EUPEC T1451N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
= 100 V, v = 0,67 V
ThermischevdvEigenschaften
/dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
/ 4 letter O
Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften
T =T
RM
DM
D
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
vj
tq
DRM
T
th
vj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
typ.
450
max.
15
max.
320
µs
Qr
mAs
IRM
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
max.
max.
0,0097
0,009
0,014
0,0250
A
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,0025 °C/W
max. 0,005
°C/W
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
F
DIN 46244
Gewicht
weight
Gate
Kathode /Cathode
36...52
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
G
typ.
1500 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
kN
33 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
Seite/page
2/8
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
Maßbild
1: Anode/Anode
4 5
2: Kathode/Cathode
1
2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
Seite/page
3/8
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitg
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
T 1451N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [°C/W]
0,00223
0,0027
0,0028
0,0008
0,00047
τn [s]
2,18
0,44
0,11
0,015
0,0041
Rthn [°C/W]
0,00623
0,0037
0,0028
0,0008
0,00047
τn [s]
6,1
0,6
0,11
0,015
0,0041
Rthn [°C/W]
0,01503
0,0059
0,0028
0,0008
0,00047
τn [s]
14,7
0,96
0,11
0,015
0,0041
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
6
nmax
Σ
n=1
Rthn 1 − e
7
-t
τn
0 ,0 3
0 ,0 2 5
c
Z
th JC
0 ,0 1 5
a
[K/W]
0 ,0 2
0 ,0 1
d
0 ,0 0 5
0
0 ,0 0 1
0 ,0 1
0 ,1
1
10
100
t [s ]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
Seite/page
4/8
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
3700
3600
Diagramme
Diagramme
3500
Durchlasskennlinie
3400
3300
3200
3100
3000
2900
2800
2700
typ .
2600
m a x.
2500
2400
2300
2200
2100
i T [V]
2000
1900
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
v T [V ]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
Seite/page
5/8
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
30
Durchlassverluste
20
10
c
5
b
a
-40°C
2
+25°C
v G [V]
+125°C
1
0,5
0,2
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
iG [mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
b - 40 W/1ms
c - 60 W/0,5ms
Seite/page
6/8
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
30
Tc beidseitig
25
Qr [mAs]
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
- d i/d t [ A /µ s ]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
Seite/page
7/8
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
800
Ta bei Sinus
700
600
IRM [A]
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
- d i/d t [ A /µ s ]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
Seite/page
8/8
Terms & Conditions of Usage
Attention
The present product data is exclusively subscribed to technically experienced
staff. This Data Sheet is describing the specification of the products for which a
warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply
agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its
specifications. Changes to the Data Sheet are reserved.
You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the
product for the intended application and the completeness of the product data
with respect to such application. Should you require product information in
excess of the data given in the Data Sheet, please contact your local Sales Office
via “www.eupec.com / sales & contact”.
Warning
Due to technical requirements the products may contain dangerous substances.
For information on the types in question please contact your local Sales Office via
“www.eupec.com / sales & contact”.