Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 17 K6C B2 vorläufige daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp = 1 ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VCES 1700 V IF 800 A IFRM 1600 A 2 I t 170 kA2s VISOL 4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values min. Durchlaßspannung forward voltage Sperrstrom reverse current IF = 800A, V GE = 0V, Tvj = 25°C VR = 1700V, Tvj = 25°C Rückstromspitze peak reverse recovery current VF IF = 800A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VR = 900V, T vj = 25°C IRM V 2,5 V 5 mA A 860 A 135 µAs 265 µAs 75 mWs 155 mWs LsAC 20 nH RCC´+EE´ 0,16 mW IF = 800A, - diF/dt = 6300A/µsec VR = 900V, T vj = 25°C Qr IF = 800A, - diF/dt = 6300A/µsec VR = 900V, T vj = 25°C Modulinduktivität stray inductance module pro Diode / per Diode Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm prepared by: date of publication: 06.11.2001 approved by: Christoph Lübke; 2001-11-09 2,5 2,1 710 Erec VR = 900V, T vj = 125°C A. Wiesenthal 2,1 IF = 800A, - diF/dt = 6300A/µsec VR = 900V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy max. IR VR = 900V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge typ. revision: 1 (preliminary) 1(5) DD800S17K6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 17 K6C B2 vorläufige daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode / per diode, DC RthJC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K RthCK Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature typ. max. 0,034 0,008 Tvj K/W K/W 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Tvjop -40 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AlN Kriechstrecke creepage distance 15 mm Luftstrecke clearance 10 mm CTI comperative tracking index min. Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M8 Gewicht weight 275 M1 5 Nm M2 8 - 10 Nm G 1050 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 2(5) DD800S17K6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information DD 800 S 17 K6C B2 IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige daten preliminary data Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1400 1200 1000 IF [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 3(5) DD800S17K6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information DD 800 S 17 K6C B2 IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) ZthJC [K / W] 0,1 0,01 Zth:Diode 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : Diode Ji [sec] : Diode 1 2 3 4 15,7 7,05 2,24 9,05 0,0287 0,0705 0,153 0,988 4(5) DD800S17K6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 17 K6C B2 Äußere Abmessungen / external dimensions 5(5) DD800S17K6CB2_V.xls