Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 1451N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM = 100 V, v = 0,67 V ThermischevdvEigenschaften /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs / 4 letter O Mechanische4.Kennbuchstabe Eigenschaften T =T RM DM D Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink vj tq DRM T th vj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM typ. 450 max. 15 max. 320 µs Qr mAs IRM Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC RthJC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH max. max. max. max. 0,0097 0,009 0,014 0,0250 A °C/W °C/W °C/W °C/W max. 0,0025 °C/W max. 0,005 °C/W 125 °C Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals F DIN 46244 Gewicht weight Gate Kathode /Cathode 36...52 A 4,8x0,8 A 6,3x0,8 G typ. 1500 g Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance kN 33 mm f = 50 Hz 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller Seite/page 2/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 1451N Maßbild 1: Anode/Anode 4 5 2: Kathode/Cathode 1 2 4: Gate 5: Hilfskathode/ Cathode (control terminal) BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller Seite/page 3/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor R,t – Werte R R,T-Werte beidseitig two-sided anodenseitg anode-sided kathodenseitig cathode-sided T 1451N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [°C/W] 0,00223 0,0027 0,0028 0,0008 0,00047 τn [s] 2,18 0,44 0,11 0,015 0,0041 Rthn [°C/W] 0,00623 0,0037 0,0028 0,0008 0,00047 τn [s] 6,1 0,6 0,11 0,015 0,0041 Rthn [°C/W] 0,01503 0,0059 0,0028 0,0008 0,00047 τn [s] 14,7 0,96 0,11 0,015 0,0041 ZthJC = Analytische Funktion / Analytical function: 6 nmax Σ n=1 Rthn 1 − e 7 -t τn 0 ,0 3 0 ,0 2 5 c Z th JC 0 ,0 1 5 a [K/W] 0 ,0 2 0 ,0 1 d 0 ,0 0 5 0 0 ,0 0 1 0 ,0 1 0 ,1 1 10 100 t [s ] Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller Seite/page 4/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 1451N 3700 3600 Diagramme Diagramme 3500 Durchlasskennlinie 3400 3300 3200 3100 3000 2900 2800 2700 typ . 2600 m a x. 2500 2400 2300 2200 2100 i T [V] 2000 1900 1800 1700 1600 1500 1400 1300 1200 1100 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 v T [V ] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller Seite/page 5/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 1451N 30 Durchlassverluste 20 10 c 5 b a -40°C 2 +25°C v G [V] +125°C 1 0,5 0,2 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 iG [mA] Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20 W/10ms BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms Seite/page 6/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 1451N 30 Tc beidseitig 25 Qr [mAs] 20 15 10 5 0 0 5 10 15 20 25 30 35 - d i/d t [ A /µ s ] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller Seite/page 7/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 1451N 800 Ta bei Sinus 700 600 IRM [A] 500 400 300 200 100 0 0 5 10 15 20 25 30 35 - d i/d t [ A /µ s ] Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller Seite/page 8/8 Terms & Conditions of Usage Attention The present product data is exclusively subscribed to technically experienced staff. 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