Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 801 S 45 T S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C ... tvj max f = 50Hz Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current VRRM 4500 V IFRMSM 2450 A 1240 A 1570 A Dauergrenzstrom mean forward current tC = 85°C, f = 50Hz tC = 60°C, f = 50Hz IFAVM Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM 14 kA 2 Grenzlastintegral 2 I t-value 6 It 0,98-10 2 As Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten repetitive decay rate of on-state current at turn-of iFM = 1000A, vR = 1500 V (-diF/dt)com 1000 A/µs Höchstzulässige Kommutierungsspannung als GTO Snubberdiode maximum permissible link voltage as GTO snubber-diode iF ≤ 150A VR(cr) 3200 V Lσ ≤ 250nH snubberless Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage tvj = tvj max, iF = 2500A vF Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max V(TO) Ersatzwiderstand forward slope resistance tvj = tvj max rT Durchlaßrechenkennlinie On-state characteristics for calculation tvj = tvj max Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage tvj = tvj max, diF/dt = 1000A/µs VFRM Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR 250 mA Rückstromspitze peak reverse recovery current tvj = tvj max iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 0.125µF, RS = 6Ω IRM 625 A Sperrverzögerungsladung recovered charge tvj = tvj max iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 0.125µF, RS = 6Ω Qr 3,7 V 1,8 V 0,76 mΩ max. 0,336 0,000414 0,163 0,0209 A B C D VF = A + B ⋅i F + C ⋅ln(i F + 1)+ D ⋅ iF SZ AM /23.11.99 Beuermann max typ max 85 V 1700 µAs Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 801 S 45 T S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink RthJC beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided max max max 0,01 °C/W 0,0169 °C/W 0,0249 °C/W max max 0,005 °C/W 0,010 °C/W RthCK Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 °C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact 55DS45 Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance 15...36 kN typ 350 g 16 mm Luftstrecke air distance ca. 10 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 2 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ AM /23.11.99 Beuermann Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 801 S 45 T S Outline Drawing ∅ 75 14+-0.5 C ∅ 77 max. ∅ 48 A -0.1 2 center holes ∅ 3.5 ×1.8 SZ AM /23.11.99 Beuermann Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 801 S 45 T S On-State Characteristics ( v F ) typical and upper limit of scatter range t vj = 125 °C 3500 typ. max. 3000 2500 IF / [ A ] 2000 1500 1000 500 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 VF / [V] SZ AM /23.11.99 Beuermann Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 801 S 45 T S Transient thermal Impedance for constant-current Double side cooled r [K/W] Σ Anode side or Cathode side cooled [s] r [K/W] [s] Cathode side cooled r [K/W] [s] 1 0,0026 0,38 0,0095 1,75 0,0175 1,95 2 0,0009 0,218 0,0009 0,218 0,0009 0,218 3 0,0046 0,055 0,0046 0,055 0,0046 0,055 4 0,0012 0,0082 0,0012 0,0082 0,0012 0,0082 5 0,0007 0,0018 0,0007 0,0018 0,0007 0,0018 0,01 SZ AM /23.11.99 Beuermann - 0,0169 - 0,0249 - Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 801 S 45 T S Typical Peak Forward Recovery Voltage VFRM = f(di/dt) linear di/dt Parameter tvj 140 125°C 120 25°C VFRM / [V] 100 80 60 40 20 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 di/dt / [A/µs] SZ AM /23.11.99 Beuermann Seite/page 6