ETC 65DN06

Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T vj = - 25°C...Tvj max
VRRM
200, 400
600
V
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T vj = + 25°C...Tvj max
VRSM
250, 450
650
V
V
13300
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
IFRMSM
Dauergrenzstrom
mean forward current
T K = 98 °C
IFAVM
8470
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
T vj = 25°C, tp = 10ms
IFSM
103
95
kA
kA
T vj = Tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
T vj = 25°C, tp = 10ms
I²t
53
45
T vj = Tvj max, tp = 10ms
A²s*106
A²s*106
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
T vj = Tvj max, iF = 10kA
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
T vj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T vj = Tvj max
rT
Sperrstrom
reverse current
T vj = Tvj max, vR = VRRM
iR
max.
max.
0,98
V
0,7
V
0,027
mΩ
100
mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
RthJC
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
T vj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
A 115/98
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,0025
°C/W
RthCK
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther
max. 0,0047
max. 0,0040
max.
max.
max.
max.
180
°C
T c op
- 40...+180
°C
T stg
- 40...+180
°C
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
55...80
typ.
kN
g
Kriechstrecke
creepage distance
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50
m/s²
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther
A 115/98
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rüther
A 115/98
Z. Nr.: 1
N
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleicgrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
65 DN 02 ... 06
N
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n
beidseitig
Rthn [°C/W]
τn [s]
two-sided
anodenseitig
2
3
4
0,002386
0,000785
0,000769
0,000058
0,063997
0,017082
0,000942
0,000027
5
Rthn [°C/W]
τn [s]
anode-sided
kathodenseitig
1
Rthn [°C/W]
cathode-sided
τn [s]
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn ))
n=1
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther
A 115/98
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6
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Vorläufige Daten / Preliminary data
35000
30000
25000
iF [A]
20000
15000
10000
5000
0
0,5
1
1,5
2
v F [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting Forward characteristics iF = f(vF)
— — Tvj = 180°C
------ Tvj = 25°C
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther
A 115/98
Z. Nr.: 2
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
0,005
0,004
DC
R (thJC) [°C/W]
0,003
0,002
0,001
0,000
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f (t), DC
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rüther
A 115/98
Z. Nr.: 3
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02...06
N
0,003
0,0025
∆ RthJC [°C/W]
0,002
0,0015
0,001
0,0005
0
30
60
90
120
150
Θ [°el]
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values
of thermal for pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther
A 115/98
Z. Nr.: 4
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180
Technische Information / Technical Information
65 DN 02 ... 06
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
N
1,1
1,0
0,9
∫i² dt (normiert)
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0
2
4
6
8
10
tp [ms]
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp
Normalized ∫i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther
A 115/98
Z. Nr.: 5
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02...06
N
iFM [A]
6400
3200
1600
10000
800
Qr [µAs]
400
1000
100
0,1
1
10
100
1000
- diF / dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax; VR < 0,5 VRRM; VRM < 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rüther
A 115/98
Z. Nr.: 6
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02...06
N
100.000
IF (OV) [A]
I FAV (vor) =
0A
3000 A
4000 A
4800 A
5400 A
5800 A
10.000
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Überstrom / Overload on-state current IF(OV) = f(t)
Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K53
TA = 25°C, VL = 4 l/s
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current IFAV(vor)
SZ-M / 24.11. 1998, K.-A.Rüther
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1000
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
N
110.000
100.000
90.000
a
80.000
I F(OV)M [A]
70.000
TA = 25 °C, VL = 4 l / s
60.000
50.000
b
40.000
30.000
20.000
10.000
0
0,01
0,1
1
10
t [s]
Grenzstrom / Max. overload on-state current IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K53
TA = 25 °C, VL = 4 l/s
Belastung aus / Surge current occurs:
a - Leerlauf / No-load conditions
b - Betrieb mit Dauergrenzstrom / During operation at max. average on-state
current ITAVM
SZ-M / 24.11.1998, K.-A.Rüther
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