SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Tvj = 0°C... Tvj max Elektrische Eigenschaften VRRM 6500 V IFRMSM 1880 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C, f=50Hz TC = 60°C, f=50Hz IFAVM 950 A 1200 A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms IFSM A 16000 A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t Max. Ausschaltverluste max. turn-off losses Tvj = Tvjmax IFM = 2500A, -di/dt = 1000A/µs, VCL = 2800V, clamp circuit LS ≤ 0,25µH, RCL = 68Ω, DCL = 34DSH65, Wmax failure rate λ < 100 VR(D) Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 2500A Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage 1000A ≤ iF ≤ 2500A 10³ A²s 1280 10³ A²s 4 MW estimate value 3200 V vF typ. max. 4,82 V 5,6 V Tvj = Tvj max V(TO) typ. max. 1,78 V 1,99 V Tvj = Tvj max rT typ. max. 1,21 mΩ 1,44 mΩ Tvj = Tvj max typ. Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Tvj = Tvjmax, diF/dt = 5000A/µs IFM = 4000A VFRM 0,702214 4,1183E-4 -0,0353726 0,0672555 0,738829 1,895E-4 -0,135495 0,108444 typ. 430 V Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR max. 100 mA Qr max. 3500 µAs IRM max. 1300 A Eoff max. FRRS typ. Durchlaßkennlinie on-state characteristic v F = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅ Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current Ausschaltverlust Energie turn-off energy Abklingsanftheit reverse recovery softness factor prepared by: C. Schneider approved by: R. Keller max. iT Tvj = Tvjmax IFM = 2500A, -di/dt = 1000A/µs, VCL = 2800V, clamp circuit LS ≤ 0,25µH, RCL = 68Ω, DCL = 34DSH65, Tvj = Tvjmax IFM = 2500A, VR = 2800 V, dirr/dt(i=0) = 1000A/µs, ∆t = 200ns date of publication: revision: A B C D A B C D 8 Ws 1,6 2003-10-24 4 Seite/page 1/9 SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided / two-sided, θ = 180°sin Thermischebeidseitig Eigenschaften beidseitig / two-sided, DC / anode, DC MechanischeAnode Eigenschaften Kathode / cathode, DC RthJC RthCH Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op Lagertemperatur storage temperature Tstg max. max. max. max. 0,0112 0,0100 0,0173 0,0236 max. max. 0,0030 °C/W 0,0060 °C/W 140 °C °C/W °C/W °C/W °C/W 0...+140 °C -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact 65DSX65 Anpresskraft clamping force F Gewicht weight G 27...45 typ. kN 850 g Kriechstrecke creepage distance 30 mm Luftstrecke air distance 17 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz C 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. Seite/page 2/9 SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH Maßbild 1: Anode/Anode 1 2 2: Kathode/Cathode Seite/page 3/9 SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC R,t – Werte R Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [°C/W] 0,00354 0,00373 0,00155 0,00093 0,00025 τn [s] 0,89646 0,11809 0,02822 0,00422 0,00134 Rthn [°C/W] 0,0105 0,00039 0,00462 0,00116 0,00063 τn [s] 4,84218 0,25267 0,08834 0,00932 0,00185 Rthn [°C/W] 0,01737 0,00024 0,00426 0,0013 0,00093 τn [s] 4,65326 0,74468 0,11266 0,02136 0,00359 R,T-Werte beidseitig two-sided anodenseitg anode-sided kathodenseitig cathode-sided ZthJC = Analytische Funktion / Analytical function: 6 nmax Σ n=1 7 -t Rthn 1 − e τn 0,03 c 0,025 a d 0,015 Zth JC [K/W] 0,02 0,01 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling Seite/page 4/9 SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH 3000 Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie 2500 2000 i F [V] typ. max. 1500 1000 500 0 0 1 2 3 4 5 6 7 vF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max Seite/page 5/9 SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH 4000 Tc beidseitig IFM=2500A 3500 3000 IFM=1000A Qr [µAs] 2500 2000 IFM=500A 1500 1000 IFM=100A 500 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 -di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω CCL = 3µF, DCL = 34DSH65 Seite/page 6/9 SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH 1600 IFM=2500A 1400 IFM=1000A 1200 IFM=500A IRM [A] 1000 800 IFM=100A 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 -di/dt [A/µs] Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω CCL = 3µF, DCL = 34DSH65 Seite/page 7/9 SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH 9 IFM=2500A 8 7 IFM=1000A 6 Eoff [Ws] 5 IFM=500A 4 3 2 IFM=100A 1 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 -di/dt [A/µs] Ausschaltverlust Energie / turn-off energy Eoff = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω CCL = 3µF, DCL = 34DSH65 Seite/page 8/9 SH Datenblatt / Data sheet Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D 931SH 500 450 400 typ 350 V FRM [V] 300 250 200 150 100 50 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 diF/dt [A/µs] Ta bei Sinus Spitzen-Durchlassverzögerungsspannung / peak forward recovery voltage VFRM = f(diF/dt) Tvj=Tvjmax, IFM = 4000A Seite/page 9/9