FC3355 NPN SILICON RF TRANSISTOR 描述 FC3355 硅超高频低噪声功率管是一种基于 N 型外延层的晶体管。具有高功率增益 、 低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。采用 TO-92 封装，具有理想的功率特性， FC3355 主要应用于 VHF、UHF、CATV 高频低噪声放大器。 主要特性 高增益: ︱S21︱2 典型值为 9.5dB 低躁声: NF 典型值为 1.5dB 增益带宽乘积: fT 典型值为 6GHz @ VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz @ VCE=10V,IC=7mA, f=1GHz @ VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz 订购信息 产品号 标准包装 FC3355 1K/包 极限工作条件范围 (TA=25℃) 参数 符号 极值 单位 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 3 V 集电极电流 IC 100 mA 功耗 PC 500 mW 结温度 Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ +150 ℃ hFE 规格 等级 K 标号 K hFE 50 - 250 LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - 1 - FC3355 NPN SILICON RF TRANSISTOR 电学特性 (TA=25℃) 参数 符号 最小 典型 最大 单位 集电极基极击穿电压 VCBO 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 uA VCB=10V 发射极基极漏电流 IEBO 1.0 uA VEB=1V 直流增益 hFE 50 150 增益带宽乘积 fT 4.5 6 输出反馈电容 Cre 0.7 插入功率增益 |S21|2 9.5 NF 1.5 噪声因子 20 V 测试条件 250 IC =1.0uA VCE=6V, IC=20mA GHz VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz 1.2 pF VCE=10V,IE=0mA,f=1MHz dB VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz 2.0 dB VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz 封装形式 TO-92 管脚定义：1：基极（Base） 2：发射极（Emitter） 3：集电极（Collector） 符号 LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD 最小值（mm）最大值（mm） A 4.33 4.83 B 4.33 4.83 C 14.0 15.0 D 0.36 0.56 E 2.54 F 1.27 G 0.92 1.12 H 3.40 3.60 - 2 - FC3355 NPN SILICON RF TRANSISTOR 典型特性曲线(TA=25℃) LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - 3 -