MMFTN20 MMFTN20 N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor N-Kanal Vertikal D-MOS Transistor - Anreicherungstyp N N Version 2015-05-12 Type Code 1 1.3±0.1 3 2.4 ±0.2 0.4 Power dissipation – Verlustleistung +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 +0.1 -0.05 2 1.9 ±0.1 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D 300 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMFTN20 Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDS 50 V VGSO ± 20 V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 300 mW 1) Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 2) Drain current – Drainstrom (dc) ID 100 mA Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom IDM 300 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung 1 2 D open Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm Device mounted on standard PCB material Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTN20 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA V(BR)DSS 50 V Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom VDS = 40 V IDSS 1 µA IGSS ± 100 nA Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 20 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VGS, ID = 1 mA VGS(th) 0.4 V 1.8 V Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V, ID = 100 mA VGS = 5 V, ID = 100 mA VGS = 2.5 V, ID = 10 mA RDS(on) RDS(on) RDS(on) 15 Ω 20 Ω 30 Ω Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit VDS = 10 V, ID = 100 mA ׀gfs׀ 40 mS Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Ciss 15 pF Coss 15 pF Crss 5 pF t(on) 5 ns Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Turn-On Time – Einschaltzeit VGS = 0 ... 10 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA Turn-Off Time – Ausschaltzeit VGS = 10 ... 0 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA t(off) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 2 RthA RthA 10 ns 1 < 430 K/W ) < 500 K/W 2) Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm Device mounted on standard PCB material Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG