HUASHAN D423AG-00

NPN
汕头华汕电子器件有限公司
SILICON
TRANSISTOR
13009 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:D423AG-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:4230×4230µm 2
焊位尺寸:B 极 1200×420µm 2,E 极 1140×540µm 2
电极金属:铝
背面金属:银
典型封装:KSE13009,HE13009
█ 极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-220)
Tstg ——贮存温度………………………………… -65~150℃
Tj——结温……………………………………………… 150℃
PC ——集电极耗散功率(T c=25℃)………………… 100W
VCBO——集电极—基极电压…………………………… 700V
VCEO——集电极—发射极电压………………………… 400V
VEBO——发射极—基极电压…………………………………9V
IC——集电极电流(DC)…………………………………16A
IB——基极电流………………………………………………6A
█ 电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-220)
参数符号
BVCEO
IEBO
hFE
符 号 说 明
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
VCE(sat)
集电极—发射极饱和压降
VBE(sat)
基极—发射极饱和压降
Cob
fT
tON
tSTG
tF
共基极输出电容
特征频率
导通时间
贮存时间
下降时间
最小值 典型值 最大值 单 位
400
V
1
mA
10
40
6
30
1
V
1.5
V
3
V
1.2
V
1.6
V
180
pF
4
MHz
1.1
µS
3.0
µS
0.7
µS
测 试 条 件
IC=10mA,IB=0
VEB=9V,IC=0
VCE=5V,IC=5A
VCE=5V,IC=8A
IC=5A,IB=1A
IC=8A,IB=1.6A
IC=12A,IB=3A
IC=5A,IB=1A
IC=8A,IB=1.6A
VCB=10V,f=0.1MHz
VCE=10V,IC=0.5A
VCC=125V,IC=8A
IB1=-IB2=1.6A