Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 2601N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Tvj = -40°C... Tvj max ElektrischeT Eigenschaften = 0°C... T Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages vj vj max Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current VRRM 8500 9000 V V VRRM 8750 9250 V V IFRMSM 4710 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 100 °C TC = 60 °C IFAVM 2230 A 3000 A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms IFSM 52000 A 50000 A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t 13500 10³ A²s 12500 10³ A²s Spitzensperrverlustleistung Surge reverse power dissipation Tvj = 25 °C, tP = 20 µs Tvj = Tvj max, tP = 20 µs PRSM Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 4000 A vF typ. max. 2,37 V 2,6 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) typ. max. 0,874 V 0,944 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT typ. max. 0,374 mΩ 0,412 mΩ Tvj = Tvj max typ. Durchlaßkennlinie on-state characteristic 1500A ≤ iF ≤ 4000A v F = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅ iT Rückwärts-Sperrstrom reverse current prepared by: C. Schneider approved by: R. Keller BIP AC / SM PB, 2002-05-31, Schneider / Keller max. Tvj = Tvj max, vR = VRRM date of publication: revision: iR 10³ W 10³ W A B C D A B C D 0,707149 0,00018326 -0,0519432 0,021479 0,7003333 0,00019384 -0,0503503 0,0242308 max. 100 mA 2003-06-27 6 Seite/page 1/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 2601N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Sperrverzögerungsladung recovered charge VR = 1000V, Tvj = Tvj max = 1µF, R = 22Ω ThermischeCi Eigenschaften = 1000A, -di /dt = 10 A/µs MechanischeV =Eigenschaften 1000V, T = T TM Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink R Qr T vj vj max C = 1µF, R = 22Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs VR = 100V, Tvj = Tvj max C = 1µF, R = 22Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs VR = 100V, Tvj = Tvj max C = 1µF, R = 22Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs max. 25 mAs max. 400 A typ. 12,5 mAs typ. 250 A IRM Qr IRM Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC RthJC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH max. 0,00827 °C/W max. 0,0075 °C/W max. 0,0133 °C/W max. 0,0172 °C/W max. max. 0,0025 °C/W 0,005 °C/W 160 °C Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+160 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+160 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact 76DNE90 Anpresskraft clamping force F Gewicht weight G 36...52 typ. 1200 g Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance kN 33 mm f = 50 Hz 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / SM PB, 2002-05-31, Schneider / Keller Seite/page 2/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 2601N Maßbild 1: Anode/Anode 1 2 2: Kathode/Cathode BIP AC / SM PB, 2002-05-31, Schneider / Keller Seite/page 3/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode R,t – Werte R R,T-Werte beidseitig two-sided anodenseitg anode-sided kathodenseitig cathode-sided D 2601N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [°C/W] 0,00295 0,002 0,00154 0,00098 0,00003 τn [s] 0,78008 0,13092 0,02165 0,00514 0,00104 Rthn [°C/W] 0,00804 0,00081 0,00239 0,0016 0,00046 τn [s] 5,11029 0,35916 0,09623 0,01197 0,00332 Rthn [°C/W] 0,0121 0,0004 0,00244 0,00155 0,00071 τn [s] 4,97289 0,48885 0,12071 0,01530 0,00427 Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = 6 nmax Σ n=1 Rthn 1 − e 7 -t τn Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling BIP AC / SM PB, 2002-05-31, Schneider / Keller Seite/page 4/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 2601N Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max BIP AC / SM PB, 2002-05-31, Schneider / Keller Seite/page 5/7 N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 2601N Tc beidseitig Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, C = 1µF, R = 22Ω BIP AC / SM PB, 2002-05-31, Schneider / Keller Seite/page 6/7 N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 2601N Ta bei Sinus Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, C = 1µF, R = 22Ω BIP AC / SM PB, 2002-05-31, Schneider / Keller Seite/page 7/7