データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SA1069, 1069A PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ 高速度スイッチング用 工業用 ★ 2SA1069,1069A は,高速度スイッチング用として開発された オーダ情報 モールド・パワー・トランジスタで,スイッチング・レギュレータ, オーダ名称 DC/DC コンバータ,高周波電力増幅機器などのドライバとして パッケージ 2SA1069 TO-220AB 最適です。 2SA1069A 特 徴 (TO-220AB) ○ コレクタ飽和電圧が小さい。 ○ スイッチング速度が速い。 絶対最大定格(TA = 25°°C) 項 目 略号 条 件 2SA1069/2SA1069A 単位 コレクタ – ベース間電圧 VCBO −80 V コレクタ – エミッタ間電圧 VCEO −60 / –80 V エミッタ – ベース間電圧 VEBO −12 V コレクタ電流(直流) IC(DC) −5.0 A コレクタ電流 (パルス) IC(pulse) −10 A −2.5 A TC = 25°C 30 W TA = 25°C 1.5 W Tj 150 °C Tstg –55∼+150 °C PW ≦ 300 µs, Duty Cycle ≦ 10 % ベース電流(直流) 全損失 IB(DC) PT ジャンクション温度 保存温度 本資料の内容は,予告なく変更することがありますので,最新のものであることをご確認の上ご使用ください。 資料番号 D14855JJ3V0DS00(第 3 版) (旧資料番号 TC-5397A) 発行年月 May 2000 NS CP(K) 本文欄外の 印は,本版で改訂された主な箇所を示しています。 1988, 2000 2SA1069,1069A 電気的特性(TA = 25°°C) 2SA1069 / 2SA1069A 項 目 略号 条 件 コレクタ – エミッタ間電圧 VCEO(SUS) コレクタ – エミッタ間電圧 VCEX(SUS)1 MIN. TYP. MAX. 単位 IC = –3.0 A, IB1 = –0.3 A, L = 1 mH –60/–80 V IC = –3.0 A, IB1 = –IB2 = – 0.3 A, –60/–80 V –60/–80 V VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180 µH, Clamped コレクタ – エミッタ間電圧 VCEX(SUS)2 IC = –6.0 A, IB1 = –0.6 A, IB2 = 0.3 A, VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180 µH, Clamped コレクタしゃ断電流 ICBO VCB = –60 / –80 V, IE = 0 A –10 µA コレクタしゃ断電流 ICER VCE = –60 / –80 V, RBE = 51 Ω, –1.0 mA VCE = –60 / –80 V, VBE(OFF) = 1.5V –10 µA VCE = –60 / –80 V, VBE(OFF) = 1.5V, –1.0 mA –10 µA TA = 125℃ コレクタしゃ断電流 ICEX1 コレクタしゃ断電流 ICEX2 TA = 125℃ エミッタしゃ断電流 VEB = –5.0 V, IC = 0 A IEBO 直流電流増幅率 hFE1 直流電流増幅率 hFE2 コレクタ飽和電圧 VCE(sat) VCE = –5.0 V, IC = –0.3 A 注 VCE = –5.0 V, IC = –3.0 A 注 IC = –3.0 A, IB = –0.3 A 注 注 40 40 200 –0.6 V –1.5 V ベース飽和電圧 VBE(sat) IC = –3.0 A, IB = –0.3 A ターンオン時間 ton IC = –3.0 A, RL = 17 Ω, 0.5 µs 蓄積時間 tstg IB1 = –IB2 = –0.3 A, VCC ≒ –50 V 2.5 µs 測定回路図参照 0.5 µs 下降時間 tf 注 パルス測定 PW ≦ 350 µs, Duty Cycle ≦ 2 % hFE 規格区分 捺印 M L K hFE2 40∼80 60∼120 100∼200 スイッチング時間(ton,tstg,tf)測定回路 RL IC VIN ベース電流波形 IB2 IB1 T.U.T. IB1 VCC IB2 10 % コレクタ電流波形 IC PW PW ≒ 50 µs Duty Cycle ≦ 2 % 2 90 % VBB ≒ 5.0 V ton データ・シート D14855JJ3V0DS00 tstg tf 2SA1069,1069A 特性曲線(TA = 25 °C) TOTAL POWER DISSIPATION vs. CASE TEMPERATURE FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA −30 50 −10 20 1m s IC(DC) コレクタ電流 IC (A) 30 PW IC(pulse) 10 m 30 100 µs 0µ s Di 100 m s ss s Lim ipa ite tion d −1 10 −0.1 0 −25 0 50 100 150 2SA1069 2SA1069A Single Pulse −0.03 −10 −1 ケース温度 TC (˚C) −100 TRANSIENT THERMAL RESISTANCE 100 s/b D is 60 過渡熱抵抗 rth(j-c) (˚C/W) ディレーティング dT (%) 10 80 Lim ite d si pa tio n 40 Li m ite d 20 0 50 100 VCE = −20 V ⊿Tj = 50 ˚C 1 0.1 0.01 0.01 150 0.1 10 1 100 パルス幅 PW (ms) ケース温度 TC (˚C) REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE −10 −5 −8 −4 コレクタ電流 IC (A) コレクタ電流 IC (A) −1000 コレクタ - エミッタ間電圧 VCE (V) DERATING CURVE OF SAFE OPERATING AREA 0 =3 0µ s ited Lim S/b 全損失 PT (W) 40 −6 −4 −2 −80 mA −90 mA −100 mA −70 mA −60 mA −50 mA −40 mA −3 −30 mA −20 mA −2 IB = −10 mA −1 2SA1069 2SA1069A 0 0 −40 −80 −120 0 0 コレクタ - エミッタ間電圧 VCE (V) データ・シート −1 −2 −3 −4 −5 コレクタ - エミッタ間電圧 VCE (V) D14855JJ3V0DS00 3 2SA1069,1069A COLLECTOR AND BASE SATURATION VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT DC CURRENT GAIN vs. COLLECTOR CURRENT VCE = −5.0 V パルス測定 直流電流増幅率 hFE TA = 125˚C 75˚C 25˚C 100 −25˚C 10 1 −0.01 −0.1 −1 −10 −10 ベース飽和電圧 VBE(sat) (V) コレクタ飽和電圧 VCE(sat) (V) 1000 −1.0 −0.1 −0.01 −0.01 下降時間 tf (µ s) 蓄積時間 tstg (µ s) ターン・オン時間 ton (µ s) TURN ON TIME, STORAGE TIME AND FALL TIME vs. COLLECTOR CURRENT 10 IC = 10・IB1 = −10・IB2 tstg 1.0 ton tf 0.1 −0.5 −1 −5 −10 コレクタ電流 IC (A) 4 VBE(sat) VCE(sat) −0.1 −1 コレクタ電流 IC (A) コレクタ電流 IC (A) 0.01 −0.1 IC = 10 A・IB パルス測定 データ・シート D14855JJ3V0DS00 −10 2SA1069,1069A 外形図(単位:mm) TO-220AB (MP-25) 10.6 MAX. 4.8 MAX. φ 3.6±0.2 1.3±0.2 4 15.5 MAX. 10.0 5.9 MIN. 3.0±0.3 1.3±0.2 0.75±0.1 2.54 TYP. 12.7 MIN. 1 2 3 6.0 MAX. ★ 0.5±0.2 2.8±0.2 2.54 TYP. 1.ベース 2.コレクタ 3.エミッタ 4.フィン(コレクタ) データ・シート D14855JJ3V0DS00 5 2SA1069,1069A 〔メ モ〕 6 データ・シート D14855JJ3V0DS00 2SA1069,1069A 〔メ モ〕 データ・シート D14855JJ3V0DS00 7 2SA1069,1069A • 本資料の内容は予告なく変更することがありますので,最新のものであることをご確認の上ご使用くだ さい。 • 文書による当社の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。 • 本資料に記載された製品の使用もしくは本資料に記載の情報の使用に際して,当社は当社もしくは第三 者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。上記使用に 起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合,当社はその責を負うものではありませんの でご了承ください。 • 本資料に記載された回路,ソフトウエア,及びこれらに付随する情報は,半導体製品の動作例,応用例 を説明するためのものです。従って,これら回路・ソフトウエア・情報をお客様の機器に使用される場 合には,お客様の責任において機器設計をしてください。これらの使用に起因するお客様もしくは第三 者の損害に対して,当社は一切その責を負いません。 • 当社は品質,信頼性の向上に努めていますが,半導体製品はある確率で故障が発生します。当社半導体 製品の故障により結果として,人身事故,火災事故,社会的な損害等を生じさせない冗長設計,延焼対 策設計,誤動作防止設計等安全設計に十分ご注意願います。 • 当社は,当社製品の品質水準を「標準水準」,「特別水準」およびお客様に品質保証プログラムを指定 して頂く「特定水準」に分類しております。また,各品質水準は以下に示す用途に製品が使われること を意図しておりますので,当社製品の品質水準をご確認の上ご使用願います。 標準水準:コンピュータ,OA機器,通信機器,計測機器,AV機器,家電,工作機械,パーソナル機 器,産業用ロボット 特別水準:輸送機器(自動車,列車,船舶等),交通用信号機器,防災/防犯装置,各種安全装置, 生命維持を直接の目的としない医療機器 特定水準:航空機器,航空宇宙機器,海底中継機器,原子力制御システム,生命維持のための医療機 器,生命維持のための装置またはシステム等 当社製品のデータ・シート/データ・ブック等の資料で,特に品質水準の表示がない場合は標準水準製 品であることを表します。当社製品を上記の「標準水準」の用途以外でご使用をお考えのお客様は,必 ず事前に当社販売窓口までご相談頂きますようお願い致します。 M7 98.8 お問い合わせ先 【技術的なお問い合わせ先】 電 話 FAX E-mail NEC半導体テクニカルホットライン (電話:午前 9:00∼12:00,午後 1:00∼5:00) :044-548-8899 :044-548-7900 :[email protected] 【営業関係お問い合わせ先】 第一販売事業部 東 京 (03)3798-6106, 6107, 6108 名古屋 (052)222-2375 大 阪 (06)6945-3178, 3200, 3208, 3212 仙 台 (022)267-8740 郡 山 (024)923-5591 千 葉 (043)238-8116 第二販売事業部 東 京 (03)3798-6110, 6111, 6112 立 川 (042)526-5981, 6167 松 本 (0263)35-1662 静 岡 (054)254-4794 金 沢 (076)232-7303 松 山 (089)945-4149 第三販売事業部 東 京 (03)3798-6151, 6155, 6586, 1622, 1623, 6156 水 戸 (029)226-1702 広 島 (082)242-5504 高 崎 (027)326-1303 鳥 取 (0857)27-5313 太 田 (0276)46-4014 名古屋 (052)222-2170, 2190 福 岡 (092)261-2806 【資料の請求先】 上記営業関係お問い合わせ先またはNEC特約店へお申しつけください。 【インターネット電子デバイス・ニュース】 NECエレクトロンデバイスの情報がインターネットでご覧になれます。 URL(アドレス) http://www.ic.nec.co.jp/ C00.4