GSME GMA733

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA733
■MAXIMUM
RATINGS (T a=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
VCBO
-60
Vdc
集電極-發射極電壓
VCEO
-50
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
-5.0
Vdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Ic
-150
mA
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
PC
200
mW
Junction Temperature
結溫
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Collector-Emitter Voltage
■DEVICE
MARKING 打標
GM
A733
LT1)=C
S
GMA733
A733((A733
A733LT1)=C
LT1)=CS
75
HFE:120-220 200-4
200-475
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA733
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,,溫度爲 25
25℃))
Characteristic
特性參數
Symbol Test Condition Min
Typ
Max
Unit
符號
測試條件
最小值 典型值 最大值 單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=-60V,
I E=0
—
—
-0.1
μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB=-5V,
IC=0
—
—
-0.1
μA
V(BR)CBO
IC=-5μA
-60
—
—
V
V(BR)CEO
IC=-1.0mA
-50
—
—
V
V(BR)EBO
IE=-50μA
-5
—
—
V
HFE
VCE=-6V,
IC=-1mA
120
—
475
—
VCE(sat)
I C=-100mA,
IB=-10mA
—
—
-0.3
V
VBE
VCE=-6V,
IC=-1mA
—
—
-0.68
V
fT
VCE=-6.0V,
IC=-10mA
50
—
—
MHz
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Votlage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
Base-Emitter Saturation
基極-發射極電壓
Transition Frequency
特徵頻率
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA733
■DIMENSION
外形封裝尺寸
單位(UNIT):mm