NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13007F █ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＳＷＩＴＣＨ ＭＯＤＥ ＡＰＰＬＩＣＩＣＡＴＩＯＮ High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220F T stg ——Storage Temperature………………………… －65~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 40W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 700V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V 1―Base，B VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V 2―Collector，C 3―Emitter, E IC——Collector Current（DC）………………………………… 8A ICP ——Collector Current（Pulse）…………………………… 16A IB——Base Current……………………………………………4A █ 电参数（Ta=25℃） Symbol Characteristics BVCEO Collector-Emitter Sustaining Voltage IEBO Emitter-Base Cut-off Current HFE DC Current Gain VCE(sat) VBE(sat) Min Typ Max 400 Unit V 1 mA Test Conditions IC=10mA, IB=0 VEB=9V, IC=0 10 40 VCE=5V, IC=2A 5 30 VCE=5V, IC=5A Collector- Emitter Saturation Voltage Base- Emitter Saturation Voltage 1 V IC=2A, IB =0.4A 2 V IC=5A, IB =1A 3 V IC=8A, IB =2A 1.2 V IC=2A, IB =0.4A 1.6 V IC=5A, IB =1A pF VCB=10V, f=0.1MHz Cob Output Capacitance 110 fT Current Gain-Bandwidth Product tON Turn On Time 1.6 μs VCC=125V, IC=5A, tS Storage Time 3 μs IB1 =-IB2 =1A tF Fall Time 0.7 μs RL=50Ω 4 MHz VCE=10V, IC=0.5A hFE Classification： H1（10--16） H2（14--21） H3（19--26） H4（24--31） H5（29--40） Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN SILICON TRANSISTOR KSH13007F Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN SILICON TRANSISTOR KSH13007F