Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 600 V Tc= 65°C IC,nom. 100 A Tc= 25°C IC 130 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP= 1ms, Tc= 65°C ICRM 200 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C, Transistor Ptot 430 W VGES +/- 20V V IF 100 A IFRM 200 A I2t 3.200 A2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP= 1ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 1,95 2,45 V - 2,20 - V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 125°C VCE sat Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 4,3 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,4 - nF - 1 500 µA - 1 - mA - - 400 nA Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26 approved by: Michael Hornkamp revision: 1 1 (8) ICES IGES BSM 100 GD 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 25 - ns - 25 - ns - 10 - ns - 11 - ns - 130 - ns - 150 - ns - 20 - ns - 30 - ns Eon - 1,0 - mJ Eoff - 2,9 - mJ ISC - 450 - A LσCE - 28 - nH RCC'+EE' - 1,8 - mΩ min. typ. max. - 1,25 1,6 V - 1,20 - V - 150 - A - 180 - A - 7,7 - µC - 13 - µC - - - mJ - 3,2 - mJ Transistor / Transistor IC= 100A, VCC= 300V Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 25°C td,on VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C IC= 100A, VCC= 300V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 25°C tr VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C IC= 100A, VCC= 300V Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 25°C td,off VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C IC= 100A, VCC= 300V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 25°C tf VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse IC= 100A, VCC= 300V, VGE= 15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse IC= 100A, VCC= 300V, VGE= 15V Kurzschlußverhalten SC Data RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 15nH RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 15nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt Modulinduktivität stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip lead resistance, terminals - chip Tc= 25°C Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage IF= 100A, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= 100A, VGE= 0V, Tvj= 125°C VF IF= 100A, -diF/dt= 4400A/µsec Rückstromspitze peak reverse recovery current VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IRM VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF= 100A, -diF/dt= 4400A/µsec Sperrverzögerungsladung recoverred charge VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Qr VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF= 100A, -diF/dt= 4400A/µsec Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C 2 (8) Erec BSM 100 GD 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,29 K/W - - 0,55 K/W Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC RthJC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K RthCK - 0,01 Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C K/W Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung mounting torque 225 Schraube M5 screw M5 4 M Nm -15 Gewicht weight G +15 % 310 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (8) BSM 100 GD 60 DLC 2000-02-08 g Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) VGE= 15V 200 180 Tvj = 25°C 160 Tvj = 125°C IC [A] 140 120 100 80 60 40 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) Tvj= 125°C 200 180 VGE = 8V 160 VGE = 9V VGE = 10V 140 VGE = 12V VGE = 15V 120 VGE = 20V 100 80 60 40 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 4 (8) 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 BSM 100 GD 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C= f (VGE) VCE= 20V 200 180 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 160 IC [A] 140 120 100 80 60 40 20 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) I F= f (VF) 200 180 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 160 IF [A] 140 120 100 80 60 40 20 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 VF [V] 5 (8) BSM 100 GD 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC) RG,on= 2,2Ω, Ω,= Ω , VCC= 300V, Tvj= 125°C Ω, =RG,off = 2,2Ω 5,0 4,5 Eon Eoff 4,0 Erec E [mJ] 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG) IC= 100A , VCC= 300V , Tvj = 125°C 4,0 3,5 3,0 E [mJ] 2,5 2,0 1,5 1,0 Eon Eoff 0,5 Erec 0,0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 RG [Ω Ω] 6 (8) BSM 100 GD 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t) 1 ZthJC [K / W] 0,1 Zth:IGBT Zth:Diode 0,01 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] τi [sec] ri [K/kW] τi [sec] : IGBT 1 12,3 2 152,0 3 102,2 4 23,5 : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626 : Diode 193,8 185,9 116,8 53,5 : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, R G,off = 2,2Ω, Ω, Tvj= 125°C 220 200 180 160 140 120 IC [A] 100 80 IC,Modul 60 IC,Chip 40 20 0 0 100 200 300 400 500 600 700 VCE [V] 7 (8) BSM 100 GD 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram Econo 3 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 19.05 3.81 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 3.81 1.15x1.0 15.24 5 x 15.24 =76.2 110 connections to be made externally P+ / 21 1 2 5 6 9 10 3 4 7 8 11 12 N- / 20 P+ / 13 19 17 15 N- / 14 IS8 8 (8) BSM 100 GD 60 DLC 2000-02-08 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: BSM100GD60DLC