DIOTEC BYW55P

BYW52P ... BYW56P
BYW52P ... BYW56P
Standard Controlled Avalanche Rectifiers
Standard-Gleichrichter mit kontrolliertem Durchbruchsverhalten
Version 2009-06-16
Nominal current
Nennstrom
6.3±0.1
Type
62.5±0.5
Ø 3±0.05
Ø 0.8±0.05
Dimensions - Maße [mm]
2A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
DO-15
DO-204AC
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
200...1000 V
Grenz- und Kennwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Min. breakdown voltage
Min. Abbruchspannung
VBR [V] 1)
BYW52P
200
> 250
BYW53P
400
> 450
BYW54P
600
> 650
BYW55P
800
> 900
BYW56P
1000
> 1100
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
2 A 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
50/55 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
12.5 A2s
Non-repetitive peak reverse avalanche energy
Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung
IRSM = 1 mA
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
ERSM
Tj
TS
20 mJ
-50...+150°C
-50...+175°C
IRSM = 1 mA
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BYW52P ... BYW56P
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 2 A
VF
< 1.1 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 3 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
RthL
< 15 K/W
120
10
2
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
50a-(2a-1.1v)
10
-2
0
TA
100
50
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
2
10
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG