NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 13009 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D423AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：4230×4230µm 2 焊位尺寸：B 极 1200×420µm 2，E 极 1140×540µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSE13009，HE13009 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） Tstg ——贮存温度………………………………… -65~150℃ Tj——结温……………………………………………… 150℃ PC ——集电极耗散功率（T c=25℃）………………… 100W VCBO——集电极—基极电压…………………………… 700V VCEO——集电极—发射极电压………………………… 400V VEBO——发射极—基极电压…………………………………9V IC——集电极电流（DC）…………………………………16A IB——基极电流………………………………………………6A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） 参数符号 BVCEO IEBO hFE 符 号 说 明 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) 集电极—发射极饱和压降 VBE(sat) 基极—发射极饱和压降 Cob fT tON tSTG tF 共基极输出电容 特征频率 导通时间 贮存时间 下降时间 最小值 典型值 最大值 单 位 400 V 1 mA 10 40 6 30 1 V 1.5 V 3 V 1.2 V 1.6 V 180 pF 4 MHz 1.1 µS 3.0 µS 0.7 µS 测 试 条 件 IC=10mA，IB=0 VEB=9V，IC=0 VCE=5V，IC=5A VCE=5V，IC=8A IC=5A，IB=1A IC=8A，IB=1.6A IC=12A，IB=3A IC=5A，IB=1A IC=8A，IB=1.6A VCB=10V，f=0.1MHz VCE=10V，IC=0.5A VCC=125V，IC=8A IB1=-IB2=1.6A