Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 65 DN 02 ... 06 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Vorläufige Daten Preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj = - 25°C...Tvj max VRRM 200, 400 600 V V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25°C...Tvj max VRSM 250, 450 650 V V 13300 A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM Dauergrenzstrom mean forward current T K = 98 °C IFAVM 8470 A Stoßstrom-Grenzwert surge forward current T vj = 25°C, tp = 10ms IFSM 103 95 kA kA T vj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral I²t-value T vj = 25°C, tp = 10ms I²t 53 45 T vj = Tvj max, tp = 10ms A²s*106 A²s*106 Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage T vj = Tvj max, iF = 10kA vF Schleusenspannung threshold voltage T vj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand forward slope resistance T vj = Tvj max rT Sperrstrom reverse current T vj = Tvj max, vR = VRRM iR max. max. 0,98 V 0,7 V 0,027 mΩ 100 mA Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin RthJC beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, Θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, Θ = 180°sin Kathode / cathode, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface T vj max Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature A 115/98 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W max. 0,0025 °C/W RthCK beidseitig / two-sided Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther max. 0,0047 max. 0,0040 max. max. max. max. 180 °C T c op - 40...+180 °C T stg - 40...+180 °C Seite/page 1(11) Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 65 DN 02 ... 06 N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Vorläufige Daten Preliminary data Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G 55...80 typ. kN g Kriechstrecke creepage distance mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Hinweis : Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen. Notice: We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther A 115/98 Seite/page 2(11) Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 65 DN 02 ... 06 SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther A 115/98 Z. Nr.: 1 N Seite/page 3(11) Technische Information / Technical Information Netz Gleicgrichterdiode Rectifier DiodeThyristor 65 DN 02 ... 06 N Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n beidseitig Rthn [°C/W] τn [s] two-sided anodenseitig 2 3 4 0,002386 0,000785 0,000769 0,000058 0,063997 0,017082 0,000942 0,000027 5 Rthn [°C/W] τn [s] anode-sided kathodenseitig 1 Rthn [°C/W] cathode-sided τn [s] n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = ∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn )) n=1 SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther A 115/98 Seite/page 4(11) 6 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 65 DN 02 ... 06 N Vorläufige Daten / Preliminary data 35000 30000 25000 iF [A] 20000 15000 10000 5000 0 0,5 1 1,5 2 v F [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting Forward characteristics iF = f(vF) — — Tvj = 180°C ------ Tvj = 25°C SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther A 115/98 Z. Nr.: 2 Seite/page 5(11) Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 65 DN 02 ... 06 N 0,005 0,004 DC R (thJC) [°C/W] 0,003 0,002 0,001 0,000 0,001 0,01 0,1 1 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f (t), DC SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther A 115/98 Z. Nr.: 3 Seite/page 6(11) Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 65 DN 02...06 N 0,003 0,0025 ∆ RthJC [°C/W] 0,002 0,0015 0,001 0,0005 0 30 60 90 120 150 Θ [°el] Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values of thermal for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther A 115/98 Z. Nr.: 4 Seite/page 7(11) 180 Technische Information / Technical Information 65 DN 02 ... 06 Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode N 1,1 1,0 0,9 ∫i² dt (normiert) 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0 2 4 6 8 10 tp [ms] Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp Normalized ∫i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther A 115/98 Z. Nr.: 5 Seite/page 8(11) 12 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 65 DN 02...06 N iFM [A] 6400 3200 1600 10000 800 Qr [µAs] 400 1000 100 0,1 1 10 100 1000 - diF / dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax; VR < 0,5 VRRM; VRM < 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther A 115/98 Z. Nr.: 6 Seite/page 9(11) Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 65 DN 02...06 N 100.000 IF (OV) [A] I FAV (vor) = 0A 3000 A 4000 A 4800 A 5400 A 5800 A 10.000 0,01 0,1 1 10 100 t [s] Überstrom / Overload on-state current IF(OV) = f(t) Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K53 TA = 25°C, VL = 4 l/s Parameter: Vorlaststrom / pre-load current IFAV(vor) SZ-M / 24.11. 1998, K.-A.Rüther Seite/page 10(11) 1000 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode N 110.000 100.000 90.000 a 80.000 I F(OV)M [A] 70.000 TA = 25 °C, VL = 4 l / s 60.000 50.000 b 40.000 30.000 20.000 10.000 0 0,01 0,1 1 10 t [s] Grenzstrom / Max. overload on-state current IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K53 TA = 25 °C, VL = 4 l/s Belastung aus / Surge current occurs: a - Leerlauf / No-load conditions b - Betrieb mit Dauergrenzstrom / During operation at max. average on-state current ITAVM SZ-M / 24.11.1998, K.-A.Rüther Seite/page 11(11)