ETC D3001N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 3001N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
ElektrischeT Eigenschaften
= 0°C... T
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
vj
vj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
VRRM
5800
6500
6000 V
6800 V
VRRM
6000
6700
6200 V
7000 V
IFRMSM
5990 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
TC = 60 °C
IFAVM
2810 A
3810 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
57000 A
53000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
16240 10³ A²s
14040 10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 4000 A
vF
typ.
max.
1,58 V
1,7 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
0,783 V
0,84 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
max.
0,201 mΩ
0,216 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
1500A ≤ iF ≤ 4000A
v F = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅
iT
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
prepared by: C. Schneider
approved by: R. Keller
BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller
max.
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
date of publication:
revision:
iR
A
B
C
D
A
B
C
D
0,4075395
8,7875E-5
0,0173038
0,010806
0,442073
9,7148E-5
0,0187525
0,0113256
max.
100 mA
2003-06-27
6
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 3001N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
= 1µF, R = 22Ω
ThermischeCi Eigenschaften
= 1000A, -di /dt = 10 A/µs
MechanischeV =Eigenschaften
1000V, T = T
TM
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
Qr
T
vj
vj max
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 1µF, R = 22Ω
iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
max.
11
max.
300
typ.
9
typ.
240
mAs
IRM
A
Qr
mAs
IRM
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
A
max.
max.
max.
max.
0,0093
0,0085
0,0149
0,0199
max.
max.
0,0025 °C/W
0,005 °C/W
160 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+160 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
76DNE68
Anpresskraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
36...52
typ.
1700 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
kN
40 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 3001N
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitg
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
D 3001N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [°C/W]
0,0032
0,00278
0,00158
0,00076
0,00018
τn [s]
1,47207
0,18563
0,04885
0,00706
0,00202
Rthn [°C/W]
0,00928
0,00025
0,00371
0,00101
0,00065
τn [s]
7,78435
0,6632
0,1487
0,02443
0,00484
Rthn [°C/W]
0,01442
0,00013
0,00325
0,00136
0,00074
τn [s]
7,72917
1,20471
0,18047
0,04084
0,00658
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
6
nmax
Σ
n=1
7
Rthn 1 − e
-t
τn
0,03
0,025
0,02
0,015
Zth JC [K/W]
c
a
0,01
d
0,005
0,001
0,01
0,1
1
10
0
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 3001N
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 3001N
Tc beidseitig
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, C = 1µF, R = 22Ω
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 3001N
Ta bei Sinus
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, C = 1µF, R = 22Ω
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