ETC 3DA5108

华晶分立器件
3DA5108
高频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DA5108 硅 NPN 型微波大功率振荡晶体管 主要用于 L 波段微波功率振荡 其特点如下
特征频率高 漏电流小
低温工作性能好
饱和压降低
电流特性好
8.64 9.39
封装形式 B4(A3-02B)
2 电特性
45
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
8.50
6.60
8.01
6.10
额定值
55
35
4
0.4
1.0
3.5
150
-55 150
25.0
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
W
12.5
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
E
B
C
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
ICB0
IEB0
VCB=30V IE= 0
VEB=3V IC= 0
hFE
VCE=5V IC=20 mA
VCE sat
IC=100mA IB=10 mA
VCE=10V IC=30 mA
f=400MHz
VCB=24V IE=0
f=1MHz
特征频率
fT
输出电容
Cob
测 试 条 件
规 范 值
最小 典型 最大
0.1
0.1
50
单位
mA
mA
150
0.5
1200
V
MHz
5
pF
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5800360
华晶分立器件
3DA5108
3 特性曲线
Ptot - T 关系曲线
安全工作区(直流)
Ptot (W)
IC (A)
Tcase=25
4
0.1
3
Ptot -Tcase
2
0.01
Ptot -Tamb
1
0.001
0.1
0
1
VCE(V)
10
0
100
50
T( )
VCEsat - IC 关系曲线
hFE - IC 关系曲
hFE
VCEsat (V)
Tamb=25
IC/IB=10
Tamb=25
VCE=10V
1
100
0.1
10
0.001
0.01
0.1
IC(A)
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0.01
0.01
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0.1
IC(A)