曹毒、洒在号
,
硅 NPN 三重扩散型功率晶体管
3005
/飞、.
用途·功率放大;低速开关P 电源调整
外形 S J 139 - 81
F- 2
(铜)
最大额定值 (Tc =2S C)
0
额
名
称
符号
定
l
Hl工J
1二J￥ 200
3雪1400
A!B
集电极-基极电压
VCBO
-一一一-
集电极-发射极电压
值
F
C
I
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i I-o
250
I
i200i-m300
单位
G
600
v
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v
一一
发射极，基极电压
VEBO
一{
一一 -
g
v
3'
A
-一
集电极电流
IC
基极电流
IB
A
一→
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PCM
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w
Tj
一罚 --17 雪
℃
T...
-55-17 雪
℃
{一
贮存度度
'
电特性 (Tc =2S C)
0
名
称
集电极，基极截止电流
|::l
测
试
条
件
VCE==30V
集电极，发射极截止电流
Ic BO
共发射极静态也流传输比
hps
VcB=lOV ,
Ic=1.5A.
集电极，发射极饱和电 E
VCB( la t)
1c: =1.5A.
r.回 O.15A
集电极，基极饱和电压
V.B(.. 。
Ic =
特征频率
fT
下降时间
tl
.·
A , Ia = .
A
• 199 •
3005
最
名称
符号
./
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测试条件
刮目
A
单位
一一一
集电极，基极击穿电压
V( Ba >cao
1c =3mA
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集电极·发射极击穿电压 V(BR>CEO
1c =3mA
宫。
108 I I 雪o 1 200 I 250
发射极-基极击穿电压
lB -
V(BR)BB。
300 I 400
大
最
3.3
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v
v
v
，雪
lmA
符号
300 I "'00 1 600
EI
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,
• 200 •
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,
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O
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H
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,
• 20 I
硅 NPN 三重扩散型大功率晶体管
3DD5-T
用途z 功率放大;低速开关;电源调整
外形: S J 139 - 81
F
最大额定值 (T c =2S C)
0
额
名
一一一-
称
』ι主
3
符
八 I
H
值
定
I
c
I
单位
D
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集电极-基极电压
VCBO
一一一
一-
集电极-发射极 t 包灶;
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宫。
\'(;80
-一
一一一一一
在射极-基极也压
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2501300
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一
600
V
V
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集电极屯流
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一-一一
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PCM
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-55 卢 175
℃
一-一
贮存温度
丁..‘
•
电特性 (Tc =2S C)
0
名
称
号|
符
集电极-基极截止电流
l c lIo
集电极，发射极截止电流
Icso
共发射极挣态电流斗专输比
h ps
集电极，发射极饱和电压
Vcsc...)
集电戳，基极饱和电压
V Il8(...)
试
测
条
件
最小|典型|最大
单位
A
VC8==3nV(A). V白白宫。 V( 的
O. 雪
VC8=100V(C- J)
VCE= 雪 V.lc=IA(A-F)
15
VCB= IOV , lc=O. 75A,(G- 1)
7
Ecz1AJREO-lA1雪fAAf-GF-)n
Ic=O.? 雪A.l.=O.
'
Ic 量
1
A , 111 =O.IA
mA
120
1.5
1.5
v
v
特征频率
fT
MHz
下降时间
tl
μs
• 202 •
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匀
称
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A
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C
D
F
F
G
H
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500:
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I
V
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注 5o
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图 1
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紫
棕
7 --15
红~蓝
同上
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E
注z ①
A 档 VCE= 30V , B档 V CE = 50 V , C
",
1 档 VCE= 100V
(
A '" F档 VCE=5V ， Ic=1A; G--I 档 VCE=10V ， Ic==0.75A
(
A '" F 档 IC=1A ， IB=O.lA , G "， I 档 Ic=0.75A ， IB=0.15A
53