FC3357 NPN SILICON RF TRANSISTOR 描述 FC3357 是上海镭芯微电子有限公司生产的超高频低噪声功率晶体管，采用平面 NPN 硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特 性，封装形式为 SOT-89 贴片式封装，主要应用于 VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪 声放大器。 主要特性 高增益:︱S21︱2 典型值为 9dB 低躁声: NF 典型值为 1.1 dB 增益带宽乘积: fT 典型值为 6.5GHz @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz @ VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz @ VCE=10V，IC=20mA 订购信息 产品号 标准包装 FC3357 1K/盘 极限工作条件范围 (TA=25℃) 参数 符号 极值 单位 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 3 V 集电极电流 IC 100 mA *功耗 PC 1.2 W 结温度 Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ +150 ℃ *采用散热板 hFE 规格 等级 RH RF RE 标号 RH RF RE hFE 50-100 80-150 125-250 LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - - 1 FC3357 NPN SILICON RF TRANSISTOR 电学特性 (TA=25℃) 参数 符号 最小 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V IC=1.0uA 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V IC=100uA 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 uA VCB=10V 发射极基极漏电流 IEBO 1.0 uA VEB=1V 直流增益 hFE 增益带宽乘积 fT 6.5 GHz 输出反馈电容 Cre 0.65 pF VCB=10V,IE=0mA,f=1MHz 9 dB VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz 插入功率增益 噪声系数 50 | S21 |2 8.5 典型 150 最大 单位 250 测试条件 VCE=10V,IC=20mA VCE=10V,IC=20mA 1.8 3.0 dB VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz 1.1 2.0 dB VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF 封装形式 SOT-89 管脚定义：1：基极（Base） 2：集电极（Collector） LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - 3：发射极（Emitter） - 2 FC3357 NPN SILICON RF TRANSISTOR 典型特性曲线(TA=25℃) LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - - 3 FC3357 NPN SILICON RF TRANSISTOR LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - - 4 FC3357 NPN SILICON RF TRANSISTOR SMITH 图 测试条件：VCE=10V，IC=20mA，Zo=50Ω, S21- FREQUENCY S11-FREQUENCY LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - S12- FREQUENCY S22-FREQUENCY - 5 FC3357 NPN SILICON RF TRANSISTOR 散射参数（S-PARAMETER） 1.测试条件：VCE=10V, IC=20mA, ZO=50Ω Freq. S11 S21 S12 S22 (GHz) MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG 0.2 0.27 -102.61 14.4 136.62 0.04 98.3 0.49 -10.27 0.4 0.27 157.93 7.25 86.77 0.06 70.37 0.37 -53.73 0.6 0.26 119.23 4.87 61.96 0.09 54.45 0.37 -83.8 0.8 0.23 88.9 3.69 42.36 0.12 41.71 0.39 -108.76 1.0 0.21 58.83 2.92 23.11 0.14 26.75 0.42 -134.15 1.2 0.19 29.26 2.41 4.42 0.17 14.12 0.44 -157.08 1.4 0.17 -2.58 2.06 -10.38 0.2 1.24 0.48 -178.06 1.6 0.16 -34.79 1.77 -24.34 0.22 -11.82 0.52 160.7 1.8 0.17 -70.51 1.52 -39.88 0.23 -26.06 0.56 140.73 2.0 0.19 -102.87 1.47 -55.23 0.25 -38.02 0.59 120.59 2.测试条件：VCE=10V, IC=40mA, ZO=50Ω Freq. S11 S21 S12 S22 (GHz) MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG 0.2 0.23 -149.09 14.27 128.18 0.03 103.1 0.44 -8.68 0.4 0.29 145.15 7.19 85.47 0.06 75.22 0.37 -51.72 0.6 0.28 110.33 4.87 61.53 0.09 58.08 0.37 -82.38 0.8 0.25 81.81 3.71 42.23 0.12 44.37 0.39 -107.65 1.0 0.23 53.15 2.95 22.87 0.14 29.02 0.42 -133.06 1.2 0.21 24.46 2.44 4.28 0.17 15.97 0.44 -156 1.4 0.19 -6.28 2.09 -10.38 0.2 2.43 0.48 -177.1 1.6 0.18 -37.21 1.79 -24.42 0.23 -10.99 0.52 161.48 1.8 0.18 -71.89 1.53 -40.35 0.24 -25.58 0.56 141.26 2.0 0.2 -103.13 1.48 -55.5 0.26 -37.55 0.59 121.3 LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - - 6