Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,17 K/W - - 0,29 K/W Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC RthJC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K RthCK - 0,02 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 Kriechstrecke creepage insulation 15 mm Luftstrecke clearance 8,5 mm CTI comperative tracking index 275 Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung mounting torque Schraube M6 screw M6 5 M1 Nm -15 Gewicht weight G +15 % 180 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08 g Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) VGE= 15V 400 350 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 300 IC [A] 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) Tvj= 125°C 400 350 VGE = 8V VGE = 9V 300 VGE = 10V VGE = 12V IC [A] 250 VGE = 15V VGE = 20V 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C= f (VGE) VCE= 20V 400 350 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 300 IC [A] 250 200 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) I F= f (VF) 400 Tvj = 25°C 350 Tvj = 125°C 300 IF [A] 250 200 150 100 50 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 VF [V] 5 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC) RG,on= 1,5Ω, Ω,= Ω , VCC= 300V, Tvj= 125°C Ω, =RG,off = 1,5Ω 16 Eon 14 Eoff Erec E [mJ] 12 10 8 6 4 2 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG) IC= 200A , VCC= 300V , Tvj = 125°C 18 16 Eon Eoff 14 Erec E [mJ] 12 10 8 6 4 2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 RG [Ω Ω] 6 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t) 1 ZthJC [K / W] 0,1 Zth:IGBT Zth:Diode 0,01 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] τi [sec] ri [K/kW] τi [sec] : IGBT 1 7,2 2 89,1 3 59,9 4 13,8 : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626 : Diode 102,2 98,0 61,6 28,2 : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, R G,off = 1,5Ω, Ω, Tvj= 125°C 450 400 350 300 250 IC [A] 200 IC,Modul 150 IC,Chip 100 50 0 0 100 200 300 400 500 600 700 VCE [V] 7 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 13 M5 10 6 1 17 23 7 3 23 80 94 6 6 2 2,8 x 0,5 17 5 4 6 7 1 3 5 2 4 8 (8) BSM 200 GB 60 DLC 2000-02-08