
电源
SSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
Vdd
P0[6], M, AI, S
P0[4], M, AIO, S
P0[2], M, AIO, S
P0[0], M, AI, S
P2[6], M, External VRef
P2[4], M, External AGND
P2[2], M, AI
P2[0], M, AI
XRES
P1[6], M, I2C1 SCL
P1[4], M, EXTCLK
P1[2], M, I2C1 SDA
P1[0], M, XTALout, I2C0 SDA
XRES 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复
位。
P2[0] 直接切换电容模块输入。 [10]
20
28
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
接地。
I/O
输入
S, AI, M, P0[7]
S, AIO, M, P0[5]
S, AIO, M, P0[3]
S, AI, M, P0[1]
M, P2[7]
M, P2[5]
AI, M, P2[3]
AI, M, P2[1]
SMP
I2C0 SCL, M, P1[7]
I2C0 SDA, M, P1[5]
M, P1[3]
I2C0 SCL, XTALin, M, P1[1]
Vss
晶振输入 （XTALin）、 I2C0 串行时钟
（SCL）、 ISSP-SCLK[4]。
15
19
CY8C28403、 CY8C28413、 CY8C28433、 CY8C28445 和
CY8C28452 28 引脚 PSoC 器件
注释：A = 模拟， I = 输入， O = 输出， S = SAR ADC 输入， M = 模拟复用器总线输入。
注释：
9. 此引脚不是 CY8C28x03 和 CY8C28x13 器件的直接开关电容模块模拟输入。
10. 对于 CY8C28x03、 CY8C28x13、 CY8C28x23 和 CY8C28x33 器件而言，此引脚不是直接开关电容模块模拟输入。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
44 引脚器件的引脚分布
表 5. 44 引脚器件的引脚分布 （TQFP）
M
VSS
P1[0]
19
20
21
22
23
24
25
26
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
M
M
M
M
M
M
M
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
37
I/O
38
39
40
41
I/O
42
I/O
I/O、
M、 S
P0[3]
43
44
I/O
I/O
I、M、S
P0[1]
P2[7]
输出
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
电源
输入
I/O
I/O
M
M
M
M
I、 M
I、 M
M
M
I、M、S
I/O、
M、 S
I/O、
M、 S
I、M、S
电源
I、M、S
I/O、
M、 S
P1[2]
P1[4]
P1[6]
P3[0]
P3[2]
P3[4]
P3[6]
XRES
P4[0]
P4[2]
P4[4]
P4[6]
P2[0]
P2[2]
P2[4]
P2[6]
P0[0]
P0[2]
P0[4]
P0[6]
VDD
P0[7]
P0[5]
P2[7], M
P0[1], M, AI, S
P0[3], M, AIO, S
P0[5], M, AIO, S
P0[7], M, AI, S
Vdd
P0[6], M, AI, S
P0[4], M, AIO, S
P0[2], M, AIO, S
P0[0], M, AI, S
P2[6], M, External VRef
I/O
17
18
I、 M
I、 M
M
M
M
M
CY8C28513、 CY8C28533 和 CY8C28545
44 引脚 PSoC 器件
说明
直接切换电容模块输入。 [9]
直接切换电容模块输入。 [9]
开关电压泵 （SMP）连接至外部组件。
I2C0 串行时钟 （SCL）。
I2C0 串行数据 （SDA）。
晶振输入 （XTALin）、 I2C0 串行时钟
（SCL）、 ISSP-SCLK[4]。
接地。
晶振输出 （XTALout）、 I2C0 串行数据
（SDA）、 ISSP-SDATA[4]。
I2C1 串行数据 （SDA）。 [7]
可选外部时钟输入 （EXTCLK）。
I2C1 串行时钟 （SCL）。 [7]
I2C1 串行数据 （SDA）。 [7]
I2C1 串行时钟 （SCL）。 [7]
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
M
M
M
M
M
M
M
M
引脚
名称
P2[5]
P2[3]
P2[1]
P4[7]
P4[5]
P4[3]
P4[1]
SMP
P3[7]
P3[5]
P3[3]
P3[1]
P1[7]
P1[5]
P1[3]
P1[1]
模拟
M
M, P2[5]
AI, M, P2[3]
AI, M, P2[1]
M, P4[7]
M, P4[5]
M, P4[3]
M, P4[1]
SMP
M, P3[7]
M, P3[5]
M, P3[3]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
TQFP
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
类型
数字
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
P2[4], M, External AGND
P2[2], M, AI
P2[0], M, AI
P4[6], M
P4[4], M
P4[2], M
P4[0], M
XRES
P3[6], M
P3[4], M
P3[2], M, I2C1 SCL
M, P3[1]
I2C0 SCL, M, P1[7]
I2C0 SDA, M, P1[5]
M, P1[3]
I2C0 SCL, XTALin, M, P1[1]
Vss
I2C0 SDA, XTALout, M, P1[0]
I2C1 SDA, M, P1[2]
EXTCLK, M, P1[4]
I2C1 SCL, M, P1[6]
I2C1 SDA, M, P3[0]
引脚
编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
采用内部下拉电阻的高电平有效外部复
位。
直接切换电容模块输入。 [10]
直接切换电容模块输入。 [10]
外部模拟接地 （AGND）。
外部参考电压 （VRef）。
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。 [5、 8]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。 [5、 8]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
电源电压。
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。 [5、 6]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。 [5、 6]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
注释：A = 模拟， I = 输入， O = 输出， S = SAR ADC 输入， M = 模拟复用器总线输入。
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
48 引脚器件的引脚分布
表 6. 48 引脚器件的引脚分布 （QFN[11]）
M
VSS
P1[0]
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
M
M
M
M
M
M
M
M
M
30
31
32
33
I/O
I/O
I/O
I/O
M
M
M
M
34
35
I/O
I/O
I、 M
I、 M
P2[0]
P2[2]
36
I/O
M
37
I/O
38
I/O
电源
输入
开关电压泵 （SMP）连接至外部组件。
I2C0 串行时钟 （SCL）。
I2C0 串行数据 （SDA）。
P2[5], M
P2[7], M
P0[1], M, AI, S
P0[3], M, AIO, S
P0[5], M, AIO, S
P0[7], M, AI, S
Vdd
P0[6], M, AI, S
P0[4], M, AIO, S
P0[2], M, AIO, S
P0[0], M, AI, S
P2[6], M, External VRef
I/O
18
19
直接切换电容模块输入。 [9]
直接切换电容模块输入。 [9]
AI, M, P2[3]
AI, M, P2[1]
M, P4[7]
M, P4[5]
M, P4[3]
M, P4[1]
SMP
M, P3[7]
M, P3[5]
M, P3[3]
M, P3[1]
M, P5[3]
晶振输入 （XTALin）、 I2C0 串行时钟
（SCL）、 ISSP-SCLK[4]。
接地。
晶振输出 （XTALout）、 I2C0 串行数据
（SDA）、 ISSP-SDATA[4]。
I2C1 串行数据 （SDA）。 [7]
可选外部时钟输入 （EXTCLK）。
I2C1 串行时钟 （SCL）。 [7]
P1[2]
P1[4]
P1[6]
P5[0]
P5[2]
P3[0] I2C1 串行数据 （SDA）。 [7]
P3[2] I2C1 串行时钟 （SCL）。 [7]
P3[4]
P3[6]
XRES 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复
位。
P4[0]
P4[2]
P4[4]
P4[6]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
I/O
数字
I/O
直接切换电容模块输入。 [10]
直接切换电容模块输入。 [10]
42
43
I/O
P2[4]
外部模拟接地 （AGND）。
44
I/O
M
P2[6]
外部参考电压 （VRef）。
45
I/O
I、M、S
P0[0]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。 [5]
46
I/O
I/O、
M、 S
P0[2]
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
QFN
(Top View)
P2[4], M, External AGND
P2[2], M, AI
P2[0], M, AI
P4[6], M
P4[4], M
P4[2], M
P4[0], M
XRES
P3[6], M
P3[4], M
P3[2], M, I2C1 SCL
P3[0], M, I2C1 SDA
类型
引脚
编号
41
47
I/O
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
列输出。 [5、 8]
40
I/O
48
I/O
P0[4] 模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟
I/O、
M、 S
列输出。 [5、 8]
注释：A = 模拟， I = 输入， O = 输出， S = SAR ADC 输入， M = 模拟复用器总线输入。
39
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
M
M
M
M
M
M
M
M
M
M
输出
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
CY8C28623、 CY8C28643 和 CY8C28645
48 引脚 PSoC 器件
说明
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
类型
模拟
I、 M
I、 M
M
M
M
M
引脚
名称
P2[3]
P2[1]
P4[7]
P4[5]
P4[3]
P4[1]
SMP
P3[7]
P3[5]
P3[3]
P3[1]
P5[3]
P5[1]
P1[7]
P1[5]
P1[3]
P1[1]
数字
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
M, P5[1]
I2C0 SCL, M, P1[7]
I2C0 SDA, M, P1[5]
M, P1[3]
I2C0 SCL, XTALin, M, P1[1]
Vss
I2C0 SDA, XTALout, M, P1[0]
I2C1 SDA, M, P1[2]
EXTCLK, M, P1[4]
I2C1 SCL, M, P1[6]
M, P5[0]
M, P5[2]
引脚
编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
引脚
说明
名称
模拟
I、M、S P0[6] 模拟列复用器和
SAR ADC 输入。
[5]
VDD 电源电压。
电源
I、M、S P0[7] 模拟列复用器和 SAR ADC 输入。
[5]
I/O、M、 P0[5] 模拟列复用器和 SAR ADC 输入。
S
模拟列输出。 [5、 6]
I/O、M、 P0[3] 模拟列复用器和 SAR ADC 输入。
S
模拟列输出。 [5、 6]
I、M、S P0[1] 模拟列复用器和 SAR ADC 输入。
[5]
M
P2[7]
M
P2[5]
注释：
11. QFN 封装具有一个中心焊盘，该焊盘必须连接至接地引脚 （VSS）
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
56 引脚器件的引脚分布
56 引脚 SSOP 器件适用于 CY8C28000 片上调试 （OCD） PSoC 器件。
注意：此器件仅用于在线调试。不能用于生产。
表 7. 56 引脚器件的引脚分布 （SSOP）
引脚
编号
类型
数字
模拟
引脚
名称
P0[7]
1
NC
说明
无连接。
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。
2
I/O
I、 M、 S
3
I/O
I/O、 M、 P0[5]
S
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。
4
I/O
I/O、 M、 P0[3]
S
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。
5
I/O
I/O
I、 M、 S
M
P0[1]
6
7
I/O
M
P2[5]
8
I/O
I
P2[3]
直接切换电容模块输入。
直接切换电容模块输入。
9
I/O
I
P2[1]
10
I/O
M
P4[7]
11
I/O
M
P4[5]
12
I/O
I、 M
P4[3]
13
I/O
14
OCD
I、 M
M
15
OCD
M
输出
16
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。
P2[7]
P4[1]
OCDE OCD 偶数据 I/O。
OCDO OCD 奇数据输出。
SMP
开关电压泵 （SMP）连接至所需的外部
组件。
17
I/O
M
P3[7]
18
I/O
M
P3[5]
19
I/O
M
P3[3]
20
I/O
M
P3[1]
21
I/O
M
P5[3]
22
I/O
M
P5[1]
23
I/O
M
P1[7]
I2C0 串行时钟 （SCL）。
24
I/O
M
P1[5]
I2C0 串行数据 （SDA）。
25
NC
I/O
M
P1[3]
27
I/O
M
P1[1]
晶振输入 （XTALin）、 I2C0 串行时钟
（SCL）、 ISSP-SCLK[4]。
VSS
接地。
电源
29
NC
30
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
SSOP
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
Vdd
P0[6], M, AI, S
P0[4], M, AIO, S
P0[2], M, AIO, S
P0[0], M, AI, S
P2[6], M, External VRef
P2[4], M, External AGND
P2[2], M, AI
P2[0], M, AI
P4[6], M
P4[4], M
P4[2], M
P4[0], M
CCLK
HCLK
XRES
P3[6], M
P3[4], M
P3[2], M, I2C1 SCL
P3[0], M, I2C1 SDA
P5[2], M
P5[0], M
P1[6], M, I2C1 SCL
P1[4], M, EXTCLK
P1[2], M, I2C1 SDA
P1[0], M, XTALOut, I2C0 SDA, SDATA
NC
NC
不能用于生产
无连接。
无连接。
31
I/O
M
P1[0]
晶振输出 （XTALout）、 I2C0 串行数据
（SDA）、 ISSP-SDATA[4]。
32
I/O
M
P1[2]
I2C1 串行数据 （SDA）。
33
I/O
M
P1[4]
可选外部时钟输入 （EXTCLK）。
34
I/O
M
P1[6]
I2C1 串行时钟 （SCL）。
35
I/O
M
P5[0]
36
I/O
M
P5[2]
37
I/O
M
P3[0]
I2C1 串行数据 （SDA）。
38
I/O
M
P3[2]
I2C1 串行时钟 （SCL）。
39
I/O
M
P3[4]
40
I/O
M
P3[6]
文档编号：001-63461 版本 *D
NC
S, AI, M, P0[7]
S, AIO, M, P0[5]
S, AIO, M, P0[3]
S, AI, M, P0[1]
M, P2[7]
M, P2[5]
AI, M, P2[3]
AI, M, P2[1]
M, P4[7]
M, P4[5]
M, P4[3]
M, P4[1]
OCDE
OCDO
SMP
M, P3[7]
M, P3[5]
M, P3[3]
M, P3[1]
M, P5[3]
M, P5[1]
I2C0 SCL, M, P1[7]
I2C0 SDA, M, P1[5]
NC
M, P1[3]
SCLK, I2C0 SCL, XTALIn, M, P1[1]
Vss
无连接。
26
28
CY8C28000 56 引脚 PSoC 器件
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 7. 56 引脚器件的引脚分布 （SSOP）（续）
引脚
编号
类型
数字
模拟
输入
41
引脚名
称
说明
XRES 采用内部下拉电阻的高电平有效外部复
位。
HCLK OCD 高速时钟输出。
42
OCD
M
43
OCD
M
44
I/O
M
CCLK OCD CPU 时钟输出。
P4[0]
45
I/O
M
P4[2]
46
I/O
M
P4[4]
47
I/O
M
P4[6]
48
I/O
I、 M
P2[0]
直接切换电容模块输入。
49
I/O
P2[2]
直接切换电容模块输入。
50
I/O
I、 M
M
P2[4]
外部模拟接地 （AGND）。
51
I/O
M
P2[6]
外部参考电压 （VRef）。
52
I/O
I、 M、 S
P0[0]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。
53
I/O
I/O、 M、 P0[2]
S
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。
54
I/O
I/O、 M、 P0[4]
S
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。模拟列
输出。
55
I/O
I、 M、 S
56
电源
P0[6]
模拟列复用器和 SAR ADC 输入。
VDD
电源电压。
注释：A = 模拟， I = 输入， O = 输出， S = SAR ADC 输入， M = 模拟复用器总线输入， OCD = 片上调试。
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
寄存器参考
本节列出了 CY8C28xxx PSoC 器件的寄存器。有关寄存器的详细信息，请参见 CY8C28xxx PSoC 器件的 PSoC 技术参考手册。
寄存器规范
寄存器映射表
下表列出了针对本节的寄存器规范。
CY8C28xxx PSoC 器件共有 512 个字节的寄存器地址空间。该
寄存器空间也称为 I/O 空间，分为两个组。标记寄存器（CPU_F）
中的 XIO 位用于确定 CPU 指令访问哪个寄存器组。如果设置了
XIO 位，CPU 指令会访问组 1 中的寄存器。如果清除了 XIO 位，
CPU 指令会访问组 0 中的寄存器。
规范
说明
R
读取寄存器或位
W
写入寄存器或位
L
逻辑寄存器或位
C
可清除的寄存器或位
#
根据位决定访问类型
文档编号：001-63461 版本 *D
注意：在以下寄存器映射表中，空白字段为保留字段，请勿访问
这些字段。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 8. CY8C28x03 寄存器映射组 0 表：用户空间
地址
（0，十六进制）
00
访问
RW
DBC20DR0
地址
（0，十六进制）
40
访问
PRT0DR
#
地址
（0，十六进制）
80
地址
（0，十六进制）
C0
访问
PRT0IE
01
RW
DBC20DR1
41
W
81
RDI2SYN
C1
PRT0GS
02
RW
DBC20DR2
42
RW
RW
82
RDI2IS
C2
PRT0DM2
03
RW
DBC20CR0
43
RW
#
83
RDI2LT0
C3
PRT1DR
04
RW
DBC21DR0
RW
44
#
84
RDI2LT1
C4
PRT1IE
05
RW
RW
DBC21DR1
45
W
85
RDI2RO0
C5
PRT1GS
06
RW
RW
DBC21DR2
46
RW
86
RDI2RO1
C6
PRT1DM2
RW
07
RW
DBC21CR0
47
#
87
RDI2DSM
C7
PRT2DR
RW
08
RW
DCC22DR0
48
#
88
PRT2IE
09
RW
DCC22DR1
49
W
89
C9
PRT2GS
0A
RW
DCC22DR2
4A
RW
8A
CA
名称
名称
名称
访问
名称
RDI2RI
RW
C8
PRT2DM2
0B
RW
DCC22CR0
4B
#
8B
CB
PRT3DR
0C
RW
DCC23DR0
4C
#
8C
CC
PRT3IE
0D
RW
DCC23DR1
4D
W
8D
CD
PRT3GS
0E
RW
DCC23DR2
4E
RW
8E
CE
PRT3DM2
0F
RW
DCC23CR0
4F
#
8F
PRT4DR
10
RW
50
90
CUR_PP
D0
RW
PRT4IE
11
RW
51
91
STK_PP
D1
RW
PRT4GS
12
RW
52
92
PRT4DM2
13
RW
53
93
IDX_PP
D3
RW
PRT5DR
14
RW
54
94
MVR_PP
D4
RW
PRT5IE
15
RW
55
95
MVW_PP
D5
RW
PRT5GS
16
RW
56
96
I2C0_CFG
D6
RW
PRT5DM2
17
RW
57
97
I2C0_SCR
D7
#
58
98
I2C0_DR
D8
RW
18
CF
D2
19
59
99
I2C0_MSCR
D9
#
1A
5A
9A
INT_CLR0
DA
RW
1B
5B
9B
INT_CLR1
DB
RW
1C
5C
9C
INT_CLR2
DC
RW
1D
5D
9D
INT_CLR3
DD
RW
1E
5E
9E
INT_MSK3
DE
RW
1F
5F
9F
INT_MSK2
DF
RW
#
60
A0
INT_MSK0
E0
RW
DBC00DR0
20
DBC00DR1
21
W
61
A1
INT_MSK1
E1
RW
DBC00DR2
22
RW
62
A2
INT_VC
E2
RC
DBC00CR0
23
#
63
A3
RES_WDT
E3
W
DBC01DR0
24
#
64
A4
I2C1_SCR
E4
#
DBC01DR1
25
W
65
A5
I2C1_MSCR
E5
#
DBC01DR2
26
RW
66
A6
I2C1_DR
67
RW
E6
DBC01CR0
27
#
DCC02DR0
28
#
68
MUL1_X
A7
A8
W
MUL0_X
E7
E8
W
DCC02DR1
29
W
69
MUL1_Y
A9
W
MUL0_Y
E9
W
DCC02DR2
2A
RW
SADC_DH
6A
RW
MUL1_DH
AA
R
MUL0_DH
EA
R
DCC02CR0
2B
#
SADC_DL
6B
RW
MUL1_DL
AB
R
MUL0_DL
EB
R
DCC03DR0
2C
#
TMP_DR0
6C
RW
ACC1_DR1
AC
RW
ACC0_DR1
EC
RW
DCC03DR1
2D
W
TMP_DR1
6D
RW
ACC1_DR0
AD
RW
ACC0_DR0
ED
RW
DCC03DR2
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
ACC1_DR3
AE
RW
ACC0_DR3
EE
RW
DCC03CR0
2F
#
TMP_DR3
6F
RW
ACC1_DR2
AF
RW
ACC0_DR2
EF
RW
DBC10DR0
30
#
70
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10DR1
31
W
71
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10DR2
32
RW
72
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR0
33
#
73
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11DR0
34
#
74
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11DR1
35
W
75
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11DR2
36
RW
76
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR0
37
#
77
RDI0DSM
B7
RW
DCC12DR0
38
#
78
RDI1RI
B8
RW
F6
CPU_F
F7
RL
F8
DCC12DR1
39
W
79
RDI1SYN
B9
RW
F9
DCC12DR2
3A
RW
7A
RDI1IS
BA
RW
FA
DCC12CR0
3B
#
7B
RDI1LT0
BB
RW
FB
DCC13DR0
3C
#
7C
RDI1LT1
BC
RW
FC
DCC13DR1
3D
W
7D
RDI1RO0
BD
RW
DCC13DR2
3E
RW
7E
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR0
3F
#
7F
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
# 访问是针对位进行的。
FD
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 9. CY8C28x03 寄存器映射组 1 表：配置空间
名称
PRT0DM0
地址 （1，十六进制） 访问
00
RW
名称
DBC20FN
地址 （1，十六进制） 访问
40
RW
名称
地址 （1，十六进制）
80
访问
名称
RDI2RI
地址 （1，十六进制） 访问
C0
RW
PRT0DM1
01
RW
DBC20IN
41
RW
SADC_TSCMPL
81
RW
RDI2SYN
C1
RW
PRT0IC0
02
RW
DBC20OU
42
RW
SADC_TSCMPH
82
RW
RDI2IS
C2
RW
PRT0IC1
03
RW
DBC20CR1
43
RW
83
RDI2LT0
C3
RW
PRT1DM0
04
RW
DBC21FN
44
RW
84
RDI2LT1
C4
RW
PRT1DM1
05
RW
DBC21IN
45
RW
85
RDI2RO0
C5
RW
PRT1IC0
06
RW
DBC21OU
46
RW
86
RDI2RO1
C6
RW
PRT1IC1
07
RW
DBC21CR1
47
RW
87
RDI2DSM
C7
RW
PRT2DM0
08
RW
DCC22FN
48
RW
88
PRT2DM1
09
RW
DCC22IN
49
RW
89
C9
PRT2IC0
0A
RW
DCC22OU
4A
RW
8A
CA
C8
PRT2IC1
0B
RW
DCC22CR1
4B
RW
8B
CB
PRT3DM0
0C
RW
DCC23FN
4C
RW
8C
CC
PRT3DM1
0D
RW
DCC23IN
4D
RW
8D
CD
PRT3IC0
0E
RW
DCC23OU
4E
RW
8E
CE
PRT3IC1
0F
RW
DCC23CR1
4F
RW
8F
PRT4DM0
10
RW
50
90
GDI_O_IN
D0
RW
PRT4DM1
11
RW
51
91
GDI_E_IN
D1
RW
PRT4IC0
12
RW
52
92
GDI_O_OU
D2
RW
PRT4IC1
13
RW
53
93
GDI_E_OU
D3
RW
PRT5DM0
14
RW
54
94
D4
CF
PRT5DM1
15
RW
55
95
D5
PRT5IC0
16
RW
56
96
D6
PRT5IC1
17
RW
57
97
D7
18
58
98
D8
19
59
99
D9
1A
5A
9A
DA
1B
5B
9B
DB
1C
5C
9C
DC
1D
5D
9D
OSC_GO_EN
DD
RW
1E
5E
9E
OSC_CR4
DE
RW
1F
5F
9F
OSC_CR3
DF
RW
DBC00FN
20
RW
60
GDI_O_IN_CR
A0
RW
OSC_CR0
E0
RW
DBC00IN
21
RW
61
GDI_E_IN_CR
A1
RW
OSC_CR1
E1
RW
DBC00OU
22
RW
62
GDI_O_OU_CR
A2
RW
OSC_CR2
E2
RW
DBC00CR1
23
RW
63
GDI_E_OU_CR
A3
RW
VLT_CR
E3
RW
DBC01FN
24
RW
64
RTC_H
A4
RW
VLT_CMP
E4
RW
DBC01IN
25
RW
65
RTC_M
A5
RW
E5
DBC01OU
26
RW
66
RTC_S
A6
RW
E6
DBC01CR1
27
RW
67
RTC_CR
A7
RW
DCC02FN
28
RW
68
SADC_CR0
A8
RW
IMO_TR
E8
RW
DCC02IN
29
RW
69
SADC_CR1
A9
RW
ILO_TR
E9
RW
DCC02OU
2A
RW
SADC_CR2
AA
RW
BDG_TR
EA
RW
DCC02CR1
2B
RW
I2C1_CFG
6B
RW
SADC_CR3
AB
RW
ECO_TR
EB
RW
DCC03FN
2C
RW
TMP_DR0
6C
RW
SADC_CR4
AC
RW
EC
DCC03IN
2D
RW
TMP_DR1
6D
RW
I2C0_ADDR
AD
RW
ED
DCC03OU
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
I2C1_ADDR
AE
RW
EE
DCC03CR1
2F
RW
TMP_DR3
6F
RW
AMUX_CLK
AF
RW
EF
DBC10FN
30
RW
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10IN
31
RW
SADC_TSCR0
71
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10OU
32
RW
SADC_TSCR1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR1
33
RW
73
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11FN
34
RW
74
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11IN
35
RW
75
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11OU
36
RW
76
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR1
37
RW
77
RDIODSM
B7
RW
DCC12FN
38
RW
78
RDI1RI
B8
RW
DCC12IN
39
RW
79
RDI1SYN
B9
RW
DCC12OU
3A
RW
7A
RDI1IS
BA
RW
DCC12CR1
3B
RW
7B
RDI1LT0
BB
RW
FB
DCC13FN
3C
RW
7C
RDI1LT1
BC
RW
FC
DCC13IN
3D
RW
7D
RDI1RO0
BD
RW
DCC13OU
3E
RW
7E
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR1
3F
RW
7F
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
6A
70
# 访问是针对位进行的。
E7
F6
CPU_F
F7
RL
F8
F9
FLS_PR1
FA
RW
FD
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
页 20/85
CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 10. CY8C28x13 寄存器映射组 0 表：用户空间
地址 （0，十
六进制）
00
访问
名称
RW
DBC20DR0
地址 （0，十
六进制）
40
访问
PRT0DR
#
地址 （0，十
六进制）
80
地址 （0，十
六进制）
C0
访问
PRT0IE
01
RW
DBC20DR1
41
W
81
RDI2SYN
C1
PRT0GS
02
RW
DBC20DR2
42
RW
RW
82
RDI2IS
C2
PRT0DM2
03
RW
DBC20CR0
43
RW
#
83
RDI2LT0
C3
PRT1DR
04
RW
DBC21DR0
RW
44
#
84
RDI2LT1
C4
PRT1IE
05
RW
RW
DBC21DR1
45
W
85
RDI2RO0
C5
PRT1GS
06
RW
RW
DBC21DR2
46
RW
86
RDI2RO1
C6
PRT1DM2
RW
07
RW
DBC21CR0
47
#
87
RDI2DSM
C7
PRT2DR
RW
08
RW
DCC22DR0
48
#
88
PRT2IE
09
RW
DCC22DR1
49
W
89
C9
PRT2GS
0A
RW
DCC22DR2
4A
RW
8A
CA
名称
名称
访问
名称
RDI2RI
RW
C8
PRT2DM2
0B
RW
DCC22CR0
4B
#
8B
CB
PRT3DR
0C
RW
DCC23DR0
4C
#
8C
CC
PRT3IE
0D
RW
DCC23DR1
4D
W
8D
CD
PRT3GS
0E
RW
DCC23DR2
4E
RW
8E
CE
PRT3DM2
0F
RW
DCC23CR0
4F
#
8F
PRT4DR
10
RW
50
90
CUR_PP
D0
RW
PRT4IE
11
RW
51
91
STK_PP
D1
RW
PRT4GS
12
RW
52
92
PRT4DM2
13
RW
53
93
IDX_PP
D3
RW
PRT5DR
14
RW
54
94
MVR_PP
D4
RW
PRT5IE
15
RW
55
95
MVW_PP
D5
RW
PRT5GS
16
RW
56
96
I2C0_CFG
D6
RW
PRT5DM2
17
RW
57
97
I2C0_SCR
D7
#
58
98
I2C0_DR
D8
RW
18
CF
D2
19
59
99
I2C0_MSCR
D9
#
1A
5A
9A
INT_CLR0
DA
RW
1B
5B
9B
INT_CLR1
DB
RW
1C
5C
9C
INT_CLR2
DC
RW
1D
5D
9D
INT_CLR3
DD
RW
1E
5E
9E
INT_MSK3
DE
RW
1F
5F
9F
INT_MSK2
DF
RW
DBC00DR0
20
#
60
DBC00DR1
21
W
DBC00DR2
22
RW
62
DBC00CR0
23
#
63
DBC01DR0
24
#
64
A4
DBC01DR1
25
W
65
A5
DBC01DR2
26
RW
66
A6
DEC_CR0*
E6
RW
DBC01CR0
27
#
67
A7
DEC_CR1*
E7
RW
DCC02DR0
28
#
68
MUL1_X
A8
W
MUL0_X
E8
W
DCC02DR1
29
W
69
MUL1_Y
A9
W
MUL0_Y
E9
W
DCC02DR2
2A
RW
SADC_DH
6A
RW
MUL1_DH
AA
R
MUL0_DH
EA
R
DCC02CR0
2B
#
SADC_DL
6B
RW
MUL1_DL
AB
R
MUL0_DL
EB
R
DCC03DR0
2C
#
TMP_DR0
6C
RW
ACC1_DR1
AC
RW
ACC0_DR1
EC
RW
DCC03DR1
2D
W
TMP_DR1
6D
RW
ACC1_DR0
AD
RW
ACC0_DR0
ED
RW
DCC03DR2
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
ACC1_DR3
AE
RW
ACC0_DR3
EE
RW
DCC03CR0
2F
#
TMP_DR3
6F
RW
ACC1_DR2
AF
RW
ACC0_DR2
EF
RW
DBC10DR0
30
#
70
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10DR1
31
W
71
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10DR2
32
RW
72
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR0
33
#
73
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11DR0
34
#
74
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11DR1
35
W
75
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11DR2
36
RW
76
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR0
37
#
77
RDI0DSM
B7
RW
DCC12DR0
38
#
78
RDI1RI
B8
RW
AMUX_CFG
61
RW
DEC0_DH
A0
RC
INT_MSK0
E0
RW
DEC0_DL
A1
RC
INT_MSK1
E1
RW
DEC1_DH
A2
RC
INT_VC
E2
RC
DEC1_DL
A3
RC
RES_WDT
E3
W
E4
E5
F6
CPU_F
F7
RL
F8
DCC12DR1
39
W
79
RDI1SYN
B9
RW
F9
DCC12DR2
3A
RW
7A
RDI1IS
BA
RW
FA
DCC12CR0
3B
#
7B
RDI1LT0
BB
RW
DCC13DR0
3C
#
7C
RDI1LT1
BC
RW
DAC1_D
FC
RW
DCC13DR1
3D
W
7D
RDI1RO0
BD
RW
DAC0_D
FD
RW
DCC13DR2
3E
RW
7E
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR0
3F
#
7F
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
# 访问是针对位进行的。
FB
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
页 21/85
CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 11. CY8C28x13 寄存器映射组 1 表：配置空间
名称
PRT0DM0
地址 （1，十六进制） 访问
00
RW
名称
DBC20FN
地址 （1，十六进制） 访问
40
RW
名称
地址 （1，十六进制） 访问
80
名称
RDI2RI
地址 （1，十六进制） 访问
C0
RW
PRT0DM1
01
RW
DBC20IN
41
RW
SADC_TSCMPL
81
RW
RDI2SYN
C1
RW
PRT0IC0
02
RW
DBC20OU
42
RW
SADC_TSCMPH
82
RW
RDI2IS
C2
RW
PRT0IC1
03
RW
DBC20CR1
43
RW
ACE_AMD_CR1
83
RW
RDI2LT0
C3
RW
PRT1DM0
04
RW
DBC21FN
44
RW
RDI2LT1
C4
RW
PRT1DM1
05
RW
DBC21IN
45
RW
ACE_PWM_CR
85
RW
RDI2RO0
C5
RW
PRT1IC0
06
RW
DBC21OU
46
RW
ACE_ADC0_CR
86
RW
RDI2RO1
C6
RW
PRT1IC1
07
RW
DBC21CR1
47
RW
ACE_ADC1_CR
87
RW
RDI2DSM
C7
RW
PRT2DM0
08
RW
DCC22FN
48
RW
PRT2DM1
09
RW
DCC22IN
49
RW
ACE_CLK_CR0
89
RW
C9
PRT2IC0
0A
RW
DCC22OU
4A
RW
ACE_CLK_CR1
8A
RW
CA
ACE_CLK_CR3
84
88
PRT2IC1
0B
RW
DCC22CR1
4B
RW
PRT3DM0
0C
RW
DCC23FN
4C
RW
PRT3DM1
0D
RW
DCC23IN
4D
RW
PRT3IC0
0E
RW
DCC23OU
4E
RW
PRT3IC1
0F
RW
DCC23CR1
4F
RW
PRT4DM0
10
RW
50
PRT4DM1
11
RW
51
DEC0_CR0
91
PRT4IC0
12
RW
52
DEC_CR3
92
PRT4IC1
13
RW
53
PRT5DM0
14
RW
54
PRT5DM1
15
RW
55
PRT5IC0
16
RW
56
96
PRT5IC1
17
RW
C8
8B
RW
CB
8C
RW
CC
ACE01CR1
8D
RW
CD
ACE01CR2
8E
RW
CE
ASE11CR0
8F
RW
90
DEC1_CR0
CF
GDI_O_IN
D0
RW
RW
GDI_E_IN
D1
RW
RW
GDI_O_OU
D2
RW
93
GDI_E_OU
D3
RW
94
DEC0_CR
D4
RW
DEC1_CR
D5
RW
95
RW
D6
57
97
18
58
98
MUX_CR0
D8
RW
19
59
99
MUX_CR1
D9
RW
1A
5A
MUX_CR2
DA
RW
1B
5B
9B
MUX_CR3
DB
RW
1C
5C
9C
IDAC_CR1
DC
RW
1D
5D
9D
OSC_GO_EN
DD
RW
1E
5E
9E
OSC_CR4
DE
RW
1F
5F
9F
OSC_CR3
DF
RW
DEC_CR5
9A
D7
RW
DBC00FN
20
RW
60
GDI_O_IN_CR
A0
RW
OSC_CR0
E0
RW
DBC00IN
21
RW
61
GDI_E_IN_CR
A1
RW
OSC_CR1
E1
RW
DBC00OU
22
RW
62
GDI_O_OU_CR
A2
RW
OSC_CR2
E2
RW
DBC00CR1
23
RW
63
GDI_E_OU_CR
A3
RW
VLT_CR
E3
RW
DBC01FN
24
RW
64
RTC_H
A4
RW
VLT_CMP
E4
RW
DBC01IN
25
RW
65
RTC_M
A5
RW
ADC0_TR
E5
RW
DBC01OU
26
RW
66
RTC_S
A6
RW
ADC1_TR
E6
RW
DBC01CR1
27
RW
67
RTC_CR
A7
RW
IDAC_CR2
E7
RW
DCC02FN
28
RW
68
SADC_CR0
A8
RW
IMO_TR
E8
RW
DCC02IN
29
RW
SADC_CR1
A9
RW
ILO_TR
E9
RW
DCC02OU
2A
RW
SADC_CR2
AA
RW
BDG_TR
EA
RW
DCC02CR1
2B
RW
SADC_CR3
AB
RW
ECO_TR
EB
RW
DCC03FN
2C
RW
TMP_DR0
6C
RW
SADC_CR4
AC
RW
MUX_CR4
EC
RW
DCC03IN
2D
RW
TMP_DR1
6D
RW
I2C0_ADDR
AD
RW
MUX_CR5
ED
RW
DCC03OU
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
DCC03CR1
2F
RW
TMP_DR3
6F
RW
DBC10FN
30
RW
DBC10IN
31
RW
SADC_TSCR0
71
DBC10OU
32
RW
SADC_TSCR1
DBC10CR1
33
RW
ACE_AMD_CR0
DBC11FN
34
RW
DBC11IN
35
RW
DBC11OU
36
DBC11CR1
DCC12FN
69
AMUX_CFG1
6A
RW
6B
AE
EE
AMUX_CLK
AF
RW
EF
RDI0RI
B0
RW
F0
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
73
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
74
RW
RDI0LT1
B4
RW
F4
ACE_AMX_IN
75
RW
RDI0RO0
B5
RW
F5
RW
ACE_CMP_CR0
76
RW
RDI0RO1
B6
RW
37
RW
ACE_CMP_CR1
77
RW
RDIODSM
B7
RW
38
RW
RDI1RI
B8
RW
DCC12IN
39
RW
ACE_CMP_GI_EN
79
RW
RDI1SYN
B9
RW
DCC12OU
3A
RW
ACE_ALT_CR0
7A
RW
RDI1IS
BA
RW
DCC12CR1
3B
RW
ACE_ABF_CR0
7B
RW
RDI1LT0
BB
RW
DCC13FN
3C
RW
RDI1LT1
BC
RW
DCC13IN
3D
RW
ACE0_CR1
7D
RW
RDI1RO0
BD
RW
IDAC_CR0
FD
DCC13OU
3E
RW
ACE0_CR2
7E
RW
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR1
3F
RW
ACE0_CR3
7F
RW
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
70
78
7C
# 访问是针对位进行的。
F6
CPU_F
F7
RL
F8
F9
FLS_PR1
FA
RW
FB
FC
RW
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
页 22/85
CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 12. CY8C28x23 寄存器映射组 0 表：用户空间
地址 （0，十
六进制）
00
访问
名称
DBC20DR0
#
ASC10CR0
地址 （0，十
六进制）
80
访问
RW
地址 （0，十
六进制）
40
访问
PRT0DR
RW
RDI2RI
PRT0IE
01
RW
DBC20DR1
41
W
ASC10CR1
81
RW
PRT0GS
02
RW
DBC20DR2
42
RW
ASC10CR2
82
PRT0DM2
03
RW
DBC20CR0
43
#
ASC10CR3
PRT1DR
04
RW
DBC21DR0
44
#
PRT1IE
05
RW
DBC21DR1
45
PRT1GS
06
RW
DBC21DR2
PRT1DM2
07
RW
PRT2DR
08
PRT2IE
PRT2GS
名称
地址 （0，十
六进制）
C0
访问
RDI2SYN
C1
RW
RW
RDI2IS
C2
RW
83
RW
RDI2LT0
C3
RW
ASD11CR0
84
RW
RDI2LT1
C4
RW
W
ASD11CR1
85
RW
RDI2RO0
C5
RW
46
RW
ASD11CR2
86
RW
RDI2RO1
C6
RW
DBC21CR0
47
#
ASD11CR3
87
RW
RDI2DSM
C7
RW
RW
DCC22DR0
48
#
09
RW
DCC22DR1
49
W
89
C9
0A
RW
DCC22DR2
4A
RW
8A
CA
名称
名称
88
RW
C8
PRT2DM2
0B
RW
DCC22CR0
4B
#
8B
CB
PRT3DR
0C
RW
DCC23DR0
4C
#
8C
CC
PRT3IE
0D
RW
DCC23DR1
4D
W
8D
CD
PRT3GS
0E
RW
DCC23DR2
4E
RW
8E
CE
PRT3DM2
0F
RW
DCC23CR0
4F
#
8F
PRT4DR
10
RW
50
ASD20CR0
90
RW
CUR_PP
D0
RW
PRT4IE
11
RW
51
ASD20CR1
91
RW
STK_PP
D1
RW
PRT4GS
12
RW
52
ASD20CR2
92
RW
PRT4DM2
13
RW
53
ASD20CR3
93
RW
IDX_PP
D3
RW
PRT5DR
14
RW
54
ASC21CR0
94
RW
MVR_PP
D4
RW
PRT5IE
15
RW
55
ASC21CR1
95
RW
MVW_PP
D5
RW
PRT5GS
16
RW
56
ASC21CR2
96
RW
I2C0_CFG
D6
RW
PRT5DM2
17
RW
57
ASC21CR3
97
RW
I2C0_SCR
D7
#
98
I2C0_DR
D8
RW
18
58
CF
D2
19
59
99
I2C0_MSCR
D9
#
1A
5A
9A
INT_CLR0
DA
RW
1B
5B
9B
INT_CLR1
DB
RW
1C
5C
9C
INT_CLR2
DC
RW
1D
5D
9D
INT_CLR3
DD
RW
1E
5E
9E
INT_MSK3
DE
RW
1F
5F
9F
INT_MSK2
DF
RW
DBC00DR0
20
#
AMX_IN
60
RW
DEC0_DH
A0
RC
INT_MSK0
E0
RW
DBC00DR1
DBC00DR2
21
W
AMUX_CFG
61
RW
DEC0_DL
A1
RC
INT_MSK1
E1
RW
22
RW
CLK_CR3
62
RW
DEC1_DH
A2
RC
INT_VC
E2
RC
DBC00CR0
23
#
ARF_CR
63
RW
DEC1_DL
A3
RC
RES_WDT
E3
W
DBC01DR0
24
#
CMP_CR0
64
#
A4
I2C1_SCR
E4
#
DBC01DR1
25
W
ASY_CR
65
#
A5
I2C1_MSCR
E5
#
DBC01DR2
26
RW
CMP_CR1
66
RW
A6
DEC_CR0*
E6
RW
DBC01CR0
27
#
I2C1_DR
67
RW
DEC_CR1*
E7
RW
DCC02DR0
28
#
68
MUL1_X
A8
W
MUL0_X
E8
W
DCC02DR1
29
W
69
MUL1_Y
A9
W
MUL0_Y
E9
W
DCC02DR2
2A
RW
6A
MUL1_DH
AA
R
MUL0_DH
EA
R
DCC02CR0
2B
#
6B
MUL1_DL
AB
R
MUL0_DL
EB
R
DCC03DR0
2C
#
TMP_DR0
6C
RW
ACC1_DR1
AC
RW
ACC0_DR1
EC
RW
DCC03DR1
2D
W
TMP_DR1
6D
RW
ACC1_DR0
AD
RW
ACC0_DR0
ED
RW
DCC03DR2
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
ACC1_DR3
AE
RW
ACC0_DR3
EE
RW
DCC03CR0
2F
#
TMP_DR3
6F
RW
ACC1_DR2
AF
RW
ACC0_DR2
EF
RW
DBC10DR0
30
#
ACB00CR3
70
RW
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10DR1
31
W
ACB00CR0
71
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10DR2
32
RW
ACB00CR1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR0
33
#
ACB00CR2
73
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11DR0
34
#
ACB01CR3
74
RW
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11DR1
35
W
ACB01CR0
75
RW
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11DR2
36
RW
ACB01CR1
76
RW
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR0
37
#
ACB01CR2
77
RW
RDI0DSM
B7
RW
DCC12DR0
38
#
78
RDI1RI
B8
RW
A7
F6
CPU_F
F7
RL
F8
DCC12DR1
39
W
79
RDI1SYN
B9
RW
F9
DCC12DR2
3A
RW
7A
RDI1IS
BA
RW
FA
DCC12CR0
3B
#
7B
RDI1LT0
BB
RW
FB
DCC13DR0
3C
#
7C
RDI1LT1
BC
RW
FC
DCC13DR1
3D
W
7D
RDI1RO0
BD
RW
DCC13DR2
3E
RW
7E
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR0
3F
#
7F
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
# 访问是针对位进行的。
FD
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
页 23/85
CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 13. CY8C28x23 寄存器映射组 1 表：配置空间
名称
PRT0DM0
地址 （1，十六进制）
00
访问
RW
名称
DBC20FN
地址 （1，十六进制） 访问
40
RW
PRT0DM1
01
RW
DBC20IN
41
RW
PRT0IC0
02
RW
DBC20OU
42
RW
PRT0IC1
03
RW
DBC20CR1
43
PRT1DM0
04
RW
DBC21FN
PRT1DM1
05
RW
PRT1IC0
06
PRT1IC1
PRT2DM0
名称
地址 （1，十六进制）
80
访问
名称
RDI2RI
地址 （1，十六进制）
C0
访问
RW
81
RDI2SYN
C1
RW
82
RDI2IS
C2
RW
RW
83
RDI2LT0
C3
RW
44
RW
84
RDI2LT1
C4
RW
DBC21IN
45
RW
85
RDI2RO0
C5
RW
RW
DBC21OU
46
RW
86
RDI2RO1
C6
RW
07
RW
DBC21CR1
47
RW
87
RDI2DSM
C7
RW
08
RW
DCC22FN
48
RW
88
PRT2DM1
09
RW
DCC22IN
49
RW
89
C9
PRT2IC0
0A
RW
DCC22OU
4A
RW
8A
CA
C8
PRT2IC1
0B
RW
DCC22CR1
4B
RW
8B
CB
PRT3DM0
0C
RW
DCC23FN
4C
RW
8C
CC
PRT3DM1
0D
RW
DCC23IN
4D
RW
8D
CD
PRT3IC0
0E
RW
DCC23OU
4E
RW
8E
CE
PRT3IC1
0F
RW
DCC23CR1
4F
RW
8F
PRT4DM0
10
RW
50
PRT4DM1
11
RW
51
DEC0_CR0
91
PRT4IC0
12
RW
52
DEC_CR3
PRT4IC1
13
RW
PRT5DM0
14
PRT5DM1
CF
90
GDI_O_IN
D0
RW
RW
GDI_E_IN
D1
RW
92
RW
GDI_O_OU
D2
RW
53
93
RW
GDI_E_OU
D3
RW
RW
54
94
RW
DEC0_CR
D4
RW
15
RW
55
95
RW
DEC1_CR
D5
RW
PRT5IC0
16
RW
56
96
D6
PRT5IC1
17
RW
DEC1_CR0
57
97
D7
18
58
98
D8
19
59
99
1A
5A
DEC_CR5
9A
D9
RW
DA
1B
5B
9B
DB
1C
5C
9C
DC
1D
5D
9D
OSC_GO_EN
DD
RW
1E
5E
9E
OSC_CR4
DE
RW
1F
5F
9F
OSC_CR3
DF
RW
DBC00FN
20
RW
CLK_CR0
60
RW
GDI_O_IN_CR
A0
RW
OSC_CR0
E0
RW
DBC00IN
21
RW
CLK_CR1
61
RW
GDI_E_IN_CR
A1
RW
OSC_CR1
E1
RW
DBC00OU
22
RW
ABF_CR0
62
RW
GDI_O_OU_CR
A2
RW
OSC_CR2
E2
RW
DBC00CR1
23
RW
AMD_CR0
63
RW
GDI_E_OU_CR
A3
RW
VLT_CR
E3
RW
DBC01FN
24
RW
CMP_GO_EN
64
RW
RTC_H
A4
RW
VLT_CMP
E4
RW
DBC01IN
25
RW
RTC_M
A5
RW
E5
DBC01OU
26
RW
AMD_CR1
66
RW
RTC_S
A6
RW
E6
DBC01CR1
27
RW
ALT_CR0
67
RW
RTC_CR
A7
RW
DCC02FN
28
RW
DCC02IN
29
RW
DCC02OU
2A
RW
DCC02CR1
2B
RW
I2C1_CFG
6B
RW
DCC03FN
2C
RW
TMP_DR0
6C
RW
AC
DCC03IN
2D
RW
TMP_DR1
6D
RW
I2C0_ADDR
AD
RW
ED
DCC03OU
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
I2C1_ADDR
AE
RW
EE
DCC03CR1
2F
RW
TMP_DR3
6F
RW
AMUX_CLK
AF
RW
EF
DBC10FN
30
RW
70
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10IN
31
RW
71
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10OU
32
RW
72
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR1
33
RW
73
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11FN
34
RW
74
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11IN
35
RW
75
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11OU
36
RW
76
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR1
37
RW
77
RDIODSM
B7
RW
DCC12FN
38
RW
78
RDI1RI
B8
RW
DCC12IN
39
RW
79
RDI1SYN
B9
RW
DCC12OU
3A
RW
7A
RDI1IS
BA
RW
DCC12CR1
3B
RW
7B
RDI1LT0
BB
RW
FB
DCC13FN
3C
RW
7C
RDI1LT1
BC
RW
FC
DCC13IN
3D
RW
7D
RDI1RO0
BD
RW
DCC13OU
3E
RW
7E
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR1
3F
RW
7F
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
65
68
CLK_CR2
69
RW
6A
# 访问是针对位进行的。
E7
A8
IMO_TR
E8
RW
A9
ILO_TR
E9
RW
AA
BDG_TR
EA
RW
AB
ECO_TR
EB
RW
EC
F6
CPU_F
F7
RL
F8
F9
FLS_PR1
FA
RW
FD
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
页 24/85
CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 14. CY8C28x33 寄存器映射组 0 表：用户空间
地址 （0，十
六进制）
00
访问
名称
DBC20DR0
#
ASC10CR0
地址 （0，十
六进制）
80
访问
RW
地址 （0，十
六进制）
40
访问
PRT0DR
RW
RDI2RI
PRT0IE
01
RW
DBC20DR1
41
W
ASC10CR1
81
RW
PRT0GS
02
RW
DBC20DR2
42
RW
ASC10CR2
82
PRT0DM2
03
RW
DBC20CR0
43
#
ASC10CR3
PRT1DR
04
RW
DBC21DR0
44
#
PRT1IE
05
RW
DBC21DR1
45
PRT1GS
06
RW
DBC21DR2
PRT1DM2
07
RW
PRT2DR
08
PRT2IE
PRT2GS
名称
地址 （0，十
六进制）
C0
访问
RDI2SYN
C1
RW
RW
RDI2IS
C2
RW
83
RW
RDI2LT0
C3
RW
ASD11CR0
84
RW
RDI2LT1
C4
RW
W
ASD11CR1
85
RW
RDI2RO0
C5
RW
46
RW
ASD11CR2
86
RW
RDI2RO1
C6
RW
DBC21CR0
47
#
ASD11CR3
87
RW
RDI2DSM
C7
RW
RW
DCC22DR0
48
#
09
RW
DCC22DR1
49
W
89
C9
0A
RW
DCC22DR2
4A
RW
8A
CA
名称
名称
88
RW
C8
PRT2DM2
0B
RW
DCC22CR0
4B
#
8B
CB
PRT3DR
0C
RW
DCC23DR0
4C
#
8C
CC
PRT3IE
0D
RW
DCC23DR1
4D
W
8D
CD
PRT3GS
0E
RW
DCC23DR2
4E
RW
8E
CE
PRT3DM2
0F
RW
DCC23CR0
4F
#
8F
PRT4DR
10
RW
50
ASD20CR0
90
RW
CUR_PP
D0
RW
PRT4IE
11
RW
51
ASD20CR1
91
RW
STK_PP
D1
RW
PRT4GS
12
RW
52
ASD20CR2
92
RW
PRT4DM2
13
RW
53
ASD20CR3
93
RW
IDX_PP
D3
RW
PRT5DR
14
RW
54
ASC21CR0
94
RW
MVR_PP
D4
RW
PRT5IE
15
RW
55
ASC21CR1
95
RW
MVW_PP
D5
RW
PRT5GS
16
RW
56
ASC21CR2
96
RW
I2C0_CFG
D6
RW
PRT5DM2
17
RW
57
ASC21CR3
97
RW
I2C0_SCR
D7
#
98
I2C0_DR
D8
RW
18
58
CF
D2
19
59
99
I2C0_MSCR
D9
#
1A
5A
9A
INT_CLR0
DA
RW
1B
5B
9B
INT_CLR1
DB
RW
1C
5C
9C
INT_CLR2
DC
RW
1D
5D
9D
INT_CLR3
DD
RW
1E
5E
9E
INT_MSK3
DE
RW
1F
5F
9F
INT_MSK2
DF
RW
DBC00DR0
20
#
AMX_IN
60
RW
DEC0_DH
A0
RC
INT_MSK0
E0
RW
DBC00DR1
DBC00DR2
21
W
AMUX_CFG
61
RW
DEC0_DL
A1
RC
INT_MSK1
E1
RW
22
RW
CLK_CR3
62
RW
DEC1_DH
A2
RC
INT_VC
E2
RC
DBC00CR0
23
#
ARF_CR
63
RW
DEC1_DL
A3
RC
RES_WDT
E3
W
DBC01DR0
24
#
CMP_CR0
64
#
DEC2_DH
A4
RC
DBC01DR1
25
W
ASY_CR
65
#
DEC2_DL
A5
RC
DBC01DR2
26
RW
CMP_CR1
66
RW
DEC3_DH
A6
RC
DEC_CR0*
E6
RW
DBC01CR0
27
#
67
DEC3_DL
A7
RC
DEC_CR1*
E7
RW
DCC02DR0
28
#
68
MUL1_X
A8
W
MUL0_X
E8
W
DCC02DR1
29
W
69
MUL1_Y
A9
W
MUL0_Y
E9
W
DCC02DR2
2A
RW
SADC_DH
6A
RW
MUL1_DH
AA
R
MUL0_DH
EA
R
DCC02CR0
2B
#
SADC_DL
6B
RW
MUL1_DL
AB
R
MUL0_DL
EB
R
DCC03DR0
2C
#
TMP_DR0
6C
RW
ACC1_DR1
AC
RW
ACC0_DR1
EC
RW
DCC03DR1
2D
W
TMP_DR1
6D
RW
ACC1_DR0
AD
RW
ACC0_DR0
ED
RW
DCC03DR2
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
ACC1_DR3
AE
RW
ACC0_DR3
EE
RW
DCC03CR0
2F
#
TMP_DR3
6F
RW
ACC1_DR2
AF
RW
ACC0_DR2
EF
RW
DBC10DR0
30
#
ACB00CR3
70
RW
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10DR1
31
W
ACB00CR0
71
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10DR2
32
RW
ACB00CR1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR0
33
#
ACB00CR2
73
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11DR0
34
#
ACB01CR3
74
RW
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11DR1
35
W
ACB01CR0
75
RW
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11DR2
36
RW
ACB01CR1
76
RW
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR0
37
#
ACB01CR2
77
RW
RDI0DSM
B7
RW
DCC12DR0
38
#
78
RDI1RI
B8
RW
E4
E5
F6
CPU_F
F7
RL
F8
DCC12DR1
39
W
79
RDI1SYN
B9
RW
F9
DCC12DR2
3A
RW
7A
RDI1IS
BA
RW
FA
DCC12CR0
3B
#
7B
RDI1LT0
BB
RW
DCC13DR0
3C
#
7C
RDI1LT1
BC
RW
DAC1_D
FC
RW
DCC13DR1
3D
W
7D
RDI1RO0
BD
RW
DAC0_D
FD
RW
DCC13DR2
3E
RW
7E
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR0
3F
#
7F
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
# 访问是针对位进行的。
FB
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 15. CY8C28x33 寄存器映射组 1 表：配置空间
名称
PRT0DM0
地址 （1，十六进制） 访问
00
RW
名称
DBC20FN
地址 （1，十六进制） 访问
40
RW
名称
地址 （1，十六进制） 访问
80
名称
RDI2RI
地址 （1，十六进制） 访问
C0
RW
PRT0DM1
01
RW
DBC20IN
41
RW
SADC_TSCMPL
81
RW
RDI2SYN
C1
RW
PRT0IC0
02
RW
DBC20OU
42
RW
SADC_TSCMPH
82
RW
RDI2IS
C2
RW
PRT0IC1
03
RW
DBC20CR1
43
RW
ACE_AMD_CR1
83
RW
RDI2LT0
C3
RW
PRT1DM0
04
RW
DBC21FN
44
RW
RDI2LT1
C4
RW
PRT1DM1
05
RW
DBC21IN
45
RW
ACE_PWM_CR
85
RW
RDI2RO0
C5
RW
PRT1IC0
06
RW
DBC21OU
46
RW
ACE_ADC0_CR
86
RW
RDI2RO1
C6
RW
PRT1IC1
07
RW
DBC21CR1
47
RW
ACE_ADC1_CR
87
RW
RDI2DSM
C7
RW
PRT2DM0
08
RW
DCC22FN
48
RW
88
RW
PRT2DM1
09
RW
DCC22IN
49
RW
ACE_CLK_CR0
89
RW
C9
PRT2IC0
0A
RW
DCC22OU
4A
RW
ACE_CLK_CR1
8A
RW
CA
ACE_CLK_CR3
8B
RW
84
C8
PRT2IC1
0B
RW
DCC22CR1
4B
RW
PRT3DM0
0C
RW
DCC23FN
4C
RW
CB
PRT3DM1
0D
RW
DCC23IN
4D
RW
ACE01CR1
8D
RW
CD
PRT3IC0
0E
RW
DCC23OU
4E
RW
ACE01CR2
8E
RW
CE
PRT3IC1
0F
RW
DCC23CR1
4F
RW
ASE11CR0
8F
RW
PRT4DM0
10
RW
50
PRT4DM1
11
RW
51
DEC0_CR0
91
PRT4IC0
12
RW
52
DEC_CR3
92
PRT4IC1
13
RW
53
PRT5DM0
14
RW
54
PRT5DM1
15
RW
55
DEC1_CR0
95
PRT5IC0
16
RW
56
DEC_CR4
96
PRT5IC1
17
RW
57
18
58
19
59
DEC2_CR0
99
1A
5A
DEC_CR5
9A
1B
5B
1C
5C
1D
5D
1E
5E
9E
1F
5F
9F
8C
CC
90
DEC3_CR0
CF
GDI_O_IN
D0
RW
RW
GDI_E_IN
D1
RW
RW
GDI_O_OU
D2
RW
93
GDI_E_OU
D3
RW
94
DEC0_CR
D4
RW
RW
DEC1_CR
D5
RW
RW
DEC2_CR
D6
RW
97
DEC3_CR
D7
RW
98
MUX_CR0
D8
RW
RW
MUX_CR1
D9
RW
RW
MUX_CR2
DA
RW
9B
MUX_CR3
DB
RW
9C
IDAC_CR1
DC
RW
OSC_GO_EN
DD
RW
OSC_CR4
DE
RW
OSC_CR3
DF
RW
9D
RW
DBC00FN
20
RW
CLK_CR0
60
RW
GDI_O_IN_CR
A0
RW
OSC_CR0
E0
RW
DBC00IN
21
RW
CLK_CR1
61
RW
GDI_E_IN_CR
A1
RW
OSC_CR1
E1
RW
DBC00OU
22
RW
ABF_CR0
62
RW
GDI_O_OU_CR
A2
RW
OSC_CR2
E2
RW
DBC00CR1
23
RW
AMD_CR0
63
RW
GDI_E_OU_CR
A3
RW
VLT_CR
E3
RW
DBC01FN
24
RW
CMP_GO_EN
64
RW
RTC_H
A4
RW
VLT_CMP
E4
RW
DBC01IN
25
RW
RTC_M
A5
RW
ADC0_TR
E5
RW
DBC01OU
26
RW
AMD_CR1
66
RW
RTC_S
A6
RW
ADC1_TR
E6
RW
DBC01CR1
27
RW
ALT_CR0
67
RW
RTC_CR
A7
RW
IDAC_CR2
E7
RW
DCC02FN
28
RW
SADC_CR0
A8
RW
IMO_TR
E8
RW
DCC02IN
29
RW
CLK_CR2
69
RW
SADC_CR1
A9
RW
ILO_TR
E9
RW
DCC02OU
2A
RW
AMUX_CFG1
6A
RW
SADC_CR2
AA
RW
BDG_TR
EA
RW
DCC02CR1
2B
RW
SADC_CR3
AB
RW
ECO_TR
EB
RW
DCC03FN
2C
RW
TMP_DR0
6C
RW
SADC_CR4
AC
RW
MUX_CR4
EC
RW
DCC03IN
2D
RW
TMP_DR1
6D
RW
I2C0_ADDR
AD
RW
MUX_CR5
ED
RW
DCC03OU
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
DCC03CR1
2F
RW
TMP_DR3
6F
RW
DBC10FN
30
RW
DBC10IN
31
RW
SADC_TSCR0
71
DBC10OU
32
RW
SADC_TSCR1
DBC10CR1
33
RW
ACE_AMD_CR0
DBC11FN
34
RW
DBC11IN
35
RW
ACE_AMX_IN
75
DBC11OU
36
RW
ACE_CMP_CR0
DBC11CR1
37
RW
ACE_CMP_CR1
DCC12FN
38
RW
DCC12IN
39
RW
RW
3A
RW
ACE_CMP_GI_EN
ACE_ALT_CR0
79
DCC12OU
7A
RW
DCC12CR1
3B
RW
ACE_ABF_CR0
7B
RW
DCC13FN
3C
RW
DCC13IN
3D
RW
ACE0_CR1
7D
RW
DCC13OU
3E
RW
ACE0_CR2
7E
DCC13CR1
3F
RW
ACE0_CR3
7F
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
65
68
6B
AE
EE
AMUX_CLK
AF
RW
EF
RDI0RI
B0
RW
F0
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
73
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
RDI0LT1
B4
RW
F4
RW
RDI0RO0
B5
RW
F5
76
RW
RDI0RO1
B6
RW
77
RW
RDIODSM
B7
RW
RDI1RI
B8
RW
RDI1SYN
B9
RW
RDI1IS
BA
RW
RDI1LT0
BB
RW
RDI1LT1
BC
RW
RDI1RO0
BD
RW
IDAC_CR0
FD
RW
RW
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
RW
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
70
74
78
7C
# 访问是针对位进行的。
F6
CPU_F
F7
RL
F8
F9
FLS_PR1
FA
RW
FB
FC
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
页 26/85
CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 16. CY8C28x43 寄存器映射组 0 表：用户空间
地址 （0，十
六进制）
00
访问
名称
DBC20DR0
#
ASC10CR0
地址 （0，十
六进制）
80
访问
RW
地址 （0，十
六进制）
40
访问
PRT0DR
RW
RDI2RI
PRT0IE
01
RW
DBC20DR1
41
W
ASC10CR1
81
RW
PRT0GS
02
RW
DBC20DR2
42
RW
ASC10CR2
82
PRT0DM2
03
RW
DBC20CR0
43
#
ASC10CR3
PRT1DR
04
RW
DBC21DR0
44
#
PRT1IE
05
RW
DBC21DR1
45
PRT1GS
06
RW
DBC21DR2
PRT1DM2
07
RW
PRT2DR
08
PRT2IE
PRT2GS
名称
地址 （0，十
六进制）
C0
访问
RDI2SYN
C1
RW
RW
RDI2IS
C2
RW
83
RW
RDI2LT0
C3
RW
ASD11CR0
84
RW
RDI2LT1
C4
RW
W
ASD11CR1
85
RW
RDI2RO0
C5
RW
46
RW
ASD11CR2
86
RW
RDI2RO1
C6
RW
DBC21CR0
47
#
ASD11CR3
87
RW
RDI2DSM
C7
RW
RW
DCC22DR0
48
#
ASC12CR0
88
RW
09
RW
DCC22DR1
49
W
ASC12CR1
89
RW
C9
0A
RW
DCC22DR2
4A
RW
ASC12CR2
8A
RW
CA
名称
名称
RW
C8
PRT2DM2
0B
RW
DCC22CR0
4B
#
ASC12CR3
8B
RW
CB
PRT3DR
0C
RW
DCC23DR0
4C
#
ASD13CR0
8C
RW
CC
PRT3IE
0D
RW
DCC23DR1
4D
W
ASD13CR1
8D
RW
CD
PRT3GS
0E
RW
DCC23DR2
4E
RW
ASD13CR2
8E
RW
CE
PRT3DM2
0F
RW
DCC23CR0
4F
#
ASD13CR3
8F
RW
PRT4DR
10
RW
50
ASD20CR0
90
RW
CUR_PP
D0
RW
PRT4IE
11
RW
51
ASD20CR1
91
RW
STK_PP
D1
RW
PRT4GS
12
RW
52
ASD20CR2
92
RW
PRT4DM2
13
RW
53
ASD20CR3
93
RW
IDX_PP
D3
RW
PRT5DR
14
RW
54
ASC21CR0
94
RW
MVR_PP
D4
RW
PRT5IE
15
RW
55
ASC21CR1
95
RW
MVW_PP
D5
RW
PRT5GS
16
RW
56
ASC21CR2
96
RW
I2C0_CFG
D6
RW
PRT5DM2
17
RW
57
ASC21CR3
97
RW
I2C0_SCR
D7
#
58
ASD22CR0
98
RW
I2C0_DR
D8
RW
19
59
ASD22CR1
99
RW
I2C0_MSCR
D9
#
1A
5A
ASD22CR2
9A
RW
INT_CLR0
DA
RW
18
CF
D2
1B
5B
ASD22CR3
9B
RW
INT_CLR1
DB
RW
1C
5C
ASC23CR0
9C
RW
INT_CLR2
DC
RW
1D
5D
ASC23CR1
9D
RW
INT_CLR3
DD
RW
1E
5E
ASC23CR2
9E
RW
INT_MSK3
DE
RW
1F
5F
ASC23CR3
9F
RW
INT_MSK2
DF
RW
DBC00DR0
20
#
AMX_IN
60
RW
DEC0_DH
A0
RC
INT_MSK0
E0
RW
DBC00DR1
DBC00DR2
21
W
AMUX_CFG
61
RW
DEC0_DL
A1
RC
INT_MSK1
E1
RW
22
RW
CLK_CR3
62
RW
DEC1_DH
A2
RC
INT_VC
E2
RC
DBC00CR0
23
#
ARF_CR
63
RW
DEC1_DL
A3
RC
RES_WDT
E3
W
DBC01DR0
24
#
CMP_CR0
64
#
DEC2_DH
A4
RC
I2C1_SCR
E4
#
DBC01DR1
25
W
ASY_CR
65
#
DEC2_DL
A5
RC
I2C1_MSCR
E5
#
DBC01DR2
26
RW
CMP_CR1
66
RW
DEC3_DH
A6
RC
DEC_CR0*
E6
RW
DBC01CR0
27
#
I2C1_DR
67
RW
DEC3_DL
A7
RC
DEC_CR1*
E7
RW
DCC02DR0
28
#
68
MUL1_X
A8
W
MUL0_X
E8
W
DCC02DR1
29
W
69
MUL1_Y
A9
W
MUL0_Y
E9
W
DCC02DR2
2A
RW
SADC_DH
6A
RW
MUL1_DH
AA
R
MUL0_DH
EA
R
DCC02CR0
2B
#
SADC_DL
6B
RW
MUL1_DL
AB
R
MUL0_DL
EB
R
DCC03DR0
2C
#
TMP_DR0
6C
RW
ACC1_DR1
AC
RW
ACC0_DR1
EC
RW
DCC03DR1
2D
W
TMP_DR1
6D
RW
ACC1_DR0
AD
RW
ACC0_DR0
ED
RW
DCC03DR2
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
ACC1_DR3
AE
RW
ACC0_DR3
EE
RW
DCC03CR0
2F
#
TMP_DR3
6F
RW
ACC1_DR2
AF
RW
ACC0_DR2
EF
RW
DBC10DR0
30
#
ACB00CR3
70
RW
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10DR1
31
W
ACB00CR0
71
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10DR2
32
RW
ACB00CR1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR0
33
#
ACB00CR2
73
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11DR0
34
#
ACB01CR3
74
RW
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11DR1
35
W
ACB01CR0
75
RW
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11DR2
36
RW
ACB01CR1
76
RW
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR0
37
#
ACB01CR2
77
RW
RDI0DSM
B7
RW
DCC12DR0
38
#
ACB02CR3
78
RW
RDI1RI
B8
RW
F6
CPU_F
F7
RL
F8
DCC12DR1
39
W
ACB02CR0
79
RW
RDI1SYN
B9
RW
F9
DCC12DR2
3A
RW
ACB02CR1
7A
RW
RDI1IS
BA
RW
FA
DCC12CR0
3B
#
ACB02CR2
7B
RW
RDI1LT0
BB
RW
FB
DCC13DR0
3C
#
ACB03CR3
7C
RW
RDI1LT1
BC
RW
FC
DCC13DR1
3D
W
ACB03CR0
7D
RW
RDI1RO0
BD
RW
DCC13DR2
3E
RW
ACB03CR1
7E
RW
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR0
3F
#
ACB03CR2
7F
RW
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
# 访问是针对位进行的。
FD
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 17. CY8C28x43 寄存器映射组 1 表：配置空间
名称
PRT0DM0
地址 （1，十六进制） 访问
00
RW
名称
DBC20FN
地址 （1，十六进制） 访问
40
RW
名称
地址 （1，十六进制） 访问
80
名称
RDI2RI
地址 （1，十六进制） 访问
C0
RW
PRT0DM1
01
RW
DBC20IN
41
RW
SADC_TSCMPL
81
RW
RDI2SYN
C1
RW
PRT0IC0
02
RW
DBC20OU
42
RW
SADC_TSCMPH
82
RW
RDI2IS
C2
RW
PRT0IC1
03
RW
DBC20CR1
43
RW
83
RDI2LT0
C3
RW
PRT1DM0
04
RW
DBC21FN
44
RW
84
RDI2LT1
C4
RW
PRT1DM1
05
RW
DBC21IN
45
RW
85
RDI2RO0
C5
RW
PRT1IC0
06
RW
DBC21OU
46
RW
86
RDI2RO1
C6
RW
PRT1IC1
07
RW
DBC21CR1
47
RW
87
RDI2DSM
C7
RW
PRT2DM0
08
RW
DCC22FN
48
RW
88
PRT2DM1
09
RW
DCC22IN
49
RW
89
C9
PRT2IC0
0A
RW
DCC22OU
4A
RW
8A
CA
C8
PRT2IC1
0B
RW
DCC22CR1
4B
RW
8B
CB
PRT3DM0
0C
RW
DCC23FN
4C
RW
8C
CC
PRT3DM1
0D
RW
DCC23IN
4D
RW
8D
CD
PRT3IC0
0E
RW
DCC23OU
4E
RW
8E
CE
PRT3IC1
0F
RW
DCC23CR1
4F
RW
8F
PRT4DM0
10
RW
50
PRT4DM1
11
RW
51
DEC0_CR0
91
PRT4IC0
12
RW
52
DEC_CR3
92
PRT4IC1
13
RW
53
PRT5DM0
14
RW
54
PRT5DM1
15
RW
55
DEC1_CR0
95
PRT5IC0
16
RW
56
DEC_CR4
96
PRT5IC1
17
RW
57
18
58
19
59
DEC2_CR0
99
1A
5A
DEC_CR5
9A
1B
5B
9B
1C
5C
9C
1D
5D
OSC_GO_EN
DD
RW
1E
5E
9E
OSC_CR4
DE
RW
1F
5F
9F
OSC_CR3
DF
RW
CF
90
DEC3_CR0
GDI_O_IN
D0
RW
RW
GDI_E_IN
D1
RW
RW
GDI_O_OU
D2
RW
93
GDI_E_OU
D3
RW
94
DEC0_CR
D4
RW
RW
DEC1_CR
D5
RW
RW
DEC2_CR
D6
RW
97
DEC3_CR
D7
RW
98
MUX_CR0
D8
RW
RW
MUX_CR1
D9
RW
RW
MUX_CR2
DA
RW
MUX_CR3
DB
RW
9D
DC
RW
DBC00FN
20
RW
CLK_CR0
60
RW
GDI_O_IN_CR
A0
RW
OSC_CR0
E0
RW
DBC00IN
21
RW
CLK_CR1
61
RW
GDI_E_IN_CR
A1
RW
OSC_CR1
E1
RW
DBC00OU
22
RW
ABF_CR0
62
RW
GDI_O_OU_CR
A2
RW
OSC_CR2
E2
RW
DBC00CR1
23
RW
AMD_CR0
63
RW
GDI_E_OU_CR
A3
RW
VLT_CR
E3
RW
DBC01FN
24
RW
CMP_GO_EN
64
RW
RTC_H
A4
RW
VLT_CMP
E4
RW
DBC01IN
25
RW
CMP_GO_EN1
65
RW
RTC_M
A5
RW
E5
DBC01OU
26
RW
AMD_CR1
66
RW
RTC_S
A6
RW
E6
DBC01CR1
27
RW
ALT_CR0
67
RW
RTC_CR
A7
RW
DCC02FN
28
RW
ALT_CR1
68
RW
SADC_CR0
A8
RW
IMO_TR
E8
RW
DCC02IN
29
RW
CLK_CR2
69
RW
SADC_CR1
A9
RW
ILO_TR
E9
RW
DCC02OU
2A
RW
AMUX_CFG1
6A
RW
SADC_CR2
AA
RW
BDG_TR
EA
RW
DCC02CR1
2B
RW
I2C1_CFG
6B
RW
SADC_CR3
AB
RW
ECO_TR
EB
RW
DCC03FN
2C
RW
TMP_DR0
6C
RW
SADC_CR4
AC
RW
MUX_CR4
EC
RW
DCC03IN
2D
RW
TMP_DR1
6D
RW
I2C0_ADDR
AD
RW
MUX_CR5
ED
RW
DCC03OU
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
I2C1_ADDR
AE
RW
EE
DCC03CR1
2F
RW
TMP_DR3
6F
RW
AMUX_CLK
AF
RW
EF
DBC10FN
30
RW
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10IN
31
RW
SADC_TSCR0
71
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10OU
32
RW
SADC_TSCR1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR1
33
RW
73
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11FN
34
RW
74
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11IN
35
RW
75
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11OU
36
RW
76
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR1
37
RW
77
RDIODSM
B7
RW
DCC12FN
38
RW
78
RDI1RI
B8
RW
DCC12IN
39
RW
79
RDI1SYN
B9
RW
DCC12OU
3A
RW
7A
RDI1IS
BA
RW
DCC12CR1
3B
RW
7B
RDI1LT0
BB
RW
FB
DCC13FN
3C
RW
7C
RDI1LT1
BC
RW
FC
DCC13IN
3D
RW
7D
RDI1RO0
BD
RW
DCC13OU
3E
RW
7E
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR1
3F
RW
7F
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
70
# 访问是针对位进行的。
E7
F6
CPU_F
F7
RL
F8
F9
FLS_PR1
FA
RW
FD
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
页 28/85
CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 18. CY8C28x45 寄存器映射组 0 表：用户空间
地址 （0，十
六进制）
00
访问
名称
DBC20DR0
#
ASC10CR0
地址 （0，十
六进制）
80
访问
RW
地址 （0，十
六进制）
40
访问
PRT0DR
RW
RDI2RI
PRT0IE
01
RW
DBC20DR1
41
W
ASC10CR1
81
RW
PRT0GS
02
RW
DBC20DR2
42
RW
ASC10CR2
82
PRT0DM2
03
RW
DBC20CR0
43
#
ASC10CR3
PRT1DR
04
RW
DBC21DR0
44
#
PRT1IE
05
RW
DBC21DR1
45
PRT1GS
06
RW
DBC21DR2
PRT1DM2
07
RW
PRT2DR
08
PRT2IE
PRT2GS
名称
地址 （0，十
六进制）
C0
访问
RDI2SYN
C1
RW
RW
RDI2IS
C2
RW
83
RW
RDI2LT0
C3
RW
ASD11CR0
84
RW
RDI2LT1
C4
RW
W
ASD11CR1
85
RW
RDI2RO0
C5
RW
46
RW
ASD11CR2
86
RW
RDI2RO1
C6
RW
DBC21CR0
47
#
ASD11CR3
87
RW
RDI2DSM
C7
RW
RW
DCC22DR0
48
#
ASC12CR0
88
RW
09
RW
DCC22DR1
49
W
ASC12CR1
89
RW
C9
0A
RW
DCC22DR2
4A
RW
ASC12CR2
8A
RW
CA
名称
名称
RW
C8
PRT2DM2
0B
RW
DCC22CR0
4B
#
ASC12CR3
8B
RW
CB
PRT3DR
0C
RW
DCC23DR0
4C
#
ASD13CR0
8C
RW
CC
PRT3IE
0D
RW
DCC23DR1
4D
W
ASD13CR1
8D
RW
CD
PRT3GS
0E
RW
DCC23DR2
4E
RW
ASD13CR2
8E
RW
CE
PRT3DM2
0F
RW
DCC23CR0
4F
#
ASD13CR3
8F
RW
PRT4DR
10
RW
50
ASD20CR0
90
RW
CUR_PP
D0
RW
PRT4IE
11
RW
51
ASD20CR1
91
RW
STK_PP
D1
RW
PRT4GS
12
RW
52
ASD20CR2
92
RW
PRT4DM2
13
RW
53
ASD20CR3
93
RW
IDX_PP
D3
RW
PRT5DR
14
RW
54
ASC21CR0
94
RW
MVR_PP
D4
RW
PRT5IE
15
RW
55
ASC21CR1
95
RW
MVW_PP
D5
RW
PRT5GS
16
RW
56
ASC21CR2
96
RW
I2C0_CFG
D6
RW
PRT5DM2
17
RW
57
ASC21CR3
97
RW
I2C0_SCR
D7
#
58
ASD22CR0
98
RW
I2C0_DR
D8
RW
19
59
ASD22CR1
99
RW
I2C0_MSCR
D9
#
1A
5A
ASD22CR2
9A
RW
INT_CLR0
DA
RW
18
CF
D2
1B
5B
ASD22CR3
9B
RW
INT_CLR1
DB
RW
1C
5C
ASC23CR0
9C
RW
INT_CLR2
DC
RW
1D
5D
ASC23CR1
9D
RW
INT_CLR3
DD
RW
1E
5E
ASC23CR2
9E
RW
INT_MSK3
DE
RW
1F
5F
ASC23CR3
9F
RW
INT_MSK2
DF
RW
DBC00DR0
20
#
AMX_IN
60
RW
DEC0_DH
A0
RC
INT_MSK0
E0
RW
DBC00DR1
DBC00DR2
21
W
AMUX_CFG
61
RW
DEC0_DL
A1
RC
INT_MSK1
E1
RW
22
RW
CLK_CR3
62
RW
DEC1_DH
A2
RC
INT_VC
E2
RC
DBC00CR0
23
#
ARF_CR
63
RW
DEC1_DL
A3
RC
RES_WDT
E3
W
DBC01DR0
24
#
CMP_CR0
64
#
DEC2_DH
A4
RC
I2C1_SCR
E4
#
DBC01DR1
25
W
ASY_CR
65
#
DEC2_DL
A5
RC
I2C1_MSCR
E5
#
DBC01DR2
26
RW
CMP_CR1
66
RW
DEC3_DH
A6
RC
DEC_CR0*
E6
RW
DBC01CR0
27
#
I2C1_DR
67
RW
DEC3_DL
A7
RC
DEC_CR1*
E7
RW
DCC02DR0
28
#
68
MUL1_X
A8
W
MUL0_X
E8
W
DCC02DR1
29
W
69
MUL1_Y
A9
W
MUL0_Y
E9
W
DCC02DR2
2A
RW
SADC_DH
6A
RW
MUL1_DH
AA
R
MUL0_DH
EA
R
DCC02CR0
2B
#
SADC_DL
6B
RW
MUL1_DL
AB
R
MUL0_DL
EB
R
DCC03DR0
2C
#
TMP_DR0
6C
RW
ACC1_DR1
AC
RW
ACC0_DR1
EC
RW
DCC03DR1
2D
W
TMP_DR1
6D
RW
ACC1_DR0
AD
RW
ACC0_DR0
ED
RW
DCC03DR2
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
ACC1_DR3
AE
RW
ACC0_DR3
EE
RW
DCC03CR0
2F
#
TMP_DR3
6F
RW
ACC1_DR2
AF
RW
ACC0_DR2
EF
RW
DBC10DR0
30
#
ACB00CR3
70
RW
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10DR1
31
W
ACB00CR0
71
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10DR2
32
RW
ACB00CR1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR0
33
#
ACB00CR2
73
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11DR0
34
#
ACB01CR3
74
RW
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11DR1
35
W
ACB01CR0
75
RW
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11DR2
36
RW
ACB01CR1
76
RW
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR0
37
#
ACB01CR2
77
RW
RDI0DSM
B7
RW
DCC12DR0
38
#
ACB02CR3
78
RW
RDI1RI
B8
RW
F6
CPU_F
F7
RL
F8
DCC12DR1
39
W
ACB02CR0
79
RW
RDI1SYN
B9
RW
F9
DCC12DR2
3A
RW
ACB02CR1
7A
RW
RDI1IS
BA
RW
FA
DCC12CR0
3B
#
ACB02CR2
7B
RW
RDI1LT0
BB
RW
DCC13DR0
3C
#
ACB03CR3
7C
RW
RDI1LT1
BC
RW
DAC1_D
FC
RW
DCC13DR1
3D
W
ACB03CR0
7D
RW
RDI1RO0
BD
RW
DAC0_D
FD
RW
DCC13DR2
3E
RW
ACB03CR1
7E
RW
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR0
3F
#
ACB03CR2
7F
RW
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
# 访问是针对位进行的。
FB
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 19. CY8C28x45 寄存器映射组 1 表：配置空间
名称
PRT0DM0
地址 （1，十六进制）
00
访问
RW
名称
DBC20FN
地址 （1，十六进制） 访问
40
RW
名称
地址 （1，十六进制） 访问
80
RW
PRT0DM1
01
RW
DBC20IN
41
RW
SADC_TSCMPL
81
RW
RDI2SYN
C1
RW
PRT0IC0
02
RW
DBC20OU
42
RW
SADC_TSCMPH
82
RW
RDI2IS
C2
RW
PRT0IC1
03
RW
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43
RW
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83
RW
RDI2LT0
C3
RW
PRT1DM0
04
RW
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44
RW
84
RW
RDI2LT1
C4
RW
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05
RW
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RW
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85
RW
RDI2RO0
C5
RW
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06
RW
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RW
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86
RW
RDI2RO1
C6
RW
PRT1IC1
07
RW
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RW
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RW
RDI2DSM
C7
RW
PRT2DM0
08
RW
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48
RW
88
RW
PRT2DM1
09
RW
DCC22IN
49
RW
ACE_CLK_CR0
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RW
C9
PRT2IC0
0A
RW
DCC22OU
4A
RW
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8A
RW
CA
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0B
RW
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4B
RW
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0C
RW
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4C
RW
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0D
RW
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4D
RW
PRT3IC0
0E
RW
DCC23OU
4E
RW
PRT3IC1
0F
RW
DCC23CR1
4F
RW
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RW
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PRT4DM1
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RW
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PRT4IC0
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RW
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DEC_CR3
92
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RW
53
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RW
54
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15
RW
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RW
57
18
58
19
59
DEC2_CR0
99
1A
5A
DEC_CR5
9A
1B
5B
1C
5C
1D
5D
1E
5E
9E
1F
5F
9F
名称
RDI2RI
地址 （1，十六进制） 访问
C0
RW
C8
8B
RW
CB
8C
RW
CC
ACE01CR1
8D
RW
CD
ACE01CR2
8E
RW
CE
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8F
RW
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RW
RW
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RW
RW
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D2
RW
93
GDI_E_OU
D3
RW
94
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D4
RW
RW
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D5
RW
RW
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DEC3_CR
D7
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D8
RW
RW
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D9
RW
RW
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RW
9B
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RW
9C
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DC
RW
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DD
RW
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DE
RW
OSC_CR3
DF
RW
9D
RW
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20
RW
CLK_CR0
60
RW
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A0
RW
OSC_CR0
E0
RW
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21
RW
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RW
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A1
RW
OSC_CR1
E1
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22
RW
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RW
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RW
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E2
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23
RW
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63
RW
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RW
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E3
RW
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24
RW
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RW
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RW
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E4
RW
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25
RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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RW
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29
RW
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69
RW
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RW
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E9
RW
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2A
RW
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RW
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AA
RW
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RW
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2B
RW
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6B
RW
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RW
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EB
RW
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2C
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RW
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RW
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6D
RW
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RW
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RW
DCC03OU
2E
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6E
RW
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RW
EE
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2F
RW
TMP_DR3
6F
RW
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RW
EF
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RW
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RW
F0
DBC10IN
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RW
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RW
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B1
RW
F1
DBC10OU
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RW
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR1
33
RW
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73
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
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34
RW
RDI0LT1
B4
RW
F4
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RW
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B5
RW
F5
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B6
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B7
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38
RW
RDI1RI
B8
RW
DCC12IN
39
RW
RW
RDI1SYN
B9
RW
3A
RW
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79
DCC12OU
7A
RW
RDI1IS
BA
RW
DCC12CR1
3B
RW
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7B
RW
RDI1LT0
BB
RW
DCC13FN
3C
RW
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BC
RW
DCC13IN
3D
RW
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7D
RW
RDI1RO0
BD
RW
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FD
DCC13OU
3E
RW
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BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR1
3F
RW
ACE0_CR3
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RW
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
70
74
78
7C
# 访问是针对位进行的。
F6
CPU_F
F7
RL
F8
F9
FLS_PR1
FA
RW
FB
FC
RW
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
页 30/85
CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 20. CY8C28x52 寄存器映射组 0 表：用户空间
地址 （0，十
六进制）
00
访问
PRT0DR
RW
地址 （0，十
六进制）
40
地址 （0，十
六进制）
80
访问
ASC10CR0
RW
地址 （0，十
六进制）
C0
PRT0IE
01
RW
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02
RW
41
ASC10CR1
81
RW
C1
42
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82
RW
PRT0DM2
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C2
RW
43
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RW
PRT1DR
C3
04
RW
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ASD11CR0
84
RW
C4
PRT1IE
05
RW
45
ASD11CR1
85
RW
C5
PRT1GS
06
RW
46
ASD11CR2
86
RW
C6
PRT1DM2
07
RW
47
ASD11CR3
87
RW
C7
PRT2DR
08
RW
48
ASC12CR0
88
RW
C8
PRT2IE
09
RW
49
ASC12CR1
89
RW
C9
PRT2GS
0A
RW
4A
ASC12CR2
8A
RW
CA
名称
名称
访问
名称
名称
访问
PRT2DM2
0B
RW
4B
ASC12CR3
8B
RW
CB
PRT3DR
0C
RW
4C
ASD13CR0
8C
RW
CC
PRT3IE
0D
RW
4D
ASD13CR1
8D
RW
CD
PRT3GS
0E
RW
4E
ASD13CR2
8E
RW
CE
PRT3DM2
0F
RW
4F
ASD13CR3
8F
RW
PRT4DR
10
RW
50
ASD20CR0
90
RW
CUR_PP
D0
RW
PRT4IE
11
RW
51
ASD20CR1
91
RW
STK_PP
D1
RW
PRT4GS
12
RW
52
ASD20CR2
92
RW
PRT4DM2
13
RW
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ASD20CR3
93
RW
IDX_PP
D3
RW
PRT5DR
14
RW
54
ASC21CR0
94
RW
MVR_PP
D4
RW
PRT5IE
15
RW
55
ASC21CR1
95
RW
MVW_PP
D5
RW
PRT5GS
16
RW
56
ASC21CR2
96
RW
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D6
RW
PRT5DM2
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RW
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RW
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D7
#
58
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98
RW
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D8
RW
19
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RW
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D9
#
1A
5A
ASD22CR2
9A
RW
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DA
RW
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CF
D2
1B
5B
ASD22CR3
9B
RW
INT_CLR1
DB
RW
1C
5C
ASC23CR0
9C
RW
INT_CLR2
DC
RW
1D
5D
ASC23CR1
9D
RW
INT_CLR3
DD
RW
1E
5E
ASC23CR2
9E
RW
INT_MSK3
DE
RW
1F
5F
ASC23CR3
9F
RW
INT_MSK2
DF
RW
DBC00DR0
20
#
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60
RW
DEC0_DH
A0
RC
INT_MSK0
E0
RW
DBC00DR1
DBC00DR2
21
W
AMUX_CFG
61
RW
DEC0_DL
A1
RC
INT_MSK1
E1
RW
22
RW
CLK_CR3
62
RW
DEC1_DH
A2
RC
INT_VC
E2
RC
DBC00CR0
23
#
ARF_CR
63
RW
DEC1_DL
A3
RC
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E3
W
DBC01DR0
24
#
CMP_CR0
64
#
DEC2_DH
A4
RC
DBC01DR1
25
W
ASY_CR
65
#
DEC2_DL
A5
RC
DBC01DR2
26
RW
CMP_CR1
66
RW
DEC3_DH
A6
RC
DEC_CR0*
E6
RW
DBC01CR0
27
#
67
DEC3_DL
A7
RC
DEC_CR1*
E7
RW
DCC02DR0
28
#
68
MUL1_X
A8
W
MUL0_X
E8
W
DCC02DR1
29
W
69
MUL1_Y
A9
W
MUL0_Y
E9
W
DCC02DR2
2A
RW
6A
MUL1_DH
AA
R
MUL0_DH
EA
R
DCC02CR0
2B
#
6B
MUL1_DL
AB
R
MUL0_DL
EB
R
DCC03DR0
2C
#
TMP_DR0
6C
RW
ACC1_DR1
AC
RW
ACC0_DR1
EC
RW
DCC03DR1
2D
W
TMP_DR1
6D
RW
ACC1_DR0
AD
RW
ACC0_DR0
ED
RW
DCC03DR2
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
ACC1_DR3
AE
RW
ACC0_DR3
EE
RW
DCC03CR0
2F
#
TMP_DR3
6F
RW
ACC1_DR2
AF
RW
ACC0_DR2
EF
RW
DBC10DR0
30
#
ACB00CR3
70
RW
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10DR1
31
W
ACB00CR0
71
RW
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10DR2
32
RW
ACB00CR1
72
RW
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR0
33
#
ACB00CR2
73
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11DR0
34
#
ACB01CR3
74
RW
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11DR1
35
W
ACB01CR0
75
RW
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11DR2
36
RW
ACB01CR1
76
RW
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR0
37
#
ACB01CR2
77
RW
RDI0DSM
B7
RW
DCC12DR0
38
#
ACB02CR3
78
RW
RDI1RI
B8
RW
E4
E5
F6
CPU_F
F7
RL
F8
DCC12DR1
39
W
ACB02CR0
79
RW
RDI1SYN
B9
RW
F9
DCC12DR2
3A
RW
ACB02CR1
7A
RW
RDI1IS
BA
RW
FA
DCC12CR0
3B
#
ACB02CR2
7B
RW
RDI1LT0
BB
RW
DCC13DR0
3C
#
ACB03CR3
7C
RW
RDI1LT1
BC
RW
DAC1_D
FC
RW
DCC13DR1
3D
W
ACB03CR0
7D
RW
RDI1RO0
BD
RW
DAC0_D
FD
RW
DCC13DR2
3E
RW
ACB03CR1
7E
RW
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR0
3F
#
ACB03CR2
7F
RW
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
# 访问是针对位进行的。
FB
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 21. CY8C28x52 寄存器映射组 1 表：配置空间
名称
PRT0DM0
地址 （1，十六进制） 访问
00
RW
名称
地址 （1，十六进制） 访问
40
名称
地址 （1，十六进制） 访问
80
名称
地址 （1，十六进制） 访问
C0
PRT0DM1
01
RW
41
81
PRT0IC0
02
RW
42
82
PRT0IC1
03
RW
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PRT1DM0
04
RW
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PRT1DM1
05
RW
45
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85
RW
C5
PRT1IC0
06
RW
46
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86
RW
C6
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07
RW
47
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87
RW
C7
PRT2DM0
08
RW
48
PRT2DM1
09
RW
49
ACE_CLK_CR0
89
RW
C9
PRT2IC0
0A
RW
4A
ACE_CLK_CR1
8A
RW
CA
ACE_CLK_CR3
8B
RW
ACE_AMD_CR1
83
C1
C2
RW
C3
84
C4
88
C8
PRT2IC1
0B
RW
4B
PRT3DM0
0C
RW
4C
CB
PRT3DM1
0D
RW
4D
ACE01CR1
8D
RW
CD
PRT3IC0
0E
RW
4E
ACE01CR2
8E
RW
CE
PRT3IC1
0F
RW
4F
ASE11CR0
8F
RW
PRT4DM0
10
RW
50
PRT4DM1
11
RW
51
DEC0_CR0
91
PRT4IC0
12
RW
52
DEC_CR3
92
PRT4IC1
13
RW
53
PRT5DM0
14
RW
54
PRT5DM1
15
RW
55
DEC1_CR0
95
PRT5IC0
16
RW
56
DEC_CR4
96
PRT5IC1
17
RW
57
18
58
19
59
DEC2_CR0
99
1A
5A
DEC_CR5
9A
1B
5B
1C
5C
1D
5D
1E
5E
9E
1F
5F
9F
8C
CC
90
DEC3_CR0
CF
GDI_O_IN
D0
RW
RW
GDI_E_IN
D1
RW
RW
GDI_O_OU
D2
RW
93
GDI_E_OU
D3
RW
94
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D4
RW
RW
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D5
RW
RW
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D6
RW
97
DEC3_CR
D7
RW
98
MUX_CR0
D8
RW
RW
MUX_CR1
D9
RW
RW
MUX_CR2
DA
RW
9B
MUX_CR3
DB
RW
9C
IDAC_CR1
DC
RW
OSC_GO_EN
DD
RW
OSC_CR4
DE
RW
OSC_CR3
DF
RW
9D
RW
DBC00FN
20
RW
CLK_CR0
60
RW
GDI_O_IN_CR
A0
RW
OSC_CR0
E0
RW
DBC00IN
21
RW
CLK_CR1
61
RW
GDI_E_IN_CR
A1
RW
OSC_CR1
E1
RW
DBC00OU
22
RW
ABF_CR0
62
RW
GDI_O_OU_CR
A2
RW
OSC_CR2
E2
RW
DBC00CR1
23
RW
AMD_CR0
63
RW
GDI_E_OU_CR
A3
RW
VLT_CR
E3
RW
DBC01FN
24
RW
CMP_GO_EN
64
RW
RTC_H
A4
RW
VLT_CMP
E4
RW
DBC01IN
25
RW
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65
RW
RTC_M
A5
RW
ADC0_TR
E5
RW
DBC01OU
26
RW
AMD_CR1
66
RW
RTC_S
A6
RW
ADC1_TR
E6
RW
DBC01CR1
27
RW
ALT_CR0
67
RW
RTC_CR
A7
RW
IDAC_CR2
E7
RW
DCC02FN
28
RW
ALT_CR1
68
RW
A8
IMO_TR
E8
RW
DCC02IN
29
RW
CLK_CR2
69
RW
A9
ILO_TR
E9
RW
DCC02OU
2A
RW
AMUX_CFG1
6A
RW
AA
BDG_TR
EA
RW
DCC02CR1
2B
RW
AB
ECO_TR
EB
RW
DCC03FN
2C
RW
TMP_DR0
6C
RW
AC
MUX_CR4
EC
RW
DCC03IN
2D
RW
TMP_DR1
6D
RW
MUX_CR5
ED
RW
DCC03OU
2E
RW
TMP_DR2
6E
RW
DCC03CR1
2F
RW
TMP_DR3
6F
RW
AMUX_CLK
AF
RW
EF
DBC10FN
30
RW
70
RDI0RI
B0
RW
F0
DBC10IN
31
RW
71
RDI0SYN
B1
RW
F1
DBC10OU
32
RW
72
RDI0IS
B2
RW
F2
DBC10CR1
33
RW
RDI0LT0
B3
RW
F3
DBC11FN
34
RW
RDI0LT1
B4
RW
F4
DBC11IN
35
RW
ACE_AMX_IN
75
RW
RDI0RO0
B5
RW
F5
DBC11OU
36
RW
ACE_CMP_CR0
76
RW
RDI0RO1
B6
RW
DBC11CR1
37
RW
ACE_CMP_CR1
77
RW
RDIODSM
B7
RW
DCC12FN
38
RW
RDI1RI
B8
RW
DCC12IN
39
RW
ACE_CMP_GI_EN
79
RW
RDI1SYN
B9
RW
DCC12OU
3A
RW
ACE_ALT_CR0
7A
RW
RDI1IS
BA
RW
DCC12CR1
3B
RW
ACE_ABF_CR0
7B
RW
RDI1LT0
BB
RW
DCC13FN
3C
RW
RDI1LT1
BC
RW
DCC13IN
3D
RW
ACE0_CR1
7D
RW
RDI1RO0
BD
RW
IDAC_CR0
FD
RW
DCC13OU
3E
RW
ACE0_CR2
7E
RW
RDI1RO1
BE
RW
CPU_SCR1
FE
#
DCC13CR1
3F
RW
ACE0_CR3
7F
RW
RDI1DSM
BF
RW
CPU_SCR0
FF
#
空白字段为保留字段，请勿访问这些字段。
文档编号：001-63461 版本 *D
6B
ACE_AMD_CR0
73
RW
74
78
7C
# 访问是针对位进行的。
I2C0_ADDR
AD
RW
AE
EE
F6
CPU_F
F7
RL
F8
F9
FLS_PR1
FA
RW
FB
FC
* 地址有双重用途，请参见第 251 页上的 “ 映射例外 ”
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
电气规范
本节介绍的是 CY8C28xxx PSoC 器件的直流和交流电气规范。如需最新的电气规范，请访问 http://www.cypress.com 网站，以确保
您拥有最新的数据手册。
除非另有说明，否则规范的适用温度是 –40 °C  TA  85 °C 且 TJ  100 °C。对于运行频率超过 12 MHz 的器件，该规范为：–40 °C
 TA  70 °C， TJ  82 °C。
图 8. 电压与 CPU 频率
5.25
lid ing
Va rat on
pe i
O Reg
4.75
Vdd Voltage
3.00
93 kHz
12 MHz
24 MHz
CPU Frequency
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
最大绝对额定值
表 22. 最大绝对额定值
符号
TSTG
说明
存放温度
TBAKETEMP 烘烤温度
tBAKETIME
烘烤时间
TA
VDD
VIO
VIOZ
IMIO
IMAIO
上电时的环境温度
相对于 VSS 的 VDD 供电电压
直流输入电压
应用于三态的直流电压
任意端口引脚的最大电流
被配置为模拟驱动器的任意端口引脚上输
入的最大电流
静电放电电压
闩锁电流
ESD
LU
最小值
-55
典型值
25
最大值
+100
单位
°C
–
125
请参见
封装标签
-40
-0.5
VSS – 0.5
VSS – 0.5
-25
-50
–
请参见
封装标签
72
小时
–
–
–
–
–
–
+85
+6.0
VDD + 0.5
VDD + 0.5
+50
+50
°C
V
V
V
mA
mA
2000
–
–
–
–
200
V
mA
最小值
-40
-40
典型值
–
–
最大值
+85
+100
o
注释
存放温度越高，数据保留时间越
短。推荐的存放温度为 +25°C ±
25°C。存放温度长期保持在
65°C 以上会降低可靠性。
C
人体模型 ESD。
工作温度
表 23. 工作温度
符号
TA
TJ
说明
环境温度
结温
文档编号：001-63461 版本 *D
单位
°C
°C
注释
从环境温度到结温的升温情况会
因封装不同而存在变化。请参见
第 72 页上的热阻。用户必须限制
功耗，以满足该要求。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流电气特性
直流芯片级规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，这些参数仅供设计指导之用。
表 24. 直流芯片级规范
符号
VDD
IDD
供电电压
供电电流
IDD3
供电电流
–
5
9
mA
IDDP
IMO = 6 MHz 且 SLIMO 模式 = 1 时的供电电流
–
2
3
mA
ISB
使用 POR、 LVD、睡眠定时器和 WDT 时的睡
眠 （模式）电流。 [12]
在高温条件下使用 POR、 LVD、睡眠定时器
和 WDT 时的睡眠 （模式）电流。 [12]
使用 POR、 LVD、睡眠定时器、 WDT 和外部
晶振时的睡眠 （模式）电流。 [12]
–
3
10
A
–
4
25
A
–
4
13
A
ISBXTLH 在高温条件下使用 POR、 LVD、睡眠定时器、
WDT 和外部晶振时的睡眠 （模式）电流。 [12]
–
5
26
A
–
0.5
1
A
1.280
–
-
1.300
0.65
0.4
1.320
3
1.5
V
mA
mA
ISBH
ISBXTL
说明
ISBRTC
在睡眠期间 RTC 消耗的电流
VREF
ISXRES
参考电压 （带隙）
XRES 置为 5 V 时的供电电流
XRES 置为 3.3 V 时的供电电流
最小值 典型值 最大值
3.00
–
5.25
–
8
14
单位
V
mA
注释
条件为 VDD = 5.0 V、 TA = 25°C、
CPU = 3 MHz、 SYSCLK 倍频器处于
禁用状态。 VC1 = 1.5 MHz、
VC2 = 93.75 kHz、VC3 = 93.75 kHz。
条件为 VDD = 3.3 V、 TA = 25°C、
CPU = 3 MHz、 SYSCLK 倍频器处于
禁用状态。 VC1 = 1.5 MHz、
VC2 = 93.75 kHz、VC3 = 93.75 kHz。
条件为 VDD = 3.3 V、 TA = 25 °C、
CPU = 0.75 MHz、SYSCLK 倍频器处
于禁用状态、VC1 = 0.375 MHz、VC2
= 23.44 kHz、 VC3 = 0.09 kHz。
条件为使用内部低速振荡器时，
VDD = 3.3 V、 –40°C TA  55 °C。
条件为使用内部低速振荡器时，
VDD = 3.3 V、 55 °C < TA  85 °C。
条件为使用具有适当负载且最大功耗
为 1 W 的 32.768 kHz 晶振。
VDD = 3.3 V、 –40 °C  TA  55 °C。
条件为使用具有适当负载且最大功耗
为 1 W 的 32.768 kHz 晶振。
VDD = 3.3 V、 55 °C < TA  85 °C。
在睡眠期间 RTC 消耗的额外电流。在
温度为 25 °C 且电流为 5 V 的条件下
得到额外电流的典型值。
已针对相应的 VDD 进行调整。
最大值是 XRES 之后的峰值电流；典
型值为稳态电流值。 TA = 25 °C。
注释：
12. 待机 （睡眠）电流包括实现可靠的系统操作所需的所有功能 （POR、 LVD、 WDT、睡眠定时器）。必须将该电流与拥有类似功能的器件的待机电流 进行比较。
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流 GPIO 规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，这些参数仅供设计指导之用。
表 25. 直流 GPIO 规范
符号
RPU
RPD
VOH
上拉电阻
下拉电阻
输出高电平
说明
最大值
8
8
–
单位
k
k
V
VOL
输出低电平
–
–
0.75
V
IOH
高电平拉电流
10
–
–
mA
IOL
低电平灌电流
25
–
–
mA
VIL
VIH
VH
IIL
CIN
COUT
输入低电平
输入高电平
输入迟滞
输入漏电流 （绝对值）
输入引脚上的电容负载
输出引脚上的电容负载
–
2.1
–
–
–
–
–
–
60
1
3.5
3.5
0.8
–
–
–
10
10
V
V
mV
nA
pF
pF
文档编号：001-63461 版本 *D
最小值
典型值
4
5.6
4
5.6
–
VDD – 1.0
注释
IOH = 10 mA，VDD = 4.75 到 5.25 V
（共 8 个负载，其中 4 个在偶数端
口引脚上 （如 P0[2]、 P1[4]），另
外 4 个在奇数端口引脚上 （如
P0[3]、 P1[5]））。最大总计为 80
mA 的 IOH 预算。
IOL = 25 mA，VDD = 4.75 到 5.25 V
（共 8 个负载，其中 4 个在偶数端
口引脚上 （如 P0[2]、 P1[4]），另
外 4 个在奇数端口引脚上 （如
P0[3]、 P1[5]））。最大总计为 150
mA 的 IOL 预算。
VOH = VDD – 1.0 V，请参见 VOH 注
释中的总电流的限制。
VOL = 0.75 V，请参见 VOL 注释中的
总电流限制。
VDD = 3.0 ~ 5.25 V。
VDD = 3.0 ~ 5.25 V。
粗略测试结果为 1 A。
取决于封装和引脚。温度 = 25 °C.
取决于封装和引脚。温度 = 25 °C.
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CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流运算放大器规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。这些规范所涵盖的运算放大器既是模拟连续
时间 PSoC 模块的组件，也是模拟开关电容 PSoC 模块的组件。许可的规范是在模拟连续时间 PSoC 模块中测得的。
表 26. 5 V 直流运算放大器规范
符号
VOSOACT
说明
输入偏移电压 CT 模块 （绝对值）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
VOSOA
输入偏移电压 SC 和 AGND 运算放大器
（绝对值）
TCVOSOA 平均输入偏移电压漂移
IEBOA
输入漏电流 （端口 0 模拟引脚）
CINOA
输入电容 （端口 0 模拟引脚）
VCMOA
共模电压范围
共模电压范围 （高功耗或高运算放大器偏压）
共模抑制比
功耗 = 低
功耗 = 中
功耗 = 高
GOLOA
开环增益
功耗 = 低
功耗 = 中
功耗 = 高
VOHIGHOA 输出高电平电压摆幅 （内部信号）
功耗 = 低
功耗 = 中
功耗 = 高
VOLOWOA 输出低电平电压摆幅 （内部信号）
功耗 = 低
功耗 = 中
功耗 = 高
ISOA
供电电流 （含相关的 AGND 缓冲区）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
PSRROA 供电电压抑制比
CMRROA
文档编号：001-63461 版本 *D
最小值
典型值
最大值
单位
–
–
–
–
1.6
1.3
1.2
1
8
8
8
6
mV
mV
mV
mV
–
–
–
7.0
200
4.5
0.0
0.5
–
–
60
60
60
–
–
–
–
–
–
dB
dB
dB
60
60
80
–
–
–
–
–
–
dB
dB
dB
VDD – 0.2
VDD – 0.2
VDD – 0.5
–
–
–
–
–
–
V
V
V
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.5
V
V
V
–
–
–
–
–
–
60
200
400
700
1400
2400
4600
–
300
600
1100
2000
3600
7700
–
A
A
A
A
A
A
dB
注释
适用于高和低的运算放大器偏
压。
V/°C
pA
粗略测试结果为 1 A。
pF
取决于封装和引脚。
温度 = 25 °C。
VDD
V
共模输入电压范围是通过模拟
VDD – 0.5
V
输出缓冲区测得的。该规范包
含了模拟输出缓冲区特性所造
成的限制。
35.0
–
9.5
VSS  VIN  （VDD – 2.25）或
（VDD – 1.25 V）  VIN 
VDD。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 27. 3.3 V 直流运算放大器规范
符号
VOSOACT
VOSOA
说明
输入偏移电压 CT 模块 （绝对值）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
输入偏移电压 SC 和 AGND （绝对值）
TCVOSOA 平均输入偏移电压漂移
IEBOA
输入漏电流 （端口 0 模拟引脚）
CINOA
输入电容 （端口 0 模拟引脚）
VCMOA
共模电压范围
CMRROA 共模抑制比
功耗 = 低
功耗 = 中
功耗 = 高
GOLOA
开环增益
功耗 = 低
功耗 = 中
功耗 = 高
VOHIGHOA 输出高电平电压摆幅 （内部信号）
功耗 = 低
功耗 = 中
功耗 = 高 （仅为 5 V）
VOLOWOA 输出低电平电压摆幅 （内部信号）
功耗 = 低
功耗 = 中
功耗 = 高
ISOA
供电电流 （含相关的 AGND 缓冲区）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
PSRROA
供电电压抑制比
文档编号：001-63461 版本 *D
最小值
典型值
最大值
单位
–
–
–
–
1.65
1.32
–
1
8
8
–
6
mV
mV
mV
mV
–
–
–
7.0
200
4.5
35.0
–
9.5
0.2
–
VDD – 0.2
50
50
50
–
–
–
–
–
–
dB
dB
dB
60
60
80
–
–
–
–
–
–
dB
dB
dB
VDD – 0.2
VDD – 0.2
VDD – 0.2
–
–
–
–
–
–
V
V
V
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
V
V
V
–
–
–
–
–
–
50
200
400
700
1400
2400
4600
80
300
600
1000
2000
3600
7500
–
A
A
A
A
A
A
dB
注释
适用于高和低的运算放大器偏
压。
V/°C
pA
粗略测试结果为 1 A。
pF
取决于封装和引脚。
温度 = 25 °C。
V
共模输入电压范围是通过模拟
输出缓冲区测得的。该规范包
括模拟输出缓冲区的特性所造
成的限制。
VSS  VIN （VDD – 2.25 V）或
（VDD – 1.25 V） VIN  VDD。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流 E 型运算放大器规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范 ：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。这些规范所涵盖的运算放大器是受限
E 型模拟 PSoC 模块的组件。
表 28. 5 V 直流 E 型运算放大器规范
符号
VOSOA
说明
输入偏移电压 （绝对值）
TCVOSOA 平均输入偏移电压漂移
IEBOA[13] 输入漏电流 （端口 0 模拟引脚）
CINOA
输入电容 （端口 0 模拟引脚）
VCMOA
ISOA
普通模式电压范围
放大器供电电流
最小值
–
典型值
2.5
最大值
15
单位
mV
–
2.5
20
mV
–
–
–
10
200
4.5
–
–
9.5
0.0
–
–
10
VDD
30
最小值
–
–
典型值
2.5
2.5
最大值
15
20
–
–
–
10
200
4.5
–
–
9.5
0
–
–
10
VDD
30
注意
在 0.2 V < VIN < VDD – 1.2 V 条件
下。
在 VIN = 0 - 0.2 V 且 VIN > VDD – 1.2
V 条件下。
V/°C
nA
粗略测试结果为 1 A。
pF
取决于封装和引脚。
温度 = 25 °C。
V
A
表 29. 3.3 V 直流 E 型运算放大器规范
符号
VOSOA
说明
输入偏移电压 （绝对值）
TCVOSOA 平均输入偏移电压漂移
IEBOA[13] 输入漏电流 （端口 0 模拟引脚）
CINOA
输入电容 （端口 0 模拟引脚）
VCMOA
ISOA
共模电压范围
放大器供电电流
单位
mV
mV
注释
在 0.2 V < VIN < VDD – 1.2 V 条件下。
在 VIN = 0 ~ 0.2 V 且
VIN > VDD – 1.2 V 条件下。
V/°C
nA
粗略测试结果为 1 A。
pF
取决于封装和引脚。
温度 = 25 °C。
V
A
直流低功耗比较器规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C、3.0 V 至 3.6 V 和 –40 °C 
TA  85 °C 或 2.4 V 至 3.0 V 和 –40 °C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 的情况，仅供设计指导之用。
表 30. 直流低功耗比较器规范
符号
VREFLPC
VOSLPC
ISLPC
说明
低功耗电压比较器 （LPC）的参考电压范
围
LPC 电压偏移
LPC 供电电流
最小值
0.2
典型值
–
最大值
VDD – 1
单位
V
–
–
2.5
10
30
40
mV
A
注意
注释：
13. 典型行为：端口 0 引脚 0 的 IEBOA 在温度为 25°C 时低于 1 nA ；在更高温度下会达到 50 nA。要实现最低漏电流 200 nA，请使用端口 0 引脚 1-7。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流模拟输出缓冲器规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范 ：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 31. 5 V 直流模拟输出缓冲区规范
符号
说明
CL
负载电容
VOSOB
TCVOSOB
VCMOB
ROUTOB
输入偏移电压 （绝对值）
平均输入偏移电压漂移
共模输入电压范围
输出阻抗
功耗 = 低
功耗 = 高
输出高电平电压摆幅
（负载 = 32 Ω ~ VDD/2）
功耗 = 低
功耗 = 高
输出低电平电压摆幅
（负载 = 32 Ω ~ VDD/2）
功耗 = 低
功耗 = 高
供电电流包含偏压单元
（无负载）
功耗 = 低
功耗 = 高
供电电压抑制比
VOHIGHOB
VOLOWOB
ISOB
PSRROB
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最小值
典型值
最大值
单位
–
–
200
pF
–
–
0.5
3
+6
–
12
20
VDD – 1.0
mV
V/°C
V
–
–
1
1
–
–
Ω
Ω
0.5 × VDD + 1.3
0.5 × VDD + 1.3
–
–
–
–
V
V
–
–
–
–
0.5 × VDD – 1.3
0.5 × VDD – 1.3
V
V
–
–
53
1.1
2.6
64
5.1
8.8
–
mA
mA
dB
注释
本规范适用于由模拟输出
缓冲器驱动的外部电路。
（0.5 × VDD – 1.0）
VOUT  （0.5 × VDD +
0.9）。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 32. 3.3 V 直流模拟输出缓冲区规范
符号
CL
说明
负载电容
输入偏移电压 （绝对值）
平均输入偏移电压漂移
共模输入电压范围
输出电阻
功耗 = 低
功耗 = 高
VOHIGHOB 输出高电平电压摆幅
（负载 = 1 k ~ VDD/2)
功耗 = 低
功耗 = 高
VOLOWOB 输出低电平电压摆幅
（负载 = 1 k ~ VDD/2)
功耗 = 低
功耗 = 高
ISOB
供电电流包含偏压单元 （无负载）
功耗 = 低
功耗 = 高
PSRROB 供电电压抑制比
VOSOB
TCVOSOB
VCMOB
ROUTOB
文档编号：001-63461 版本 *D
最小值
典型值
最大值
单位
注释
–
–
200
pF
本规范适用于由模拟输出缓
冲器驱动的外部电路。
–
–
0.5
3
+6
–
12
20
VDD – 1.0
mV
V/°C
V
–
–
1
1
–
–


0.5 × VDD + 1.0
0.5 × VDD + 1.0
–
–
–
–
V
V
–
–
–
–
0.5 × VDD – 1.0
0.5 × VDD – 1.0
V
V
–
–
47
0.8
2.0
64
2.0
4.3
–
mA
mA
dB
（0.5 × VDD – 1.0） VOUT
 （0.5 × VDD + 0.9）。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流开关电压泵规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 33. 直流开关电压泵 （SMP）规范
符号
VPUMP 5 V
5 V 输出电压
说明
最小值 典型值 最大值
4.75
5.0
5.25
VPUMP 3 V
3 V 输出电压
3.00
3.25
3.60
IPUMP
VBAT 5 V
可用输出电流
VBAT = 1.5 V， VPUMP = 3.25 V
VBAT = 1.8 V， VPUMP = 5.0 V
电池的输入电压范围
8
5
1.8
–
–
–
–
–
5.0
VBAT 3 V
电池的输入电压范围
1.5
–
3.3
VBATSTART
VPUMP_Line
电池的最小输入电压，用于启动泵
电压调节 （在 VBAT 范围内）
2.6
–
–
5
–
–
VPUMP_Load
负载调节
–
5
–
VPUMP_Ripple
E3
输出电压纹波 （取决于电容 / 负载）
效率
–
35
100
50
–
–
FPUMP
DCPUMP
切换频率
切换占空比
–
–
1.3
50
–
–
单位
V
注释
脚注中的配置。 [14] 平均值，忽略纹波。
SMP 触发电压被设置为 5.0 V。
V
脚注中的配置。 [14] 平均值，忽略纹波。
SMP 触发电压被设置为 3.25 V。
脚注中的配置。 [14]
mA SMP 触发电压被设置为 3.25 V。
mA SMP 触发电压被设置为 5.0 V。
V
脚注中的配置。 [14] SMP 触发电压被设置
为 5.0 V。
V
脚注中的配置。 [14]SMP 触发电压被设置
为 3.25 V。
V
脚注中的配置。 [14]
%VO 脚注中的配置。 [14] VO 是通过直流 POR
和 LVD 规范中 VM[2:0] 设置指定的
“PUMP 触发的 VDD 值 ” 第 52 页上的
表 40。
%VO 脚注中的配置。 [14] VO 是通过直流 POR
和 LVD 规范中 VM[2:0] 设置指定的
“PUMP 触发的 VDD 值 ” 第 52 页上的
表 40。
mVpp 脚注中的配置。 [14] 负载为 5 mA。
%
脚注中的配置。 [14] 负载为
5 mA。 SMP 触发电压被设置为 3.25 V。
MHz
%
图 9. 基本开关电压泵电路
D1
Vdd
L1
VBAT
+
VPUMP
C1
SMP
Battery
PSoCTM
Vss
注释：
14. L1 = 2 µH 电感， C1 = 10 µF 电容， D1 = 肖特基二极管。请参考 图 9。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流模拟参考规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范 ：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 至 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数的测量条件为 25 °C 下且电压为 5 V 或 3.3 V，这些参数仅供设计指导使用。
RefHI 和 RefLO 许可的规范是通过模拟连续时间 PSoC 模块测得的。RefHi 和 RefLo 的功耗级别是指模拟参考控制寄存器的功耗。在
AGND 旁路模式下，在 P2[4] 测量 AGND。每个模拟连接时间 PSoC 模块将最大值为 10 mV 的额外偏移误差添加到本地 AGND 缓冲
器所许可的 AGND 规范。除非另行规定，否则参考控制功耗可以设置为中或高。
注意：当使用由模拟参考决定的模拟源时，避免将 P2[4] 作为数字信号使用。 AGND 上可能出现数字信号的某些耦合。
表 34. 5 V 直流模拟参考规范
参考
ARF_CR
[5:3]
0b000
参考功耗设置
符号
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
参考电压
说明
最小值
典型值
最大值
单位
参考电压为高
AGND
VDD/2 + 带隙
VDD/2
VDD/2 + 1.214 VDD/2 + 1.279 VDD/2 + 1.341
VDD/2 – 0.018 VDD/2 – 0.004 VDD/2 + 0.01
V
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
VDD/2 – 带隙
VDD/2 – 1.328 VDD/2 – 1.301 VDD/2 – 1.273
V
VDD/2 + 带隙
VDD/2
VDD/2 + 0.228 VDD/2 + 1.284 VDD/2 + 1.344
VDD/2 – 0.015 VDD/2 – 0.002 VDD/2 + 0.011
V
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
V
V
VREFLO 参考电压为低
VDD/2 – 带隙
VDD/2 – 1.329 VDD/2 – 1.303 VDD/2 – 1.275
V
参考电压为高
AGND
VDD/2 + 带隙
VDD/2
VDD/2 + 1.224 VDD/2 + 1.287 VDD/2 + 1.345
VDD/2 – 0.014 VDD/2 – 0.001 VDD/2 + 0.012
V
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
VDD/2 – 带隙
VDD/2 – 1.328 VDD/2 – 1.304 VDD/2 – 1.275
V
VDD/2 + 带隙
VDD/2
VDD/2 + 1.226 VDD/2 + 1.288 VDD/2 + 1.346
VDD/2 – 0.014 VDD/2 – 0.001 VDD/2 + 0.012
V
VDD/2 – 带隙
VDD/2 – 1.328 VDD/2 – 1.304 VDD/2 – 1.276
V
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
V
V
注释：
15. AGND 容差包括 PSoC 模块本地缓冲区的偏移。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 34. 5 V 直流模拟参考规范 （续）
参考
ARF_CR
[5:3]
0b001
参考功耗设置
符号
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高
VAGND
参考电压
参考电压为高
AGND
说明
P2[4]+P2[6]
P2[4] + P2[6]
（P2[4] = VDD/2， – 0.055
P2[6] = 1.3 V）
P2[4]
P2[4]
VREFLO 参考电压为低
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低
VAGND
P2[4]–P2[6]
（P2[4] = VDD/2，
P2[6] = 1.3 V）
参考电压为高 P2[4]+P2[6]
（P2[4] = VDD/2，
P2[6] = 1.3 V）
AGND
P2[4]
VREFLO 参考电压为低
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高
VAGND
P2[4]–P2[6]
（P2[4] = VDD/2，
P2[6] = 1.3 V）
P2[4]+P2[6]
参考电压为高
（P2[4] = VDD/2，
P2[6] = 1.3 V）
AGND
P2[4]
VREFLO 参考电压为低
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低
VAGND
最小值
P2[4]–P2[6]
（P2[4] = VDD/2，
P2[6] = 1.3 V）
参考电压为高 P2[4]+P2[6]
（P2[4] = VDD/2，
P2[6] = 1.3 V）
AGND
P2[4]
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
单位
P2[4] + P2[6] – P2[4] + P2[6]
0.019
+ 0.019
P2[4]
P2[4]
V
–
V
P2[4] + P2[6]
– 0.05
P2[4] + P2[6] – P2[4] + P2[6]
0.015
+ 0.021
V
P2[4]
P2[4]
–
P2[4]
P2[4] – P2[6] – P2[4] – P2[6] + P2[4] – P2[6]
0.033
0.001
+ 0.031
V
P2[4] + P2[6]
– 0.048
P2[4] + P2[6] – P2[4] + P2[6]
0.013
+ 0.022
V
P2[4]
P2[4]
P2[4]
–
P2[4] – P2[6] – P2[4] – P2[6] – P2[4] – P2[6]
0.034
0.001
+ 0.031
V
P2[4] + P2[6]
– 0.047
P2[4] + P2[6] – P2[4] + P2[6]
0.012
+ 0.023
V
P2[4]
P2[4]
–
P2[4]–P2[6]
P2[4] – P2[6] –
（P2[4] = VDD/2， 0.036
P2[6] = 1.3 V）
VDD – 0.028
V
参考电压为高
DD
AGND
VDD/2
VDD/2 – 0.014
P2[4]
P2[4] – P2[6] – P2[4] – P2[6]
0.002
+ 0.030
V
VDD – 0.010
V
VDD
VDD/2 – 0.002 VDD/2 + 0.012
V
VSS
VSS
VSS + 0.004
VSS + 0.008
V
VDD
VDD – 0.021
VDD – 0.007
VDD
VDD/2
VDD/2 – 0.014 VDD/2 – 0.001 VDD/2 + 0.012
VSS
VSS
VSS + 0.002
VSS + 0.005
V
参考电压为高
AGND
VDD
VDD – 0.019
VDD – 0.006
VDD
V
VDD/2
VDD/2 – 0.014 VDD/2 – 0.001 VDD/2 + 0.012
V
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
VSS
VSS
VSS + 0.002
VSS + 0.004
V
VDD
VDD – 0.017
VDD – 0.005
VDD
VDD/2
VDD/2 – 0.014 VDD/2 – 0.001 VDD/2 + 0.013
V
VSS
VSS
V
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
文档编号：001-63461 版本 *D
最大值
P2[4] – P2[6] – P2[4] – P2[6] + P2[4] – P2[6]
0.030
0.005
+ 0.035
VREFLO 参考电压为低
0b010
典型值
VSS + 0.001
V
V
V
VSS + 0.003
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 34. 5 V 直流模拟参考规范 （续）
参考
ARF_CR
[5:3]
0b011
参考功耗设置
符号
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
参考电压
参考电压为高
AGND
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFHI
参考电压为高
AGND
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
0b100
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高
说明
3 × 带隙
最小值
3.736
V
2.598
2.667
V
带隙
1.302
1.335
V
3 × 带隙
3.747
3.894
4.034
V
2 × 带隙
2.528
2.601
2.668
V
带隙
1.264
1.302
1.335
V
3 × 带隙
3.749
3.897
4.035
V
2 × 带隙
2.529
2.602
2.668
V
带隙
1.264
1.302
1.335
V
3 × 带隙
3.751
3.899
4.037
V
2 × 带隙
2.530
2.603
2.669
V
带隙
1.264
1.302
1.335
V
2.578 – P2[6]
2.669 – P2[6]
V
2.598
2.666
V
2.602 – P2[6]
2.684 – P2[6]
V
2.586 – P2[6]
2.673 – P2[6]
V
2 × 带隙 + P2[6]
（P2[6] = 1.3 V）
VAGND
AGND
2 × 带隙
2.525
VREFLO 参考电压为低
2 × 带隙 – P2[6] 2.512 – P2[6]
（P2[6] = 1.3 V）
参考电压为高 2 × 带隙 + P2[6] 2.495 – P2[6]
（P2[6] = 1.3 V）
AGND
2.528
2 × 带隙
2.601
2.668
V
2.510 – P2[6]
2.602 – P2[6]
2.685 – P2[6]
V
2 × 带隙 + P2[6] 2.498 – P2[6]
（P2[6] = 1.3 V）
2.529
2 × 带隙
2.589 – P2[6]
2.674 – P2[6]
V
2.601
2.668
V
2 × 带隙 – P2[6] 2.509 – P2[6]
（P2[6] = 1.3 V）
参考电压为高 2 × 带隙 + P2[6] 2.500 – P2[6]
（P2[6] = 1.3 V）
AGND
2.530
2 × 带隙
2.601 – P2[6]
2.685 – P2[6]
V
2.591 – P2[6]
2.675 – P2[6]
V
VREFLO 参考电压为低
参考电压为高
AGND
2 × 带隙 – P2[6]
（P2[6] = 1.3 V）
VREFLO 参考电压为低
VREFLO 参考电压为低
文档编号：001-63461 版本 *D
4.030
2.525
参考电压为高
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低
VAGND
单位
1.265
2.483 – P2[6]
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高
VAGND
3.887
最大值
2 × 带隙
VREFHI
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低
VAGND
典型值
2 × 带隙 – P2[6]
（P2[6] = 1.3 V）
2.508 – P2[6]
2.603
2.669
V
2.601 – P2[6]
2.686 – P2[6]
V
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 34. 5 V 直流模拟参考规范 （续）
参考
ARF_CR
[5:3]
0b101
参考功耗设置
符号
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高
VAGND
参考电压
参考电压为高
AGND
说明
最小值
P2[4] + 1.218
P2[4] + 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4]
P2[4]
VREFLO 参考电压为低
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低
VAGND
P2[4] – 1.329
P2[4] – 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4] + 1.225
参考电压为高 P2[4] + 带隙
（P2[4] = VDD/2）
AGND
P2[4]
P2[4]
VREFLO 参考电压为低
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高
VAGND
参考电压为高
AGND
0b110
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
参考电压为高
AGND
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFHI
参考电压为高
AGND
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
文档编号：001-63461 版本 *D
单位
P2[4] + 1.283
P2[4] + 1.344
V
P2[4]
P2[4]
–
P2[4] – 1.297
P2[4] – 1.265
V
P2[4] + 1.287
P2[4] + 1.346
V
P2[4]
P2[4]
–
P2[4] – 1.301
P2[4] – 1.271
V
P2[4] + 1.226
P2[4] + 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4]
P2[4]
P2[4] + 1.288
P2[4] + 1.346
V
P2[4]
P2[4]
–
P2[4] – 1.302
P2[4] – 1.272
V
P2[4] + 1.289
P2[4] + 1.347
V
P2[4] – 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4] – 1.330
P2[4] – 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4] + 1.227
参考电压为高 P2[4] + 带隙
（P2[4] = VDD/2）
AGND
P2[4]
P2[4]
VREFLO 参考电压为低
最大值
P2[4] – 1.330
VREFLO 参考电压为低
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低
VAGND
典型值
P2[4]
P2[4]
–
P2[4] – 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4] – 1.331
P2[4] – 1.303
P2[4] – 1.273
V
2 × 带隙
2.506
2.597
2.674
V
带隙
VSS
1.263
1.302
1.336
V
VSS
VSS + 0.006
VSS + 0.014
V
2 × 带隙
2.508
2.595
2.675
V
带隙
VSS
1.263
1.302
1.336
V
VSS
VSS + 0.003
VSS + 0.008
V
2 × 带隙
2.508
2.595
2.676
V
带隙
VSS
1.263
1.302
1.336
V
VSS
VSS + 0.002
VSS + 0.005
V
2 × 带隙
2.508
2.596
2.677
V
带隙
VSS
1.263
1.302
1.336
V
VSS
VSS + 0.001
VSS + 0.003
V
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 34. 5 V 直流模拟参考规范 （续）
参考
ARF_CR
[5:3]
0b111
参考功耗设置
符号
参考电压
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
参考电压为高
AGND
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFHI
参考电压为高
AGND
VREFLO 参考电压为低
VREFHI 参考电压为高
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
AGND
VREFLO 参考电压为低
说明
最小值
典型值
最大值
单位
3.2 × 带隙
4.056
4.155
4.222
V
1.6 × 带隙
VSS
2.012
2.083
2.168
V
VSS
VSS + 0.01
VSS + 0.035
V
3.2 × 带隙
4.061
4.153
4.223
V
1.6 × 带隙
VSS
2.023
2.082
2.145
V
VSS
VSS + 0.006
VSS + 0.022
V
3.2 × 带隙
4.063
4.154
4.224
V
1.6 × 带隙
VSS
2.020
2.083
2.152
V
VSS
VSS + 0.006
VSS + 0.024
V
3.2 × 带隙
4.061
4.154
4.225
V
1.6 × 带隙
VSS
2.026
2.081
2.140
V
VSS
VSS + 0.004
VSS + 0.017
V
表 35. 3.3 V 直流模拟参考规范
参考
ARF_CR
[5:3]
0b000
参考功耗设置
符号
参考电压
说明
最小值
典型值
最大值
单位
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
参考电压为高 VDD/2 + 带隙
AGND
VDD/2
VDD/2 + 1.223
VDD/2 + 1.283
VDD/2 + 1.343 V
VDD/2 – 0.013
VDD/2 – 0.003
VDD/2 + 0.005 V
VREFLO
参考电压为低 VDD/2 – 带隙
VDD/2 – 1.322
VDD/2 – 1.297
VDD/2 – 1.270 V
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
参考电压为高 VDD/2 + 带隙
AGND
VDD/2
VDD/2 + 1.228
VDD/2 + 1.288
VDD/2 + 1.345 V
VDD/2 – 0.008
VDD/2 – 0.002
VDD/2 + 0.005 V
VREFLO
参考电压为低 VDD/2 – 带隙
VDD/2 – 1.322
VDD/2 – 1.298
VDD/2 – 1.271 V
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
参考电压为高 VDD/2 + 带隙
AGND
VDD/2
VDD/2 + 1.232
VDD/2 + 1.290
VDD/2 + 1.346 V
VDD/2 – 0.008
VDD/2 – 0.001
VDD/2 + 0.006 V
VDD/2 – 1.272 V
VREFLO
参考电压为低 VDD/2 – 带隙
VDD/2 – 1.322
VDD/2 – 1.299
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
参考电压为高 VDD/2 + 带隙
AGND
VDD/2
VDD/2 + 1.233
VDD/2 + 1.291
VDD/2 + 1.347 V
VDD/2 – 0.006
VDD/2
VDD/2 + 0.006 V
VREFLO
参考电压为低 VDD/2 – 带隙
VDD/2 – 1.322
VDD/2 – 1.299
VDD/2 – 1.272 V
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 35. 3.3 V 直流模拟参考规范 （续）
参考
ARF_CR
[5:3]
0b001
参考功耗设置
符号
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高
VAGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低
VAGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高
VAGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低
VAGND
VREFLO
0b010
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
VREFLO
0b011
所有功耗设置。
禁止使用
3.3 V。
–
0b100
所有功耗设置。
禁止使用
3.3 V。
–
文档编号：001-63461 版本 *D
参考电压
说明
最小值
典型值
参考电压为高 P2[4]+P2[6] （P2[4] = P2[4] + P2[6] – P2[4] + P2[6] –
0.017
VDD/2， P2[6] = 0.5 V） 0.045
AGND
P2[4]
P2[4]
P2[4]
参考电压为低 P2[4]–P2[6] （P2[4] = P2[4] – P2[6] –
VDD/2， P2[6] = 0.5 V） 0.019
参考电压为高 P2[4]+P2[6] （P2[4] = P2[4] + P2[6] –
VDD/2， P2[6] = 0.5 V） 0.036
AGND
P2[4]
单位
P2[4] + P2[6] + V
0.016
P2[4]
–
P2[4] – P2[6] +
0.004
P2[4] – P2[6] + V
0.023
P2[4] + P2[6] –
0.012
P2[4] + P2[6] + V
0.013
P2[4]
P2[4]
参考电压为低 P2[4]–P2[6] （P2[4] = P2[4] – P2[6] –
VDD/2， P2[6] = 0.5 V） 0.021
参考电压为高 P2[4]+P2[6] （P2[4] = P2[4] + P2[6] –
VDD/2， P2[6] = 0.5 V） 0.034
P2[4] – P2[6] –
0.001
P2[4] – P2[6] + V
0.021
P2[4] + P2[6] –
0.011
P2[4] + P2[6] + V
0.013
AGND
P2[4]
P2[4]
参考电压为低 P2[4]–P2[6] （P2[4] = P2[4] – P2[6] –
VDD/2， P2[6] = 0.5 V） 0.023
参考电压为高 P2[4]+P2[6] （P2[4] = P2[4] + P2[6] –
VDD/2， P2[6] = 0.5 V） 0.033
AGND
P2[4]
P2[4]
P2[4] – P2[6] –
0.002
P2[4] – P2[6] + V
0.016
P2[4] + P2[6] –
0.009
P2[4] + P2[6] + V
0.014
P2[4]
P2[4]
参考电压为低 P2[4]–P2[6] （P2[4] = P2[4] – P2[6] –
VDD/2， P2[6] = 0.5 V） 0.024
VDD – 0.042
参考电压为高 VDD
P2[4] – P2[6] –
0.003
P2[4] – P2[6] + V
0.020
VDD – 0.008
VDD
AGND
VDD/2 – 0.035
VDD/2 – 0.001
VDD/2 + 0.031 V
参考电压为低 VSS
VSS
VSS + 0.003
VSS + 0.0165 V
V
参考电压为高 VDD
AGND
VDD/2
VDD – 0.035
VDD – 0.005
VDD
VDD/2 – 0.031
VDD/2 – 0.001
VDD/2 + 0.028 V
参考电压为低 VSS
参考电压为高 VDD
VSS
VSS + 0.002
VSS + 0.012
V
VDD – 0.044
VDD – 0.005
VDD
V
AGND
VDD/2 – 0.052
VDD/2
VDD/2 + 0.046 V
VSS
VSS + 0.002
VSS + 0.014
V
VDD – 0.036
VDD – 0.004
VDD
V
P2[4]
VDD/2
VDD/2
参考电压为低 VSS
参考电压为高 VDD
AGND
VDD/2
P2[4]
最大值
P2[4]
–
–
–
V
V
VDD/2 – 0.032
VDD/2
VDD/2 + 0.029 V
参考电压为低 VSS
–
–
VSS
VSS + 0.001
VSS + 0.012
V
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 35. 3.3 V 直流模拟参考规范 （续）
参考
ARF_CR
[5:3]
0b101
0b110
参考功耗设置
符号
说明
最小值
典型值
最大值
单位
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高
VAGND
参考电压为高 P2[4] + 带隙
（P2[4] = VDD/2）
AGND
P2[4]
P2[4] + 1.226
P2[4] + 1.286
P2[4] + 1.343 V
P2[4]
P2[4]
P2[4]
–
VREFLO
参考电压为低 P2[4] – 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4] – 1.323
P2[4] – 1.293
P2[4] –1.262
V
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低
VAGND
参考电压为高 P2[4] + 带隙
（P2[4] = VDD/2）
AGND
P2[4]
P2[4] + 1.232
P2[4] + 1.29
P2[4] + 1.344 V
P2[4]
P2[4]
P2[4]
VREFLO
参考电压为低 P2[4] – 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4] – 1.324
P2[4] – 1.296
P2[4] – 1.267 V
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高
VAGND
参考电压为高 P2[4] + 带隙
（P2[4] = VDD/2）
AGND
P2[4]
P2[4] + 1.233
P2[4] + 1.291
P2[4] + 1.345 V
P2[4]
P2[4]
P2[4]
VREFLO
参考电压为低 P2[4] – 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4] – 1.324
P2[4] – 1.298
P2[4] – 1.269 V
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低
VAGND
参考电压为高 P2[4] + 带隙
（P2[4] = VDD/2）
AGND
P2[4]
P2[4] + 1.234
P2[4] + 1.292
P2[4] +1.345
V
P2[4]
P2[4]
P2[4]
–
VREFLO
参考电压为低 P2[4] – 带隙
（P2[4] = VDD/2）
P2[4] – 1.324
P2[4] – 1.299
P2[4] – 1.270 V
参考电压为高 2 × 带隙
AGND
带隙
参考电压为低 VSS
2.504
2.595
2.672
V
1.262
1.301
1.336
V
VSS
VSS + 0.006
VSS + 0.013
V
参考电压为高 2 × 带隙
AGND
带隙
参考电压为低 VSS
2.506
2.593
2.674
V
1.262
1.301
1.336
V
VSS
VSS + 0.003
VSS + 0.008
V
参考电压为高 2 × 带隙
AGND
带隙
参考电压为低 VSS
2.506
2.594
2.675
V
1.262
1.301
1.335
V
VSS
VSS + 0.002
VSS + 0.007
V
2.507
2.595
2.675
V
1.262
1.301
1.335
V
VREFLO
参考电压为高 2 × 带隙
AGND
带隙
参考电压为低 VSS
VSS
VSS + 0.001
VSS + 0.005
V
–
–
–
–
–
–
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 高
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 高 V
AGND
VREFLO
VREFHI
参考功耗 = 中
运算放大器偏压 = 低 V
AGND
0b111
参考电压
所有功耗设置。
禁止使用 3.3 V。
文档编号：001-63461 版本 *D
–
–
–
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流模拟 PSoC 模块规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范 ：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 36. 直流模拟 PSoC 模块规范
符号
RCT
CSC
说明
电阻值 （连续时间）
电容单元值 （开关电容）
最小值 典型值 最大值
–
12.24
–
–
80
–
单位
k
fF
注释
直流模拟复用器总线参数
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范 ：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 37. 直流模拟复用器总线规范
符号
RSW
RVSS
说明
从开关到通用模拟总线的开关电阻
从初始化开关到 VSS 的电阻
最小值
–
–
典型值 最大值
–
400
–
800
单位


注释
VDD  3.0 V
直流 SAR10 ADC 规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范 ：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 38. 直流 SAR10 ADC 规范
符号
INLSAR10
DNLSAR10
ISAR10
IVREFSAR10
VVREFSAR10
VOSSAR10
SARIMP
说明
最小值 典型值
最大值
–2.5
–
2.5
VREF  3 V 时的积分非线性度
–5
–
5
VREF < 3 V 时的积分非线性度
–1.5
–
1.5
VREF  3 V 时的微分非线性度
–4
–
4
VREF > 3 V 时的微分非线性度
0.08
0.5
0.497
有功电流消耗
–
–
0.5
在配置为 SAR10 ADC 的 VREF 输
入时，P2[5] 的输入电流。
2.7
–
VDD – 0.3 V
在配置为 SAR10 ADC 的外部电压
参考时， P2[5] 的输入参考电压。
单位
LSB
LSB
LSB
LSB
mA
mA
偏移电压
SAR 输入阻抗
mV
M
文档编号：001-63461 版本 *D
5
–
7.7
1.64
10
–
V
注释
提供了 10 位分辨率
提供了 10 位分辨率
提供了 10 位分辨率
提供了 10 位分辨率
在此配置下，会禁用内部电压参考缓冲
区。
当 VREF 在 SAR10 ADC 内部缓冲时，
P2[5] 的电压电平 （当配置为外部参考
电压时）必须至少比 VDD 引脚的芯片供
电电压电平小 300 mV。
（VVREFSAR10 < （VDD – 300 mV））。
频率相关性 = 1/Fs °C。
142.9 kHz （最大值）且 Cin = 4.28 pF
（典型值）
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
IDAC 直流规范
表 39. IDAC 直流规范
符号
IDAC_DNL
IDAC_INL
IDAC_Gain
IDACOffset
说明
微分非线性
最小值
–5.0
典型值
2.0
最大值
5.0
单位
LSB
对所有 3 个电流范围均有效
积分非线性
–5.0
2.0
5.0
LSB
对所有 3 个电流范围均有效
每位增益 — 范围 1 （91 µA）
283
357
447
nA
每位增益 — 范围 2 （318 µA）
985
1250
1532
nA
每位增益 — 范围 3 （637 µA）
1959
2500
3056
nA
在代码 0 相对于 LSB 理想值的偏移 —
范围 1 （91 µA）
2.0%
20%
%
在代码 0 相对于 LSB 理想值的偏移 —
范围 2 （318 µA）
1.0%
10%
%
在代码 0 相对于 LSB 理想值的偏移 —
范围 3 （637 µA）
1.0%
10%
%
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注释
在全量程时测得
测量值为 LSB 的百分比 （电流
@ 代码 0） / （LSB 理想电流）
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流 POR 和 LVD 规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范 ：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
注意：下表中的 PORLEV 位和 VM 位指 VLT_CR 寄存器中的位。有关 VLT_CR 寄存器的详细信息，请参见 CY8C28xxx PSoC 器件
的 PSoC 技术参考手册。
表 40. 直流 POR 和 LVD 规范
符号
VPPOR0R
VPPOR1R
VPPOR2R
说明
PPOR 触发的 VDD 值 （上升供电）
PORLEV[1:0] = 00b
PORLEV[1:0] = 01b
PORLEV[1:0] = 10b
VPPOR0
VPPOR1
VPPOR2
最小值 典型值
最大值
单位
–
–
–
2.91
4.39
4.55
2.985
4.49
4.65
V
V
V
PPOR 触发的 VDD 值 （下降供电）
PORLEV[1:0] = 00b
PORLEV[1:0] = 01b
PORLEV[1:0] = 10b
–
–
–
2.82
4.39
4.55
2.90
4.49
4.64
V
V
V
VPH0
VPH1
VPH2
PPOR 迟滞电压
PORLEV[1:0] = 00b
PORLEV[1:0] = 01b
PORLEV[1:0] = 10b
–
–
–
92
0
0
–
–
–
mV
mV
mV
VLVD0
VLVD1
VLVD2
VLVD3
VLVD4
VLVD5
VLVD6
VLVD7
LVD 触发的 VDD 值
VM[2:0] = 000b
VM[2:0] = 001b
VM[2:0] = 010b
VM[2:0] = 011b
VM[2:0] = 100b
VM[2:0] = 101b
VM[2:0] = 110b
VM[2:0] = 111b
2.83
2.93
3.04
3.90
4.38
4.54
4.62
4.71
2.91
3.01
3.12
3.99
4.47
4.63
4.71
4.80
3.00[16]
3.10
3.21
4.09
4.58
4.74[17]
4.83
4.92
V
V
V
V
V
V
V
V
VPUMP0
VPUMP1
VPUMP2
VPUMP3
VPUMP4
VPUMP5
VPUMP6
VPUMP7
PUMP 期间的 VDD 值
VM[2:0] = 000b
VM[2:0] = 001b
VM[2:0] = 010b
VM[2:0] = 011b
VM[2:0] = 100b
VM[2:0] = 101b
VM[2:0] = 110b
VM[2:0] = 111b
2.93
3.00
3.16
4.09
4.53
4.61
4.70
4.88
3.01
3.08
3.24
4.17
4.62
4.71
4.80
4.98
3.10
3.17
3.33
4.28
4.74
4.82
4.91
5.10
V
V
V
V
V
V
V
V
注释
在启动期间，或者从 XRES 引脚
或看门狗复位期间， VDD 必须大
于或等于 2.5 V。
在启动期间，或者从 XRES 引脚
或看门狗复位期间， VDD 必须大
于或等于 2.5 V。
注释：
16. 对于下降供电，始终比 PPOR （PORLEV = 00）高 50 mV。
17. 对于下降供电，始终比 PPOR （PORLEV = 10）高 50 mV。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流编程规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 41. 直流编程规范
符号
VDDP
说明
进行编程和清除操作时使用的 VDD
最小值
4.5
典型值
5
最大值
5.5
单位
V
VDDLV
VDDHV
进行验证时使用的低电压 VDD
3
3.1
3.2
V
进行验证时使用的高电平 VDD
5.1
5.2
5.3
V
3
–
5.25
V
5
–
–
–
25
0.8
–
0.21
mA
V
V
mA
驱动内部下拉电阻。
–
1.5
mA
驱动内部下拉电阻。
–
–
–
–
0.75
VDD
–
–
V
V
–
–
–
–
年
VDDIWRITE 闪存写入操作的供电电压
–
编程或验证期间的供电电流
–
编程或验证期间的输入低电压
2.2
编程或验证期间的输入高电压
–
编程或验证期间为 P1[0] 或 P1[1] 采取 Vilp 电
压时的输入电流
IIHP
–
编程或验证期间为 P1[0] 或 P1[1] 采取 Vihp 电
压时的输入电流
VOLV
–
编程或验证期间的输出低电压
VOHV
VDD – 1.0
编程或验证期间的输出高电压
FlashENPB （每个模块的）闪存擦写次数
50,000[18]
FlashENT 闪存擦写次数 （总计） [19]
1,800,000
IDDP
VILP
VIHP
IILP
FlashDR
闪存数据保留时间
10
注释
该规范适用于
外部编程
工具
的功能要求。
该规范适用于
外部编程
工具
的功能要求。
该规范适用于
外部编程
工具
的功能要求。
当该器件
对内部闪存执行写入操作
时，
它将使用
本规范。
每个模块的擦 / 写次数。
擦 / 写次数。要达到此次数，
必须在相同的电压下对其进
行编程和读取操作。
注释：
18. 仅当闪存在一个电压范围内工作时，才能保证每个模块均有 50,000 次擦 / 写循环的闪存耐久性。电压范围为 3.0 V 至 3.6 V 和 4.75 V 至 5.25 V。
19. 每个模块的最多耐久性周期为 36 x 50,000 次。这可以在使用 36x1 模块 （每个模块最多 50,000 次擦 / 写循环）、 36x2 模块 （每个模块最多 25,000 次擦 / 写循环）
或 36x4 模块 （每个模块最多 12,500 次擦 / 写循环）之间进行平衡 （将总擦 / 写循环次数限制为 36x50,000 次，而且单个模块的擦 / 写循环次数不超过 50,000
次）。
对于整个工业级范围，用户必须利用温度传感器用户模块 （FlashTemp），并在写入之前将结果提供给温度参数。有关详细信息，请参见 http://www.cypress.com 网
站上 “ 应用笔记 ” 下的闪存 API 应用笔记 AN2015。
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CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
直流 I2C 规范
表 42 分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 42. 直流 I2C 参数 [20]
符号
VILI2C
输入低电平
说明
VIHI2C
VOLI2C
输入高电平
输出低电平
最小值
–
–
0.7 × VDD
–
–
典型值
最大值
–
0.3 × VDD
–
0.25 × VDD
–
–
–
0.4
–
0.6
单位
V
V
V
V
V
注释
3.0 V  VDD  3.6 V
4.75 V  VDD  5.25 V
3.0 V  VDD  5.25 V
灌电流为 3 mA
灌电流为 6 mA
注释：
20. 所有 GPIO 都符合直流 GPIO 规范部分中的直流 GPIO VIL 和 VIH 规范。 I2C GPIO 引脚也符合以上规范。
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CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
交流电气特性
交流芯片级规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 43. 交流芯片级规范
符号
FIMO
内部主振荡器频率
说明
最小值
23.4
典型值
24
最大值
24.6[21]
单位
MHz
FIMO6
6 MHz 时的内部主振荡器频率
5.5
6
6.5[21]
MHz
FCPU1
CPU 频率 （5 V 额定值）
0.091
24
24.6[21]
MHz
FCPU2
CPU 频率 （3.3 V 额定值）
0.091
12
12.3[22]
MHz
FBLK5
FBLK33
F32K1
F32K2
数字 PSoC 模块频率
数字 PSoC 模块频率
内部低速振荡器频率
外部晶体振荡器
0
0
15
–
–
24
32
32.768
49.2[21、 23]
24.6[23]
64
–
MHz
MHz
kHz
kHz
F32K_U
内部低速振荡器未调整的频率
5
–
100
kHz
–
0.5
0.5
23.986
–
–
–
10
50
MHz
ms
ms
–
1700
2620
ms
–
2800
3800
ms
FPLL
PLL 频率
tPLLSLEW
PLL 锁定时间
tPLLSLEWSLO 低增益设置的 PLL 锁定时间
注释
已经过调整。使用出厂预设值。
SLIMO 模式 = 0。
已使用出厂预设值针对 5 V 或
3.3 V 工作电压进行调整。
SLIMO 模式 = 0。
已经过调整。使用出厂预设值。
SLIMO 模式 = 0。
已经过调整。使用出厂预设值。
SLIMO 模式 = 0。
4.75 V < VDD < 5.25 V
3.0 V <VDD< 3.6 V
已经过调整。使用出厂预设值。
精度取决于电容和晶振。
50% 占空比。
在复位之后以及 M8C 开始运行
之前，未对 ILO 进行调整。有关
对其进行调整的详细信息，请参
见 《PSoC 技术参考手册》的 “
系统复位 ” 一节。
晶振频率的倍数 （x732）。
W
TOS
TOSACC
外部晶体振荡器从启动到频率达到最终频
率的 1% 所用的时间
外部晶体振荡器从启动到频率达到最终频
率的 100 ppm 所用的时间
在 Tosacc 时间段结束后，晶振的
频率与其最终频率的误差不超过
100 ppm。实现正确操作的条件
是使用具有适当负载且最大驱动
能力为 1 uW 的 32.768 kHz 晶
振。3.0 V  VDD  5.5 V，–40 °C
 TA  85 °C。
注释：
21. 4.75 V < VDD < 5.25 V。
22. 3.0 V < VDD < 3.6 V。有关在工作电压为 3.3 V 时进行微调的信息，请参见应用笔记在工作电压为 3.3 V 和 2.7 V 时调整 PSoC® – AN2012。
23. 有关用户模块的最大频率的信息，请参见相应的用户模块数据手册。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 43. 交流芯片级规范 （续）
符号
tXRST
DC24M
DCILO
Fout48M
FMAX
SRPOWERUP
tPOWERUP
tjit_IMO [26]
tjit_PLL [26]
说明
最小值
10
外部复位脉冲宽度
40
24 MHz 占空比
20
内部低速振荡器的占空比
46.8
48 MHz 输出频率
–
行输入或行输出上的信号的最大频率。
0
供电升降时间
–
从发出 POR 信号到执行代码的时间
–
24 MHz IMO 周期间抖动值 （RMS）
–
24 MHz IMO 长期 N 周期间抖动值 （RMS）
–
24 MHz IMO 周期抖动值 （RMS）
–
24 MHz IMO 周期间抖动值 （RMS）
–
24 MHz IMO 长期 N 周期间抖动值 （RMS）
24 MHz IMO 周期抖动值 （RMS）
–
典型值
–
50
50
48.0
–
–
16
200
300
200
2000
400
2000
最大值
–
60
80
1300
1300
800
1100
2800
单位
ms
%
%
MHz
MHz
ms
ms
ps
ps
ps
ps
ps
1400
ps
49.2[24、 25]
12.3
–
100
注释
已经过调整。使用出厂预设值
N = 32
N = 32
注释：
24. 4.75 V < VDD < 5.25 V。
25. 3.0 V < VDD < 3.6 V。有关在工作电压为 3.3 V 时进行微调的信息，请参见应用笔记在工作电压为 3.3 V 和 2.7 V 时调整 PSoC® – AN2012。
26. 有关更多信息，请参考赛普拉斯抖动规范 应用笔记， 了解赛普拉斯时序产品数据手册的抖动规范 — AN5054。
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CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
图 10. PLL 锁定时序图
PLL
Enable
TPLLSLEW
24 MHz
FPLL
PLL
Gain
0
图 11. 低增益设置的 PLL 锁定时序图
PLL
Enable
TPLLSLEWLOW
24 MHz
FPLL
PLL
Gain
1
图 12. 外部晶振启动时序图
32K
Select
32 kHz
TOS
F32K2
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
交流 GPIO 规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 44. AC GPIO 规范
符号
FGPIO
tRiseF
tFallF
tRiseS
tFallS
说明
GPIO 的工作频率
上升时间，正常强驱动模式， Cload = 50 pF
下降时间，正常强驱动模式， Cload = 50 pF
上升时间，慢速强驱动模式， Cload = 50 pF
下降时间，慢速强驱动模式， Cload = 50 pF
最小值 典型值
0
–
3
–
2
–
10
27
10
22
最大值
12.3
18
18
–
–
单位
MHz
ns
ns
ns
ns
注释
正常强驱动模式
VDD = 4.5 到 5.25 V，10% 到 90%
VDD = 4.5 ~ 5.25 V， 10% 到 90%
VDD = 3 ~ 5.25 V， 10% ~ 90%
VDD = 3 ~ 5.25 V， 10% ~ 90%
图 13. GPIO 时序图
90%
GPIO
Pin
Output
Voltage
10%
TRiseF
TRiseS
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TFallF
TFallS
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CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
交流运算放大器规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。这些规范所涵盖的运算放大器既是模拟连续
时间 PSoC 模块的组件，也是模拟开关电容 PSoC 模块的组件。建立时间、斜率和增益带宽基于模拟连续时间 PSoC 模块。
在 3.3 V 下不支持功耗 = 高且运算放大器偏压 = 高的情况。
表 45. 5 V 交流运算放大器规范
符号
tROA
tSOA
SRROA
SRFOA
BWOA
ENOA
说明
从 V 为 80% 到 V 为 0.1% 的上升建立时间
（有源探头负载，单位增益）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
从 V 为 20% 到 V 为 0.1% 的下降建立时间
（有源探头负载，单位增益）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
上升斜率 （20% ~ 80%）（有源探头负载，单
位增益）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
下降斜率 （80% ~ 20%）（有源探头负载，单
位增益）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
增益带宽积
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
功耗 = 高，运算放大器偏压 = 高
1 kHz 时的噪声
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
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最小值
典型值 最大值
单位
–
–
–
–
–
–
3.9
0.72
0.62
s
s
s
–
–
–
–
–
–
5.9
0.92
0.72
s
s
s
0.15
1.7
6.5
–
–
–
–
–
–
V/s
V/s
V/s
0.01
0.5
4.0
–
–
–
–
–
–
V/s
V/s
V/s
0.75
3.1
5.4
–
–
–
–
–
–
MHz
MHz
MHz
–
100
–
nV/rt-Hz
注意注释
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
表 46. 3.3 V 交流运算放大器规范
符号
tROA
tSOA
SRROA
SRFOA
BWOA
ENOA
说明
从 V 为 80% 到 V 为 0.1% 的上升建立时间
（有源探头负载，单位增益）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 高
从 V 为 20% 到 V 为 0.1% 的下降建立时间
（有源探头负载，单位增益）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
上升斜率 （20% ~ 80%）（有源探头负载，单
位增益）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
下降斜率 （80% ~ 20%）（有源探头负载，单
位增益）
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
增益带宽积
功耗 = 低，运算放大器偏压 = 低
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
频率为 1 kHz 时的噪声
功耗 = 中，运算放大器偏压 = 高
文档编号：001-63461 版本 *D
最小值
典型值 最大值
单位
–
–
–
–
3.92
0.72
s
s
–
–
–
–
5.41
0.72
s
s
0.31
2.7
–
–
–
–
V/s
V/s
0.24
1.8
–
–
–
–
V/s
V/s
0.67
2.8
–
–
–
–
MHz
MHz
–
100
–
nV/rt-Hz
注释
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
当 P2[4] 上的电容被旁路时，分布到每个模块的模拟接地信号的噪声最多可降至原来的 1/5 （14 dB）。这种情况所采用的频率高于通
过片上 8.1 kΩ 电阻和外部电容定义的拐角频率。
图 14. 采用 P2[4] 旁路时的典型 AGND 噪声
VnAGND Emerald = 2*Vbg
-90
-100
-110
E0.0
E0.01
E0.1
-120
E1.0
E10.0
-130
-140
-150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
在较低频率下，运算放大器的噪声与 1/f 成正比，与功率无关，并且取决于器件的形状。在较高频率下，功率提高会使噪声谱级下降。
图 15. 典型的运算放大器噪声
nV/rtHz
10000
PH_BH
PH_BL
PM_BL
PL_BL
1000
100
10
0.001
文档编号：001-63461 版本 *D
0.01
0.1
Freq (kHz)
1
10
100
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
交流 E 型运算放大器规范
表 47 分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C、 3.0 V 至 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C 或 2.4 V 至 3.0 V 和 –40 °C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V、3.3 V 或 2.7 V 的情况，这些参数仅供设计指
导之用。这些规范所涵盖的运算放大器是特殊 E 型模拟 PSoC 模块的组件。
表 47. 交流 E 型运算放大器规范
符号
tCOMP
说明
电压比较器模式响应时间
最小值
–
典型值
75
最大值
100
单位
ns
注释
50 mV 过驱动。
交流低功耗比较器规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内允许的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C、3.0 V 至 3.6 V 和 –40 °C 
TA  85 °C，或 2.4 V 至 3.0 V 和 –40 °C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 的情况，仅供设计指导之用。
表 48. 交流低功耗比较器规范
符号
tRLPC
说明
LPC 响应时间
文档编号：001-63461 版本 *D
最小值
–
典型值
–
最大值
50
单位
s
注释
 50 mV 过驱动。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
交流数字模块规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 49. 交流数字模块规范
功能
所有功能
定时器
计数器
死区
最小值
典型值
最大值
单位
模块输入时钟频率
VDD  4.75 V
说明
–
–
49
MHz
VDD < 4.75 V
–
–
25
MHz
输入时钟频率
无捕获， VDD  4.75 V
–
–
49
MHz
无捕获， VDD < 4.75 V
–
–
25
MHz
有捕获
捕获脉冲宽度
输入时钟频率
无使能输入， VDD  4.75 V
–
50[27]
–
–
25
–
MHz
ns
–
–
49
MHz
无使能输入， VDD < 4.75 V
–
–
25
MHz
–
50[27]
–
–
25
–
MHz
ns
20
50[27]
50[27]
–
–
–
–
–
–
ns
ns
ns
–
–
49
MHz
–
–
25
MHz
–
–
–
–
–
–
49
25
25
MHz
MHz
MHz
–
–
8.2
MHz
–
50[13]
–
–
4.1
–
MHz
ns
带使能输入
使能输入脉宽
停止信号 （Kill）脉宽
异步重启模式
同步重启模式
禁用模式
输入时钟频率
VDD  4.75 V
VDD < 4.75 V
CRCPRS
输入时钟频率
（PRS 模式） V
DD  4.75 V
VDD < 4.75 V
CRCPRS
输入时钟频率
（CRC 模式）
SPIM
输入时钟频率
SPIS
输入时钟 （SCLK）频率
相邻传输之间的 SS_ Negated 宽度
发送器
输入时钟频率
VDD  4.75 V， 2 个停止位
–
–
49
MHz
VDD  4.75 V， 1 个停止位
–
–
25
MHz
VDD < 4.75 V
–
–
25
MHz
输入时钟频率
VDD  4.75 V， 2 个停止位
–
–
49
MHz
VDD  4.75 V， 1 个停止位
–
–
25
MHz
VDD < 4.75 V
–
–
25
MHz
接收器
文档编号：001-63461 版本 *D
注释
SPI 串行时钟 （SCLK）频率等于输
入时钟被二分频后得到的频率。
在 SPIS 模式下，输入时钟为 SPI
SCLK。
波特率等于输入时钟频率的 8 分频。
波特率等于输入时钟被 8 分频后得
到的频率。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
交流模拟输出缓冲器规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 50. 5 V 交流模拟输出缓冲区规范
符号
tROB
tSOB
SRROB
SRFOB
BWOB
BWOB
说明
最小值
达到 0.1% 时的上升建立时间，步长为 1 V，负载为 100 pF
–
功耗 = 低
–
功耗 = 高
达到 0.1% 时的下降建立时间，步长为 1 V，负载为 100 pF
–
功耗 = 低
–
功耗 = 高
上升斜率 （20% - 80%），步长为 1 V，负载为 100 pF
0.65
功耗 = 低
0.65
功耗 = 高
下降斜率 （80% - 20%），步长为 1 V，负载为 100 pF
0.65
功耗 = 低
0.65
功耗 = 高
小信号带宽， 20 mVpp， 3dB BW， 100 pF 负载
0.8
功耗 = 低
0.8
功耗 = 高
大信号带宽， 1 Vpp， 3dB BW， 100 pF 负载
300
功耗 = 低
300
功耗 = 高
典型值 最大值
单位
–
–
2.5
2.9
s
s
–
–
2.3
2.3
s
s
–
–
–
–
V/s
V/s
–
–
–
–
V/s
V/s
–
–
–
–
MHz
MHz
–
–
–
–
kHz
kHz
注释
表 51. 3.3 V 交流模拟输出缓冲区规范
符号
tROB
tSOB
SRROB
SRFOB
BWOB
BWOB
说明
达到 0.1% 时的上升建立时间，步长为 1 V，负载为 100 pF
功耗 = 低
功耗 = 高
达到 0.1% 时的下降建立时间，步长为 1 V，负载为 100 pF
功耗 = 低
功耗 = 高
上升斜率 （20% - 80%），步长为 1 V，负载为 100 pF
功耗 = 低
功耗 = 高
下降斜率 （80% - 20%），步长为 1 V，负载为 100 pF
功耗 = 低
功耗 = 高
小信号带宽， 20 mVpp， 3dB BW， 100 pF 负载
功耗 = 低
功耗 = 高
大信号带宽， 1 Vpp， 3dB BW， 100 pF 负载
功耗 = 低
功耗 = 高
最小值
典型值 最大值
单位
–
–
–
–
3.8
3.8
s
s
–
–
–
–
3.2
2.9
s
s
0.5
0.5
–
–
–
–
V/s
V/s
0.5
0.5
–
–
–
–
V/s
V/s
0.64
0.64
–
–
–
–
MHz
MHz
2000
200
–
–
–
–
kHz
kHz
注释
注释：
27. 50 ns 的最小输入脉冲宽度基于在 24 MHz （42 ns 标称周期）下运行的输入同步器。
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
交流 SAR10 ADC 规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范 ：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40
°C  TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 52. 交流 SAR10 ADC 规范
符号
FINSAR10
FSSAR10
说明
SAR10 ADC 的输入时钟频率
SAR10 ADC 的采样率
SAR10 ADC 分辨率 = 10 位
最小值
–
–
典型值 最大值
–
2.0
–
142.9
单位
MHz
ksps
注释
对于 10 位分辨率，采样率等
于 ADC 的输入时钟除以 14。
交流外部时钟规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，这些参数仅供设计指导之用。
表 53. 5 V 交流外部时钟规范
符号
FOSCEXT
说明
最小值
0.093
典型值
–
最大值
24.6
单位
MHz
频率
–
–
高周期
20.6
–
5300
ns
低周期
20.6
–
–
ns
–
从给 IMO 上电到切换的时间
150
–
–
s
最小值
0.093
典型值
–
最大值
12.3
单位
MHz
0.186
–
24.6
MHz
注释
表 54. 3.3 V 交流外部时钟规范
符号
说明
时钟一分频时的频率 [28]
FOSCEXT
CPU
FOSCEXT
CPU 时钟二分频或更高分频时的频率 [29]
–
CPU 时钟一分频时的高周期
41.7
–
5300
ns
–
CPU 时钟一分频时的低周期
41.7
–
–
ns
–
从给 IMO 上电到切换的时间
150
–
–
s
注释
注释：
28. 工作电压为 3.3 V 时， CPU 最大频率为 12 MHz。当 CPU 时钟分频器设为 1 时，外部时钟必须符合最大频率和占空比的要求。
29. 如果外部时钟的频率大于 12 MHz，必须将 CPU 时钟分频器设为 2 或更大值。在这种情况下， CPU 时钟分频器可确保满足百分之五十占空比的
要求。
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
交流编程规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 55. 交流编程规范
符号
tRSCLK
tFSCLK
tSSCLK
tHSCLK
FSCLK
tERASEB
tWRITE
tDSCLK
tDSCLK3
tERASEALL
tPROGRAM_HOT
tPROGRAM_COLD
说明
最小值
1
SCLK 的上升时间
1
SCLK 的下降时间
40
到 SCLK 下降沿的数据建立时间
40
从 SCLK 下降沿开始的数据保持时间
0
SCLK 的频率
–
闪存擦除时间 （模块）
–
闪存模块写入时间
–
从 SCLK 下降沿开始的数据输出延迟时间
–
从 SCLK 下降沿开始的数据输出延迟时间
–
闪存擦除时间 （批量）
–
闪存模块擦除和闪存模块写入时间
–
闪存模块擦除和闪存模块写入时间
典型值
–
–
–
–
–
10
40
–
–
40
–
–
最大值
20
20
–
–
8
–
–
55
75
–
100[30]
200[30]
单位
ns
ns
ns
ns
MHz
ms
ms
ns
ns
ms
ms
ms
注释
VDD  3.6
3.0  VDD  3.6
一次性擦除所有模块和保护字段。
0 °C  Tj  100 °C
–40 °C  Tj  0 °C
注释：
30. 对于整个工业级范围，用户必须利用温度传感器用户模块，并在写入之前将结果提供给温度参数。有关详细信息，请参见 http://www.cypress.com 网站上 “ 应用笔
记 ” 下的闪存 API 应用笔记 —AN2015。
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
I2C 交流规范
下表分别列出了以下电压和温度范围内许可的最大和最小规范：4.75 V 至 5.25 V 和 –40 °C  TA  85 °C，或 3.0 V 到 3.6 V 和 –40 °C
 TA  85 °C。典型参数适用于 25 °C 且电压为 5 V 和 3.3 V 的情况，并仅供设计指导之用。
表 56. I2C SDA 和 SCL 引脚的交流特性
符号
说明
SCL 时钟频率
（重复） START （启动）条件的保持时间。经
过这段时间，会生成第一个时钟脉冲。
tLOWI2C
SCL 时钟的低电平周期
tHIGHI2C
SCL 时钟的高电平周期
tSUSTAI2C 重复 START 条件的建立时间
tHDDATI2C 数据保留时间
tSUDATI2C 数据建立时间
tSUSTOI2C STOP 条件的建立时间
tBUFI2C
STOP 和 START 条件之间的总线空闲时间
tSPI2C
输入滤波器抑制了尖峰脉冲宽度。
FSCLI2C
tHDSTAI2C
标准模式
最小值 最大值
0
100
4.0
–
4.7
4.0
4.7
0
250
4.0
4.7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
快速模式
最小值 最大值
0
400
0.6
–
1.3
0.6
0.6
0
100[31]
0.6
1.3
0
单位
注释
kHz
s
s
s
s
s
ns
s
s
ns
–
–
–
–
–
–
–
50
图 16. I2C 总线在快速 / 标准模式下的时序定义
I2C_SDA
TSUDATI2C
THDSTAI2C
TSPI2C
THDDATI2CTSUSTAI2C
TBUFI2C
I2C_SCL
THIGHI2C TLOWI2C
S
START Condition
TSUSTOI2C
Sr
Repeated START Condition
P
S
STOP Condition
注释：
31. 快速模式 I2C 总线器件可以用于标准模式 I2C 总线系统，但必须满足 TSUDATI2C  250 ns 的要求。如果器件不会延长 SCL 信号的低电平周期，这种情况会自动发生。
如果此类器件会延长 SCL 信号的低电平周期，则它必须在 SDA 线路被释放之前将下一个数据位输出到 SDA 线路 trmax + TSUDATI2C = 1000 + 250 = 1250 ns（根据标
准模式 I2C 总线规范）。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
封装信息
本节介绍 CY8C28xxx PSoC 器件的封装规范、每种封装的热阻以及晶振引脚上的典型封装电容。
重要注意：仿真工具在目标 PCB 上可能需要比芯片空间更大的面积。有关仿真工具尺寸的详细说明，请参见 http://www.cypress.com
网站上的仿真器转接板尺寸图。
封装尺寸
图 17. 20 引脚 SSOP （210 Mil）封装外形 O20.21， 51-85077
51-85077 *F
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
图 18. 28 引脚 SSOP （210 Mil） O28.21 封装外形， 51-85079
51-85079 *F
图 19. 44 引脚 TQFP （10 × 10 × 1.4 mm） A44S 封装外形， 51-85064
51-85064 *F
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
图 20. 48 引脚 QFN （7 × 7 × 1.0 mm） LT48D 5.6 × 5.6 E-Pad （Sawn 型）封装外形， 001-45616
001-45616 *E
重要注意：有关安装 QFN 封装的最佳尺寸信息，请参考在 http://www.cypress.com 网站上提供的应用笔记赛普拉斯四方扁平无扩展
引线 （QFN）封装器件的设计指南 — AN72845。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
图 21. 56 引脚 SSOP （300 Mil） O563 封装外形， 51-85062
51-85062 *F
文档编号：001-63461 版本 *D
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
热阻
表 57. 每种封装的热阻
封装
20-SSOP
28-SSOP
44-TQFP
48-QFN[33]
56-SSOP
典型 JA [32]
80.8 °C/W
45.4 °C/W
24.0 °C/W
16.7 °C/W
67.5 °C/W
晶振引脚上的电容
表 58. 晶振引脚的典型封装电容
封装
20-SSOP
28-SSOP
44-TQFP
48-QFN
56-SSOP
封装容值
Pin9 = 0.0056 pF
Pin11 = 0.006048 pF
Pin13 = 0.006796 pF
Pin15 = 0.006755 pF
Pin16 = 0.009428 pF
Pin18 = 0.008635 pF
Pin17 = 0.008493 pF
Pin19 = 0.008742 pF
Pin27 = 0.007916 pF
Pin31 = 0.007132 pF
回流焊规范
表 59 显示不可超过的回流焊温度限制。
表 59. 回流焊规范
封装
最大高峰值温度 （TC）
封装在温度为 TC – 5 °C 的最长时间
20-SSOP
260 °C
30 秒
28-SSOP
260 °C
30 秒
44-TQFP
260 °C
30 秒
48-QFN
260 °C
30 秒
56-SSOP
260 °C
30 秒
注释：
32. TJ = TA + 功耗 × JA
33. 有关安装 QFN 封装的最佳尺寸信息，请参考 http://www.cypress.com 网站上提供的赛普拉斯四方扁平无扩展引线 （QFN）封装器件的设计指南 — AN72845 以了解
PCB 要求。
34. 根据焊料熔点的不同，可能需要更高的温度。典型焊接温度为 220 ± 5 °C （使用 Sn-Pb 焊膏）或 245 ± 5 °C （使用 Sn-Ag-Cu 焊膏）。请参见焊料制造商提供的规
范。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
开发工具选择
本节介绍可供目前所有 PSoC 器件系列 （包括 CY8C28xxx 系列）使用的开发工具。
软件
PSoC Designer
评估工具
PSoC Designer 是 PSoC 开发软件套装的核心。这款稳健的软件
被数以千计的 PSoC 开发人员用于简化 PSoC 设计已有超过 5 年
的时间。PSoC Designer 在 http://www.cypress.com 网站上免费
提供。
所有评估工具都可从赛普拉斯在线商店购买。
PSoC 编程器
PSoC 编程器非常灵活，它不仅可用于开发，而且适用于工厂编
程，因此可作为独立的编程应用程序，也可从 PSoC Designer 中
直接调用。PSoC Programmer 软件与 PSoC ICE-Cube 在线仿真
器和PSoC MiniProg这两种器件兼容。在http://www.cypress.com
网站上免费提供了 PSoC Programmer。
CY3210-MiniProg1
CY3210-MiniProg1 套件可以允许用户通过 MiniProg1 编程单元
对 PSoC 器件进行编程。MiniProg 是一种紧凑的小型原型设计编
程器，通过随附的 USB 2.0 线缆连接到 PC。该套件包括：
■
MiniProg 编程单元
■
MiniEval Socket 编程和评估板
■
28 引脚 CY8C29466-24PXI PDIP PSoC 器件样品
开发套件
■
28 引脚 CY8C27443-24PXI PDIP PSoC 器件样品
所有开发工具包都可从赛普拉斯在线商店购买。
■
PSoC Designer 软件 CD
CY3215-DK 基本开发套件
■
入门指南
CY3215-DK 用于通过 PSoC Designer 进行原型设计和开发。此
工具包支持在线仿真功能，其软件界面可让用户运行、暂停和单
步执行处理器以及查看特定存储器位置的内容。 PSoC Designer
支持高级仿真功能。该套件包括：
■
USB 2.0 线缆
■
PSoC Designer 软件 CD
■
ICE-Cube 在线仿真器
■
CY8C29x66 PSoC 系列的转接板套件
■
Cat-5 适配器
■
Mini-Eval 编程板
■
110 ~ 240V 电源， Euro-Plug 适配器
■
ISSP 线缆
■
USB 2.0 线缆和蓝色 Cat-5 线缆
■
两个 CY8C29466-24PXI 28-PDIP 芯片样品
文档编号：001-63461 版本 *D
CY3210-PSoCEval1
CY3210-PSoCEval1 套件包含一个评估板和一个 MiniProg1 编程
单元。该评估板包括 LCD 模块、电位器、 LED 和大量实验板空
间，可满足您所有的评估需要。该套件包括：
■
带 LCD 模块的评估板
■
MiniProg 编程单元
■
28 引脚 CY8C29466-24PXI PDIP PSoC 器件样品 （2）
■
PSoC Designer 软件 CD
■
入门指南
■
USB 2.0 线缆
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
器件编程器
■
CY3207 编程器单元
所有器件编程器都可从赛普拉斯在线商店购买。
■
PSoC ISSP 软件 CD
CY3207ISSP 系统内串行编程器 （ISSP）
■
110 ~ 240 V 电源， Euro-Plug 适配器
CY3207ISSP 是一个生产编程器。它包括保护电路和一个工业级
外壳，该工业外壳在生产编程环境中比 MiniProg 更强大。
■
USB 2.0 线缆
注意：CY3207ISSP 编程器需要使用 PSoC ISSP 软件。它与
PSoC Programmer 软件不兼容。此套件的最新 PSoC ISSP 软件
可从 http://www.cypress.com 网站下载。该套件包括：
附件 （仿真和编程）
表 60. 仿真和编程配件
器件编号
CY8C28243-24PVXI
引脚封装
20-SSOP
转接板套件 [35]
CY3250-28XXX
支脚套件 [36]
CY3250-20SSOP-FK
CY8C28403-24PVXI
CY8C28413-24PVXI
CY8C28433-24PVXI
CY8C28445-24PVXI
CY8C28452-24PVXI
28-SSOP
CY3250-28XXX
CY3250-28SSOP-FK
CY8C28513-24AXI
CY8C28533-24AXI
CY8C28545-24AXI
44-TQFP
CY3250-28XXX
CY8C28623-24LTXI
CY8C28643-24LTXI
CY8C28645-24LTXI
48-QFN
CY3250-28XXXQFN CY3250-48QFN-FK
CY3250-44TQFP-FK
适配器 [37]
适配器可以在
http://www.emulation.com 网
站上找到。
注释：
35. 转接板套件包含一个仿真转接板、一条柔性线缆 （将转接板连接到 ICE）、两个支脚和多个器件样品。
36. 支脚套件包括可焊接到目标 PCB 上的表面安装支脚。
37. 通过编程适配器，可以将非 DIP 封装改成 DIP 封装。有关每种适配器的详情和订购信息，请访问 http://www.emulation.com 网站。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
订购信息
CapSense
数字模块
常规模拟模块
有限模拟模块
HW I2C
抽取器
10 位 SAR ADC
数字 I/O 引脚
模拟输入
模拟输出
闪存大小 （KB）
RAM 大小
（KB）
XRES 引脚
28 引脚 （210 Mil）
SSOP
CY8C28403-24PVXI
–40 °C 至 85 °C
无
12
0
0
2
0
有
24
8
0
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP （盘带封装）
CY8C28403-24PVXIT
–40 °C 至 85 °C
无
12
0
0
2
0
有
24
8
0
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP
CY8C28413-24PVXI
–40 °C 至 85 °C
有
12
0
4
1
2
有
24
24
0
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP （盘带封装）
CY8C28413-24PVXIT
–40 °C 至 85 °C
有
12
0
4
1
2
有
24
24
0
16
1
有
44 引脚 TQFP
CY8C28513-24AXI
–40 °C 至 85 °C
有
12
0
4
1
2
有
40
40
0
16
1
有
44 引脚 TQFP
（盘带封装）
CY8C28513-24AXIT
–40 °C 至 85 °C
有
12
0
4
1
2
有
40
40
0
16
1
有
48 引脚 Sawn QFN
CY8C28623-24LTXI
–40 °C 至 85 °C
无
12
6
0
2
2
无
44
10
2
16
1
有
48 引脚 Sawn QFN
（盘带封装）
CY8C28623-24LTXIT
–40 °C 至 85 °C
无
12
6
0
2
2
无
44
10
2
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP
CY8C28433-24PVXI
–40 °C 至 85 °C
有
12
6
4
1
4
有
24
24
2
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP （盘带封装）
CY8C28433-24PVXIT
–40 °C 至 85 °C
有
12
6
4
1
4
有
24
24
2
16
1
有
44 引脚 TQFP
CY8C28533-24AXI
–40 °C 至 85 °C
有
12
6
4
1
4
有
40
40
2
16
1
有
44 引脚 TQFP
（盘带封装）
CY8C28533-24AXIT
–40 °C 至 85 °C
有
12
6
4
1
4
有
40
40
2
16
1
有
20 引脚 （210 Mil）
SSOP
CY8C28243-24PVXI
–40 °C 至 85 °C
无
12
12
0
2
4
有
16
16
4
16
1
有
20 引脚 （210 Mil）
SSOP （盘带封装）
CY8C28243-24PVXIT
–40 °C 至 85 °C
无
12
12
0
2
4
有
16
16
4
16
1
有
封装
订购代码
温度范围
下表列出了 CY8C28xxx PSoC 器件的关键封装特征和订购代码。
48 引脚 SawnQFN
CY8C28643-24LTXI
–40 °C 至 85 °C
无
12
12
0
2
4
有
44
44
4
16
1
有
48 引脚 Sawn QFN
（盘带封装）
CY8C28643-24LTXIT
–40 °C 至 85 °C
无
12
12
0
2
4
有
44
44
4
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP
CY8C28445-24PVXI
–40 °C 至 85 °C
有
12
12
4
2
4
有
24
24
4
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP （盘带封装）
CY8C28445-24PVXIT
–40 °C 至 85 °C
有
12
12
4
2
4
有
24
24
4
16
1
有
44 引脚 TQFP
CY8C28545-24AXI
–40 °C 至 85 °C
有
12
12
4
2
4
有
40
40
4
16
1
有
44 引脚 TQFP
（盘带封装）
CY8C28545-24AXIT
–40 °C 至 85 °C
有
12
12
4
2
4
有
40
40
4
16
1
有
48 引脚 Sawn QFN
CY8C28645-24LTXI
–40 °C 至 85 °C
有
12
12
4
2
4
有
44
44
4
16
1
有
48 引脚 Sawn QFN
（盘带封装）
CY8C28645-24LTXIT
–40 °C 至 85 °C
有
12
12
4
2
4
有
44
44
4
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP
CY8C28452-24PVXI
–40 °C 至 85 °C
有
8
12
4
1
4
无
24
24
4
16
1
有
28 引脚 （210 Mil）
SSOP （盘带封装）
CY8C28452-24PVXIT
–40 °C 至 85 °C
有
8
12
4
1
4
无
24
24
4
16
1
有
56 引脚 SSOP OCD
CY8C28000-24PVXI
–40 °C 至 85 °C
有
12
12
4
2
4
有
44
44
4
16
1
有
注意 ：有关 Die 的销售信息，请与当地的赛普拉斯销售办事处或现场应用工程师 （FAE）联系。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
订购代码定义
CY 8 C 28 xxx - SP xxxx
封装类型：
PVX = SSOP 无铅
LTX = QFN 无铅
AX = TQFP 无铅
热额定值：
C = 商业级
I = 工业级
E = 扩展
CPU 速度：24 MHz
器件型号
系列代码
技术代码：C = CMOS
销售代码：8 = PSoC
公司 ID：CY = 赛普拉斯
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
缩略语
使用的缩略语
表 61 列出了本文档中使用的缩略语。
表 61. 本数据手册中使用的缩略语
缩略语
AC
说明
交流
缩略语
MIPS
说明
每秒百万条指令
ADC
模数转换器
OCD
片上调试
API
应用编程接口
PCB
印刷电路板
互补金属氧化物半导体
PDIP
塑料双列直插式封装
CPU
中央处理器
PGA
可编程增益放大器
CRC
循环冗余校验
PLL
锁相环
连续时间
POR
上电复位
CMOS
CT
DAC
DC
DTMF
ECO
EEPROM
数模转换器
直流
双音多频
PPOR
PRS
精密上电复位
伪随机序列
PSoC®
可编程片上系统
外部晶体振荡器
PWM
脉冲宽度调制器
电可擦除可编程只读存储器
QFN
四方扁平无引脚器件
实时时钟
通用输入 / 输出
RTC
ICE
在线仿真器
SAR
逐次逼近
IDE
集成开发环境
SC
切换电容
SLIMO
慢速 IMO
GPIO
ILO
内部低速振荡器
IMO
内部主振荡器
SMP
I/O
小外形集成电路
开关电压泵
输入 / 输出
SOIC
IrDA
红外数据协会
SPITM
串行外设接口
ISSP
系统内串行编程
SRAM
静态随机访问存储器
LCD
液晶显示器
SROM
只读管理存储器
LED
发光二极管
SSOP
紧缩小外形封装
LPC
低功耗比较器
UART
通用异步接收器 / 发送器
LVD
低压检测
USB
通用串行总线
MAC
乘累加
WDT
看门狗定时器
MCU
微控制器单元
XRES
外部复位
参考文档
CY8CPLC20、 CY8CLED16P01、 CY8C29x66、 CY8C27x43、 CY8C24x94、 CY8C24x23、 CY8C24x23A、 CY8C22x13、
CY8C21x34、 CY8C21x23、 CY7C64215、 CY7C603xx、 CY8CNP1xx 和 CYWUSB6953 PSoC® 可编程片上系统 《技术参考手
册》（TRM）（001-14463）
设计辅助 — 读取和写入 PSoC® 闪存 — AN2015 （001- 40459）
在 http://www.cypress.com 网站上提供的赛普拉斯四方扁平扩展引线 （QFN）封装器件的设计指南 — AN72845。
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CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413
CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
文档规范
测量单位
表 62 列出了测量单位。
表 62. 测量单位
符号
kB
测量单位
1024 个字节
符号
µs
测量单位
微秒
dB
分贝
ms
毫秒
°C
摄氏度
ns
纳秒
fF
飞法
ps
皮秒
pF
皮法
µV
微伏
kHz
千赫兹
mV
毫伏
MHz
兆赫兹
mVpp
rt-Hz
毫伏峰峰值
根赫兹
nV
纳伏
kΩ
千欧
V
伏特
W
欧姆
µW
微瓦
µA
微安
W
瓦特
mA
毫安
mm
毫米
nA
纳安
ppm
百万分率
pA
皮安
%
mH
毫亨
百分比
数字规范
十六进制数字中的所有字母均为大写，结尾带小写的 ‘h’ （例如，‘14h’ 或 ‘3Ah’）。十六进制数字还可以通过前缀 ‘0x’
来表示 （C 编码参数）。二进制数字结尾为小写的 ‘b’ （例如，‘01010100b’ 或 ‘01000011b’）。不带 ‘h’ 或 ‘b’ 的数
字是十进制数字。
术语表
高电平有效
1. 是一种逻辑信号，其激活状态为逻辑 1。
2. 是一种逻辑信号，它的逻辑 1 状态作为两个状态中较高的电压状态。
模拟模块
基本的可编程运算放大器电路。它们是 SC （切换电容）和 CT （连续时间）模块。这些模块内部互联时能够提
供 ADC、 DAC、多极滤波器、增益级等功能。
模数转换器
（ADC）
是将模拟信号转换为相应量级的数字信号的器件。通常， ADC 可以将电压转换成数字值。数模 （DAC）转换器
可用于执行逆向操作。
API
一系列的软件程序，包括计算机应用与低层服务和函数 （例如，用户模块和库）之间的接口。应用编程接口
（应用编程接口） （API）用作编程员在创建软件应用时使用的基本模块。
异步
该信号的数据被立即确认或作出响应，与任何时钟信号无关。
带隙参考
一个稳定电压的参考设计，将 VT 温度正系数与 VBE 温度负系数相互匹配，从而生成零温度系数 （理想的）参
考。
带宽
1. 指的是消息或信息处理系统的频率范围 （单位为赫兹）。
2. 放大器 （或吸收器）在其频谱区会有大量增益 （或损益）；有时，它表示更为具体，例如，半峰全宽。
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CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545
CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
术语表 （续）
偏置
1. 数值与参考值之间的系统偏差。
2. 一组值的平均值偏离参考值的幅度。
3. 针对器件建立运行该器件所需的参考电平所适用的电力、机械力、磁场或其他力 （场）。
模块
1. 用于执行单项功能的功能单元，例如振荡器。
2. 用于执行某个功能而配置的功能单元，例如，数字 PSoC 模块或模拟 PSoC 模块。
缓冲区
1. 是用来补偿数据从一个器件传输至另一个器件时速度之差的数据存储区。通常是指针对 IO 操作保留的区域，
可以对该区进行读写操作。
2. 一部分专门用于存储数据的储存器空间，通常在数据发送到外部器件之前或从外部器件接受到数据时使用。
3. 用于降低系统的输出阻抗的放大器。
总线
1. 网络的命名连接。将网络捆绑到总线中，便于使用类似的布线模式来对网络进行布线。
2. 用于执行通用功能并携带类似数据的一组信号。通常使用向量符号来表示；例如，地址 [7:0]。
3. 作为一组相关器件上通用连接的一个或多个导体。
时钟
是指生成具有固定频率和占空比的周期信号的器件。有时，时钟可以用来同步化各个不同的逻辑模块。
比较器
两个输入电平同时满足预定振幅要求时，生成输出电压或电流的电气电路。
编译器
一种将高级语言 （例如 C 语言）转换成机器语言的程序。
配置空间
在 PSoC 器件中，当 CPU_F 寄存器中的 XIO 位被设置为 ‘1’ 时，可以访问寄存器空间。
晶体振荡器
由压电晶体控制频率的振荡器。通常情况下，与其他电路组件相比，压电晶体对环境温度的灵敏度更低。
循环冗余校验
（CRC）
检测数据通迅中的错误时使用的计算方法，通常采用线性反馈移位寄存器来执行。相似计算方法可用于其他各种
用途，例如，数据压缩。
数据总线
计算机使用来从存储器位置向中央处理单元 （CPU）或反向传送信息的双向信号组。更为普遍的是，用来传送
数字功能之间数据的信号组。
调试器
允许用户用来分析正在开发系统操作的软件和硬件系统。调试器通常允许开发人员逐步执行固件操作，设置断点
及分析存储器。
死区
两个或多个信号都没有处于活动状态或切换状态的一段时间。
数字模块
可用作计数器、计时器、串行接收器、串行发送器、 CRC 发生器、伪随机数发生器或 SPI 的 8 位逻辑模块。
数模转换器
可将数字信号转换为相应量级的模拟信号的器件。模数 （ADC）转换器可以用来执行逆向操作。
占空比
时钟周期的高电平时间与其低电平时间的关系，表示为一个百分比。
仿真器
将某个系统的功能复制 （仿真）到另一个系统，从而第二个系统便可以显示类似于第一个系统的操作。
外部复位
传入 PSoC 器件的有效高电平信号，这导致 CPU 上所有操作和模块停止，并返回到预定义状态。
闪存
可电编程和电擦除、非易失性技术，可为用户提供 EPROM 的可编程功能和数据存储，以及系统内可擦除功能。
非易失性意味着断电时，数据仍被保留。
闪存模块
可一次性编程的闪存 ROM 最小空间及受保护的闪存最小空间。闪存模块的大小为 64 字节。
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术语表 （续）
频率
是指每个时间单位内的周期数量或事件数量，用于实现周期函数。
增益
分别为输出电流、电压或功率与相应的输入电流、电压或功率之间的比率。增益的单位通常为分贝 （dB）。
I2C
由飞利浦半导体 （现更名为 NXP 半导体）开发的两线串行计算机总线。 I2C 是内部集成电路。它用于连接嵌入
式系统中的低速外设。原始系统创建于 20 世纪 80 年代初期，当时只作为电池控制接口，但后来被用作构建控
制电子器件使用的简单的内部总线系统。 I2C 仅使用两个双向引脚，即时钟和数据，两者均使用 +5 V 的电压运
行，并采用电阻上拉。在标准模式下，总线的运行速度为 100 Kb/ 秒，而在快速模式下，总线的运行速度为 400
Kb/ 秒。
ICE
在线仿真系统允许您在硬件环境下测试项目，而在软件环境 （PSoC Designer）下查看调试器件活动。
输入 / 输出
是用于将数据代入系统或从系统中提取数据的器件。
中断
它是一个流程暂停 （例如，执行计算机程序），由流程外事件导致的、且在暂停后可恢复流程。
中断服务子程序
（ISR）
它是一个 M8C 收到硬件中断时常规代码执行转入的代码模块。许多中断源均有各自的优先级和单个 ISR 代码模
块。每个 ISR 代码模块均以 RETI 指令结束，并将器件返回到离开常规程序执行的程序点。
抖动
1. 从其理想位置跃变的时序错位。在串行数据流中发生的典型的损坏。
2. 一个或多个信号特性突然发生的意外变化，例如连续脉冲之间的间隔、连续周期之间的振幅或连续周期的频
率或相位。
低压检测 （LVD） 在 VDD 降低到选定阈值以下时，用以检测 VDD 并向系统生成中断的电路。
M8C
8 位 Harvard 架构的微处理器。通过连接到闪存、 SRAM 和寄存器空间，该微处理器来协调 PSoC 内部的所有
活动。
主设备
用于控制两个器件间数据交换时序的器件。或者，以脉冲宽度级联器件时，主设备是用来控制级联器件与外部接
口之间数据交换时序的器件。受控制的器件被称为从设备。
微控制器
主要用于控制系统和产品的集成电路器件。除 CPU 外，微控制器通常还包含存储器、定时电路和 I/O 电路。这
样做的原因是允许实现包含最小芯片数量的控制器，从而达到最大程度的微型化。相反，这会降低控制器的体积
和成本。微控制器通常不像微处理器那样执行通用计算功能。
混合信号
是指包含模拟和数字技术及组件的电路。
调制器
在载波上附加信号的器件。
噪声
1. 影响信号，且使信号携带的信息失真的干扰。
2. 电压、电流或数据等任何实体的其中一种或多种特性的随机变化。
振荡器
可受晶控，并用于生成时钟频率的电路。
奇偶校验
用于测试传输数据的技术。通常，将一个二进制数字添加到数据中，以便求解所有二进制数据奇数之和 （奇校
验）或偶数之和 （偶校验）。
锁相环 （PLL）
用来控制振荡器以便维持参考信息相关的常相角的电气电路。
引脚分布
引脚号分配：印刷电路板 （PCB）封装中 PSoC 器件及其物理对立方的逻辑输入与输出之间的关系。引脚分布
涉及引脚号 （如原理图与 PCB 设计 （两者均为计算机生成的文件）之间的链接），也涉及引脚名称。
端口
一组引脚，通常有八个。
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术语表 （续）
上电复位
当电压低于预设电平时，用于强制 PSoC 器件复位的电路。这是一种硬件复位的类型。
PSoC®
PSoC® 是赛普拉斯半导体公司的注册商标， PSoC™ 是赛普拉斯公司的商标。
PSoC Designer™ 赛普拉斯的可编程片上系统技术的软件。
脉冲宽度调制器
以占空比形式表示的输出，随着应用测量对象的不同而变化。
RAM
随机存取存储器的缩略语。数据存储器件，可以对该器件进行读写操作。
寄存器
具有特定容量 （例如一位或字节）的存储器件。
复位
它是一种使系统返回已知状态的方法。请参见硬件复位和软件复位部分的内容。
ROM
只读存储器的缩略语。数据存储器件，可以对该器件进行读操作但无法进行写操作。
串行
1. 表示所有事件在其中连续发生的流程。
2. 表示在单个器件或通道中两个或多个相关活动连续发生。
建立时间
将输入从一个值改变为另一个值后，输出信号或数值变为稳定状态所需要的时长。
移位寄存器
按顺序向左或向右转移一个文字，以便输出串行数据流的存储器存储器件。
从设备
允许另一个器件控制两个器件之间数据交换的时序的器件。或者，以脉冲宽度级联器件时，从设备是允许另一个
器件控制级联器件与外部接口之间数据交换的时序的器件。控制器件被称为主设备。
SRAM
静态随机存取存储器的缩略语。可以高速存储和检索数据的存储器器件。之所以使用术语 “ 静态 ”，是因为在将
某一值加载到 SRAM 单元时，该值会保持不变，直至它被明确更改，或直至器件断电为止。
SROM
只读管理存储器的缩略语。 SROM 保留用以引导器件、校准电路和执行闪存操作的代码。使用普通用户代码访
问 SROM 功能，并从闪存中运行。
停止位
是特征或模块带有的信号，用于准备接收器来接收下一个特征或模块。
同步
1. 指的是一个信号，其数据未被确认或做出响应，直到时钟信号的下一个边沿有效为止。
2. 其操作由时钟信号进行同步的系统。
三态
其输出可采用 0、 1 和 Z （高阻抗）等三种状态的功能 。该功能不会驱动 Z 状态下的任何值，但在许多方面，
可将其视为从其余电路断开，允许另一次输出以驱动相同网络。
UART
UART 或通用异步接收器 - 发送器在数据并行位和串行位之间转换。
用户模块
负责全面管理和配置低级模拟和数字 PSoC 模块的预构建、预测试硬件 / 固件外围功能。此外，用户模块还针对
外设功能提供高级 API （应用编程接口）。
用户空间
寄存器映射的组 0 的空间。在执行常规程序和初始化期间，很可能会对该组中的寄存器进行修改。只有在程序
初始化阶段，很可能对组 1 中的寄存器进行修改。
VDD
电源网络名称，意为 “ 电压提供 ”。正极的电源信号。电压通常为 5 V 或 3.3 V。
VSS
电源网络名称，意为 “ 电压源 ”。负极电源信号。
看门狗定时器
一个必须定期刷新的定时器。如果未定期刷新，则 CPU 会在指定时间期间后复位。
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勘误表
此章节介绍了 CY8C28243、CY8C28403、CY8C28413、CY8C28433、CY8C28445、CY8C28452、CY8C28513、CY8C28533、
CY8C28545、 CY8C28623、 CY8C28643 和 CY8C28645 PSoC 器件的勘误表。勘误表中包括勘误触发条件、影响范围、可用解决
方案和芯片修订适用性。
若有任何问题，请联系您本地赛普拉斯销售代表。
受影响的器件型号
器件型号
CY8C28403
器件特性
CY8C28243
所有形式
CY8C28413
所有形式
CY8C28433
所有形式
CY8C28445
所有形式
CY8C28513
所有形式
CY8C28533
所有形式
CY8C28545
所有形式
CY8C28643
所有形式
CY8C28645
所有形式
CY8C28452
所有形式
CY8C28623
所有形式
所有形式
合格状态
工程样本
勘误表汇总
下表定义了 CY8C28xxx 器件的勘误表适用性。
注意：下表中的每个勘误表项均被超链接。通过点击该项可以查看其说明。
项目
MPN
CY8C28403
CY8C28413
CY8C28513
CY8C28433
CY8C28533
CY8C28243
CY8C28643
CY8C28445
CY8C28545
CY8C28645
从 IDAC_CRx 和 DACx_D 寄存器读取错误
数据
文档编号：001-63461 版本 *D
CY8C28413
CY8C28513
CY8C28433
CY8C28533
CY8C28445
CY8C28545
CY8C28645
CY8C28452
芯片版本
ES10
在开始量产器件前，已计划芯片修复。
修复状态
ES10
在开始量产器件前，已计划芯片修复。
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1. 10 位 SAR ADC 不符合 DNL/INL 的规范。
■
问题定义
在某些条件下， 10 位硬件 SAR ADC 不符合 DNL 和 INL 的数据手册准确度规范。
■
受影响的参数
INLSAR10：积分非线性
DNLSAR10：微分非线性
■
触发条件 （S）
在所有的有效温度范围内，所测量到的 SAR ADC DNL 均大于 2 LSB ；在数据手册规范中，该值仅为 1.5 LSB。
如果使用 VPWR （Vdd）参考配置，在供电电压为 3.3 V 的条件下，在有效温度范围内所测量到的 SAR ADC DNL 为 2 LSB。在供电
电压为 5.5 V 的条件下，所测量到的 DNL 大于 3.5 LSB。
■
影响范围
不正确的转换数据。
■
解决方案
❐ 使用 CY8C28xxx 器件中的备用 ADC 实现 （DelSig、 ADCINC）。
❐ 当模数转换采用内部 Vpwr （Vdd）作为 Vref 时，请避免引起地址和数据总线变化的 CPU 操作。
❐ 将未缓冲的 RefHi 作为 ADC Vref 使用。但由于 RefHi 参考上所生成的噪声，该方案可能对模拟阵列中的模拟模块造成负面影响。
■
修复状态
在开始量产器件前，已计划芯片修复。
2. 从 IDAC_CRx 和 DACx_D 寄存器读取到错误数据
■
问题定义
CPU 可能从以下寄存器中错误地读取位 0、 3、 5 或 7 的值：
❐ IDAC_CR0
❐ IDAC_CR1
❐ DAC0_D
❐ DAC1_D
■
受影响的参数
器件数据手册中的 FCPU1 和 FCPU2 参数。
■
触发条件 （S）
当将 CPU 时钟设置为最高频率 （额定值为 24 MHz）时。
■
影响范围
从受影响的寄存器读取的错误数据。
■
解决方案
当对受影响的寄存器进行读操作时，暂时将 CPU 时钟频率降至 12 MHz （额定值）或更低的值。
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CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645
文档修订记录
文档标题：CY8C28243/CY8C28403/CY8C28413/CY8C28433/CY8C28445/CY8C28452/
CY8C28513/CY8C28533/CY8C28545/CY8C28623/CY8C28643/CY8C28645， PSoC® Programmable System-on-Chip™ （可
编程片上系统）
文档编号：001-63461
ECN
版本
变更者
提交日期
变更说明
**
3002270
VLX
08/06/2010
译自规范 001-48111 *G。
*A
4400686
SCHC
06/06/2014
更新封装信息：
规范 51-85077 — 将版本号从 *D 改为 *E。
规范 51-85079 — 将版本号从 *D 改为 *E。
规范 51-85064 — 将版本号从 *D 改为 *F。
规范 001-45616 — 将版本号从 *B 改为 *D。
规范 51-85062 — 将版本号从 *D 改为 *F。
*B
4521460
GKL
12/02/2014
本文档版本号为 Rev*B，译自英文版 001-48111 Rev*M。
*C
4659766
GKL
02/12/2015
更新了标题。
*D
4802418
GKL
07/02/2015
本文档版本号为 Rev*D，译自英文版 001-48111 Rev*N。
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文档编号：001-63461 版本 *D
修订日期 July 2, 2015
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PSoC Designer™ 和 Programmable System-on-Chip™ 是赛普拉斯半导体公司的商标，且 PSoC® 和 CapSense® 是赛普拉斯半导体公司的注册商标。
从赛普拉斯或某个获得赛普拉斯授权的联营公司处购买的 I2C 组件，即可根据 Philips I2C 专利权获得一份许可，以便在 I2C 系统中使用这些组件，但前提要保证该系统符合 Philips 定义的 I2C 标准规
范。自 2006 年 10 月 1 日起，飞利浦半导体就采用一个新的商标名称 — NXP 半导体。
本文件中介绍的所有产品和公司名称均为其各自所有者的商标。