PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 KSB834 HB834 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 低频功率放大，伴音帧输出及电源调整(与 HD880 互补) TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………1.5W PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）………………………30W 1—基 极，B 2—集电极，C 3—发射极，E V CBO ——集电极—基极电压…………………………… -60V V CEO ——集电极—发射极电压………………………… -60V VEBO——发射极—基极电压……………………………… -7V I C ——集电极电流………………………………………… -3A IB——基极电流…………………………………………… -0.5A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 ICBO 集电极—基极截止电流 -100 μA VCB=-60V, IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 -100 μA VEB=-7V, IC=0 BVCEO 集电极—发射极击穿电压 -60 hFE(1) 直流电流增益 60 hFE(2) 直流电流增益 20 VCE（sat） VBE(on) V 件 IC=-50mA, IB=0 VCE=-5V, IC=-0.5A 200 VCE=-5V, IC=-3A 集电极—发射极饱和压降 -0.5 -1 V IC=-3A, IB=-0.3A 基极—发射极导通电压 -0.7 -1 V VCE=-5V, IC=-0.5A 9 MHz VCE=-5V, IC=-0.5A VCB=-10V,IE=0, f=1.0 MHz fT 特征频率 Cob 共基极输出电容 150 pF ton 导通时间 0.4 μs ts 载流子贮存时间 1.7 μs -IB1=IB2=0.2A, tf 下降时间 0.5 μs VCC=-30V █ 分档及其标志 O Y 60—120 100—200