1N4148WT

1N4148WT
1N4148WT
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-05-03
±0.05
0.7
0.13
1.2
Power dissipation – Verlustleistung
150 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
75 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
~ SOD-523
±0.05
1.5
0.35
0.8
Weight approx. – Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148WT
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
150 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
125 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
250 mA 1)
IFSM
IFSM
2 A 1)
1A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
75 V
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
VRSM
100 V 2)
Tj
TS
-65...+150°C
-65…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 µs
tp ≤ 100ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF
IF
IF
IF
=
=
=
=
Leakage current – Sperrstrom
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 25 nA
< 1 µA
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C
VR = 25 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
1 mA
10 mA
50 mA
150 mA
VF
RthA
< 0.715 V
< 0.855 V
< 1.000 V
<1.250V
< 833 K/W 1)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1N4148WT
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
-2
10
60
40
Tj = 25°C
-3
10
20
IF
Ptot
0
-4
0
TA
50
100
150
[°C]
10
1
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
2
http://www.diotec.com/
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG