Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Tvj = -40°C... Tvj max ElektrischeT Eigenschaften = 0°C... T Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages vj vj max Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current VRRM 5800 6500 6000 V 6800 V VRRM 6000 6700 6200 V 7000 V IFRMSM 5990 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 100 °C TC = 60 °C IFAVM 2810 A 3810 A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms IFSM 57000 A 53000 A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t 16240 10³ A²s 14040 10³ A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 4000 A vF typ. max. 1,58 V 1,7 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) typ. max. 0,783 V 0,84 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT typ. max. 0,201 mΩ 0,216 mΩ Tvj = Tvj max typ. Durchlaßkennlinie on-state characteristic 1500A ≤ iF ≤ 4000A v F = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅ iT Rückwärts-Sperrstrom reverse current prepared by: C. Schneider approved by: R. Keller BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller max. Tvj = Tvj max, vR = VRRM date of publication: revision: iR A B C D A B C D 0,4075395 8,7875E-5 0,0173038 0,010806 0,442073 9,7148E-5 0,0187525 0,0113256 max. 100 mA 2003-06-27 6 Seite/page 1/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Sperrverzögerungsladung recovered charge VR = 1000V, Tvj = Tvj max = 1µF, R = 22Ω ThermischeCi Eigenschaften = 1000A, -di /dt = 10 A/µs MechanischeV =Eigenschaften 1000V, T = T TM Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink R Qr T vj vj max C = 1µF, R = 22Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs VR = 100V, Tvj = Tvj max C = 1µF, R = 22Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs VR = 100V, Tvj = Tvj max C = 1µF, R = 22Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs max. 11 max. 300 typ. 9 typ. 240 mAs IRM A Qr mAs IRM Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC RthJC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH A max. max. max. max. 0,0093 0,0085 0,0149 0,0199 max. max. 0,0025 °C/W 0,005 °C/W 160 °C °C/W °C/W °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+160 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+160 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact 76DNE68 Anpresskraft clamping force F Gewicht weight G 36...52 typ. 1700 g Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance kN 40 mm f = 50 Hz 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller Seite/page 2/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001N Maßbild 1: Anode/Anode 1 2 2: Kathode/Cathode BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller Seite/page 3/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode R,t – Werte R R,T-Werte beidseitig two-sided anodenseitg anode-sided kathodenseitig cathode-sided D 3001N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [°C/W] 0,0032 0,00278 0,00158 0,00076 0,00018 τn [s] 1,47207 0,18563 0,04885 0,00706 0,00202 Rthn [°C/W] 0,00928 0,00025 0,00371 0,00101 0,00065 τn [s] 7,78435 0,6632 0,1487 0,02443 0,00484 Rthn [°C/W] 0,01442 0,00013 0,00325 0,00136 0,00074 τn [s] 7,72917 1,20471 0,18047 0,04084 0,00658 ZthJC = Analytische Funktion / Analytical function: 6 nmax Σ n=1 7 Rthn 1 − e -t τn 0,03 0,025 0,02 0,015 Zth JC [K/W] c a 0,01 d 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller Seite/page 4/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001N Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller Seite/page 5/7 N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001N Tc beidseitig Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, C = 1µF, R = 22Ω BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller Seite/page 6/7 N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001N Ta bei Sinus Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, C = 1µF, R = 22Ω BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller Seite/page 7/7