FC3356 NPN SILICON RF TRANSISTOR 描述 FC3356 是上海镭芯微电子有限公司生产的超高频低噪声晶体管，采用平面 NPN 硅外 延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用 SOT23/SC-59 贴片式封装，主要应用于 VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器。 主要特性 高增益: ︱S21︱2 典型值为 11.5dB 低躁声: NF 典型值为 1.1dB 增益带宽乘积: fT 典型值为 7GHz @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz @ VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz 订购信息 产品号 标准包装 FC3356 3K/盘 极限工作条件范围 (TA=25℃) 参数 符号 极值 单位 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 3 V 集电极电流 IC 100 mA 功耗 PC 200 mW 结温度 Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ +150 ℃ hFE 规格 等级 Q R S 标号 R23 R24 R25 hFE 50-100 80-150 125-250 LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - 1 - FC3356 NPN SILICON RF TRANSISTOR 电学特性 (TA=25℃) 参数 符号 最小 集电极基极击穿电压 VCBO 20 集电极基极漏电流 ICBO 发射极基极漏电流 IEBO 直流增益 hFE 50 150 增益带宽乘积 fT 6 7 GHz VCE=10V,IC=20mA 输出反馈电容 Cre 0.65 pF VCB=10V,IE=0mA,f=1MHz 11.5 dB VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz dB VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz 功率增益 噪声因子 | S21 |2 10.5 NF 典型 最大 单位 测试条件 V IC=1.0uA 0.1 uA VCB=10V 1.0 uA VEB=1V 250 1.1 2.0 VCE=10V,IC=20mA 封装形式 SOT-23/SC-59 管脚定义：1：基极（Base） 2：发射极（Emitter） 3：集电极（Collector） SOT-23 符号 最小值 最大值 最小值 最大值 （mm） （mm） （mm） （mm） A 0.30 0.40 0.30 0.40 B 1.20 1.40 1.50 1.70 C 2.65 2.95 2.65 2.95 D 0.95 0.95 G 1.80 2.00 1.80 2.00 H 2.80 3.00 2.82 3.02 K 0.9 1.10 1.05 1.25 L M LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD SC-59 0.70 0.70 0.10 0.20 0.10 0.20 - 2 - FC3356 NPN SILICON RF TRANSISTOR 典型特性曲线(TA=25℃) LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - 3 - FC3356 NPN SILICON RF TRANSISTOR SMITH 图 测试条件：VCE=10V, IC=20mA , Zo=50Ω，f=0.2GHz-2.0GHz S21-FREQUENCY S11-FREQUENCY LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD S12-FREQUENCY S22-FREQUENCY - 4 - FC3356 NPN SILICON RF TRANSISTOR 散射参数（S-PARAMETER） 测试条件：VCE=10V，IC=20mA，Zo=50Ω 测试频率 S11 S21 S12 S22 GHz MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG 0.2 0.45 -70.42 16.73 150.2 0.04 89.27 0.42 -12.05 0.4 0.4 -177.3 9.3 94.32 0.06 65.65 0.21 -53.52 0.6 0.41 150.4 6.2 72.41 0.07 55.63 0.17 -76.62 0.8 0.41 126.3 4.69 55.83 0.1 47.91 0.17 -97.1 1.0 0.42 104.6 3.75 40.65 0.12 38.96 0.17 -119 1.2 0.42 85.22 3.17 26.22 0.14 30.11 0.17 -138.9 1.4 0.42 65.91 2.74 13.54 0.17 21.39 0.18 -158.9 1.6 0.42 47.16 2.4 1.03 0.2 12.16 0.19 -177.5 1.8 0.41 27.84 2.13 -12.34 0.22 2.27 0.21 164.93 2.0 0.4 8.34 1.99 -24.2 0.23 -8.36 0.23 148.19 测试条件：VCE=10V，IC=5mA, Zo=50Ω 测试频率 S11 S21 S12 S22 GHz MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG 0.2 0.77 -3.8 6.78 -177.5 0.06 99.12 0.8 6.86 0.4 0.62 -112.9 6.04 117.8 0.08 50.85 0.44 -48.92 0.6 0.52 -174.9 4.82 83 0.09 36.61 0.35 -73.18 0.8 0.49 150 3.81 61.86 0.1 30.36 0.32 -93.35 1.0 0.48 122.4 3.09 43.61 0.11 24.14 0.31 -113.7 1.2 0.48 99.54 2.64 27.16 0.12 18.43 0.31 -133.2 1.4 0.48 78.4 2.27 13.76 0.14 13.12 0.32 -153.3 1.6 0.48 58 1.97 0.66 0.17 6.97 0.32 -172.6 1.8 0.47 37.79 1.75 -13.71 0.18 0.2 0.34 168.78 2.0 0.46 17.69 1.66 -25.39 0.2 -9.01 0.36 150.36 LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD - 5 -