DIOTEC F1200A

F1200A, F1200D
Schnelle Silizium Gleichrichter
Fast Silicon Rectifiers
Version 2004-04-06
Nominal current – Nennstrom
Type
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
±0.1
50V, 200 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
7,5 ±0.1
62.5
±0.5
Ø8
12 A
Ø 8 x 7.5 [mm]
P-600 Style
Weight approx. – Gewicht ca.
1.5 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2 ±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
F1200A
F1200D
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
200
50
200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
12 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
80 A 1)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
375 A
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
680 A2s
Tj
TS
– 50…+150°C
– 50…+175°C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
F1200A, F1200D
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
VF
< 0.82 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 25 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
< 200 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 10 K/W 1)
1
Pulse thermal resistance versus pulse duration )
Impulswärmewiderstand in Abh. v.d. Impulsdauer 1)
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2