Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BYM 200 B 170 DN2 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Sperrspannung der Diode Diode rerverse voltage Tvj = 25°C VCES 1700 V Dauergleichstrom DC forward current TC = 80 °C IF 200 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp = 1 ms IFRM 400 A Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C I2t 14,5 k A 2s Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4,0 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 200A, V GE = 0V, Tvj = 25°C VF IF = 200A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C IRM max. 2,2 2,6 V - 2,0 - V - 130 - A - 190 - A IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Qr VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy typ. - IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge min. - 22 - µAs - 50 - µAs IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication: 2002-11-25 approved by: Christoph Lübke revision: 2.2 1(4) Erec - 10 - mWs - 20 - mWs DB_BYM200B170DN2_2.2.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BYM 200 B 170 DN2 vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. RthJC - - 0,150 K/W RthCK - 0,012 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Tvj op -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 Kriechstrecke creepage distance 20 mm Luftstrecke clearance 11 mm CTI comperative tracking index 425 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Schraube / screw M6 M 3 - 6 Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Anschlüsse / terminals M6 M 2 - 5 Nm Gewicht weight G 340 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 2(4) DB_BYM200B170DN2_2.2.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BYM 200 B 170 DN2 vorläufige Daten preliminary data Ü Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) FI = f (VF) 400 350 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 300 IF [A] 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 3(4) DB_BYM200B170DN2_2.2.xls Technische Information / Technical Information BYM 200 B 170 DN2 vorläufige Daten preliminary data 4(4) DB_BYM200B170DN2_2.2.xls