DIOTEC MMFTN20

MMFTN20
MMFTN20
N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor
N-Kanal Vertikal D-MOS Transistor - Anreicherungstyp
N
N
Version 2010-09-24
Power dissipation – Verlustleistung
1.1
2.9 ±0.1
0.4
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1
1.3±0.1
2.5 max
3
Type
Code
300 mW
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=G
2=S
3=D
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMFTN20
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
VDS
50 V
VGSO
± 20 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
300 mW 1)
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
250 mW 2)
Drain current – Drainstrom (dc)
ID
100 mA
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
IDM
300 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung
1
2
D open
Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm
Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm
Device mounted on standard PCB material
Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MMFTN20
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
ID = 10 µA
V(BR)DSS
50 V
Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom
VDS = 40 V
IDSS
1 µA
IGSS
± 100 nA
Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom
VGS = ± 20 V
Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
VGS = VGS, ID = 1 mA
VGS(th)
0.4 V
1.8 V
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
VGS = 10 V, ID = 100 mA
VGS = 5 V, ID = 100 mA
VGS = 2.5 V, ID = 10 mA
RDS(on)
RDS(on)
RDS(on)
15 Ω
20 Ω
30 Ω
Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit
VDS = 10 V, ID = 100 mA
‫׀‬gfs‫׀‬
40 mS
Input Capacitance – Eingangskapazität
VDS = 10 V, f = 1 MHz
Ciss
15 pF
Coss
15 pF
Crss
5 pF
t(on)
5 ns
Output Capacitance – Ausgangskapazität
VDS = 10 V, f = 1 MHz
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität
VDS = 10 V, f = 1 MHz
Turn-On Time – Einschaltzeit
VGS = 0 ... 10 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA
Turn-Off Time – Ausschaltzeit
VGS = 10 ... 0 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA
t(off)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
2
RthA
RthA
10 ns
1
< 430 K/W )
< 500 K/W 2)
Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm
Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm
Device mounted on standard PCB material
Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial
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© Diotec Semiconductor AG