BPX 80 BPX 82 ... 89 BPX 80 BPX 82 ... 89 feo06367 fez06365 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm ● Hohe Linearität ● Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy ● Gruppiert lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm ● High linearität ● Multiple-digit array package of transparent epoxy ● Available in groups Anwendungen Applications ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb ● Lochstreifenleser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 1 Miniature photointerrupters Punched tape reading Industrial electronics For control and drive circuits 03.96 BPX 80 BPX 82 ... 89 Typ Type Transistoren pro Zeile Number of Transistors per Array Maße “A” Bestellnummer Dimensions “A” Ordering Code min max BPX 82 2 4.5 4.9 Q62702-P21 BPX 83 3 7.0 7.4 Q62702-P25 BPX 84 4 9.6 10 Q62702-P30 BPX 85 5 12.1 12.5 Q62702-P31 BPX 86 6 14.6 15 Q62702-P22 BPX 87 7 17.2 17.6 Q62702-P32 BPX 88 8 19.7 20.1 Q62702-P33 BPX 89 9 22.3 22.7 Q62702-P26 BPX 80 10 24.8 25.2 Q62702-P28 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 230 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 32 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Semiconductor Group 2 BPX 80 BPX 82 ... 89 Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 200 mA Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 90 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 750 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 440 ... 1070 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.17 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.6 × 0.6 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 1.3 ... 1.9 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 18 Grad deg. Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCE 6 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 25 (≤ 200) nA Semiconductor Group 3 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics BPX 80 BPX 82 ... 89 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures Bezeichnung Description Symbol Symbol Werte Value -A Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCE VCE = 5 V -B Einheit Unit -C 0.32 ... 0.63 0.40 ... 0.80 ≥ 0.5 1.7 2.2 2.7 mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ t r, t f 5.5 6 8 µs Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 150 mV Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht möglich. For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite group. 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 4 BPX 80 BPX 82 ... 89 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 5 Total power dissipation Ptot = f (TA)