NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 KSE13005 KSH13005 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 高压快速开关 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ T j ——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………… 75W VCBO——集电极—基极电压……………………………… 700V 1―基 极，B 2―集电极，C 3―发射极，E VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V VEBO——发射极—基极电压………………………………… 9V IC——集电极电流（DC）……………………………………… 4A IC——集电极电流（脉冲）…………………………………… 8A IB——基极电流…………………………………………………2A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVCEO（sus） 符 号 说 明 集电极—发射极维持电压 IEBO 发射极—基极截止电流 hFE 直流电流增益* VCE（sat） VBE(sat) 最小值 * 典型值 400 1 fT 特征频率 ton 导通时间 ts 载流子贮存时间 tf 下降时间 分档： H1（10--16） 测 试 条 件 V IC=10mA, IB=0 mA VEB=9V, IC=0 40 VCE=5V, IC=1A 8 40 VCE=5V, IC=2A 基极—发射极饱和电压* 共基极输出电容 单 位 10 集电极—发射极饱和电压* Cob 最大值 0.5 V IC=1A, IB=0.2A 0.6 v IC=2A, IB=0.5A 1 V IC=4A, IB=1A 1.2 V IC=1A, IB=0.2A 1.6 V IC=2A, IB=0.5A pF VCB=10V, f=0.1MHz MHz VCE=10V, IC=0.5A 65 4 0.8 μs 4 μs VCC=125V, IC=2A, 0.9 μs IB1=-IB2=0.4A H2（14--21） H3（19--26） H4（24--31） H5（29--40） 汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR KSH13005 █ 特性曲线 对应国外型号 KSE13005 汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR KSH13005 █ 特性曲线 对应国外型号 KSE13005