HUASHAN D072AJ-00

NPN
汕头华汕电子器件有限公司
SILICON
TRANSISTOR
A42 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:D072AJ-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:720×720µm 2
焊位尺寸:B 极 95×95µm 2;E 极 100×100µm 2
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装: MPSA42,HA42
█ 极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-92)
Tstg ——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温…………………………………………………150℃
PC——集电极耗散功率…………………………………625mW
VCBO——集电极—基极电压………………………………300V
VCEO——集电极—发射极电压……………………………300V
VEBO——发射极—基极电压…………………………………5V
IC——集电极电流………………………………………500mA
█ 电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-92)
参数符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
ICES
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
符
号
说
明
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
集电极—发射极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
特征频率
最小值 典型值 最大值
300
300
6
100
100
1
25
40
40
V
V
V
nA
nA
µA
300
0.5
1.0
0.9
50
单位
V
V
V
MHz
测
试
条
件
IC=100µA,IE=0
IC=1mA,IB=0
IE=100µA,IC=0
VCB=200V, IE=0
VEB=6V, IC=0
VCE=300V, VBE=0
VCE=10V, IC=1mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=30mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=60mA, IB=6mA
IC=20mA,IB=2mA
VCE=20V, IC=10mA,
f=100MHz