SH Datenblatt / Data sheet Puls Power Diode Pulse Power Diode D 2601NH Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Tvj = 0°C... Tvj max Elektrische Eigenschaften VRRM 9000 V IFRMSM 2700 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C, f=50Hz TC = 60°C, f=50Hz IFAVM 1400 A 1720 A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms IFSM 23000 A 22000 A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage failure rate λ < 100 VR(D) Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 4000A Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlaßkennlinie on-state characteristic 1500A ≤ iF ≤ 4000A v F = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅ Sperrstrom reverse current Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current estimate value 4100 V vF typ. max. 5,07 V 5,5 V Tvj = Tvj max V(TO) typ. max. 1,11 V 1,2 V Tvj = Tvj max rT typ. max. 0,99 mΩ 1,07 mΩ Tvj = Tvj max typ. iT approved by: R. Keller iR 0,702619 6,269E-4 -0,082838 0,040292 0,722379 6,9108E-4 -0,080219 0,04219 max. 150 mA Qr max. 12000 µAs IRM max. Eoff max. max. Tvj = Tvj max, vR = VRRM Tvj = Tvjmax IFM = 2500A, -di/dt = 1000A/µs, VR = 2200V, tint = 18µs, R = 12Ω, C = 1µF Ausschaltverlust Energie turn-off energy prepared by: C. Schneider 2645 10³ A²s 2420 10³ A²s date of publication: revision: A B C D A B C D 2000 A 25 Ws 2003-10-24 4 Seite/page 1/5 SH Datenblatt / Data sheet Puls Power Diode Pulse Power Diode D 2601NH Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided / two-sided, θ = 180°sin Thermischebeidseitig Eigenschaften beidseitig / two-sided, DC / anode, DC MechanischeAnode Eigenschaften Kathode / cathode, DC RthJC RthCH Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op Lagertemperatur storage temperature Tstg max. 0,00827 °C/W max. 0,0075 °C/W max. 0,0133 °C/W max. 0,0172 °C/W max. max. 0,0025 °C/W 0,0050 °C/W 140 °C 0...+140 °C -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact 76DNH90 Anpresskraft clamping force F Gewicht weight G 36...52 typ. kN 1350 g Kriechstrecke creepage distance 30 mm Luftstrecke air distance 20 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz C 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. Seite/page 2/5 SH Datenblatt / Data sheet Puls Power Diode Pulse Power Diode D 2601NH Maßbild 1: Anode/Anode 1 2 2: Kathode/Cathode Seite/page 3/5 SH Datenblatt / Data sheet Puls Power Diode Pulse Power Diode D 2601NH Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC R,t – Werte R Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [°C/W] 0,00295 0,002 0,00154 0,00098 0,00003 τn [s] 0,78008 0,13092 0,02165 0,00514 0,00104 Rthn [°C/W] 0,00804 0,00081 0,00239 0,0016 0,00046 τn [s] 5,11029 0,35916 0,09623 0,01197 0,00332 Rthn [°C/W] 0,0121 0,0004 0,00244 0,00155 0,00071 τn [s] 4,97289 0,48885 0,12071 0,01530 0,00427 R,T-Werte beidseitig two-sided anodenseitg anode-sided kathodenseitig cathode-sided ZthJC = Analytische Funktion / Analytical function: 6 nmax Σ n=1 7 -t Rthn 1 − e τn 0,03 0,025 0,02 0,015 a Zth JC [K/W] c 0,01 d 0,001 0,01 0,1 1 10 0,005 0 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling Seite/page 4/5 SH Datenblatt / Data sheet Puls Power Diode Pulse Power Diode D 2601NH 4500 Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie 4000 3500 3000 typ. max. i F [V] 2500 2000 1500 1000 500 0 0 1 2 3 4 5 6 vF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max Seite/page 5/5