ETC DBFS300R17KE320

Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS 300 R17 KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T vj = 25°C
VCES
1700
V
T C = 80 °C
IC,nom.
300
A
T C = 25 °C
IC
375
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
tP = 1 ms, T C = 80°C
ICRM
600
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T C=25°C, Transistor
Ptot
1660
W
VGES
+/- 20V
V
IF
300
A
IFRM
600
A
I2t
t.b.d.
k A2s
VISOL
3,4
kV
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
-
2,0
2,45
V
-
2,4
t.b.d.
V
VGE(th)
5,2
5,8
6,4
V
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC = 300A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
VCE sat
IC = 300A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 12mA, VCE = VGE, T vj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
QG
-
3,4
-
µC
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
-
25
-
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cres
-
0,9
-
nF
-
-
5
mA
-
-
-
mA
-
-
400
nA
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: Alfons Wiesenthal
date of publication: 2002-07-26
approved by: Christoph Lübke
revision: 2.0
1/8
ICES
IGES
DB_FS300R17KE3_2.0.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS 300 R17 KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
VGE = ±15V, RG = 4,7W, T vj = 25°C
td,on
VGE = ±15V, RG = 4,7W, T vj = 25°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
IC = 300A, VCE = 900V
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
IC = 300A, VCE = 900V
tr
VGE = ±15V, RG = 4,7W, T vj = 25°C
td,off
VGE = ±15V, RG = 4,7W, T vj = 125°C
VGE = ±15V, RG = 4,7W, T vj = 125°C
tf
Kurzschlußverhalten
SC Data
-
µs
-
µs
-
0,10
-
µs
-
0,10
-
µs
-
0,82
-
µs
-
0,97
-
µs
-
0,10
-
µs
0,20
-
µs
Eon
-
120
-
mJ
Eoff
-
100
-
mJ
ISC
-
1110
-
A
LsCE
-
20
-
nH
RCC´+EE´
-
1,1
-
mW
min.
typ.
max.
-
1,8
2,2
V
-
1,9
t.b.d.
V
IC = 300A, VCE = 900V, VGE = ±15V
RG = 4,7W, T vj = 125°C, Ls = 80nH
IC = 300A, VCE = 900V, VGE = ±15V
RG = 4,7W, T vj = 125°C, Ls = 80nH
tP £ 10µsec, VGE £ 15V
T Vj£125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·di/dt
Modulinduktivität
stray inductance module
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
0,25
0,30
-
VGE = ±15V, RG = 4,7W, T vj = 125°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
-
IC = 300A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 4,7W, T vj = 125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
max.
IC = 300A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 4,7W, T vj = 125°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
typ.
pro Zweig / per arm, T C = 25°C
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IF = 300A, - diF/dt = 3500A/µs
VF
IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C
IRM
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
370
-
A
400
-
A
-
80
-
µC
-
130
-
µC
-
40
-
mJ
-
70
-
mJ
IF = 300A, - diF/dt = 3500A/µs
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C
Qr
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
-
IF = 300A, - diF/dt = 3500A/µs
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C
2/8
Erec
DB_FS300R17KE3_2.0.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS 300 R17 KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
NTC - Widerstand / NTC - thermistor
min.
typ.
max.
R25
-
5
-
kW
T C = 100°C; R100 = 493W
DR/R
-5
-
5
%
Verlustleistung
Power dissipation
T C = 25°C
P25
-
-
20
mW
B - Wert
B - value
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)]
B25/50
-
3375
-
K
min.
typ.
max.
-
-
0,075
K/W
-
-
0,130
K/W
RthCK
-
0,005
-
K/W
T vj max
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T vjop
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T stg
-40
-
125
°C
Nennwiderstand
rated resistance
T C = 25°C
Abweichung von R100
devitation of R100
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K
RthJC
Diode/Diode, DC
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance
14
mm
Luftstrecke
clearance
10
mm
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M5
M
3
-
6
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Anschlüsse / terminals M6
M
3
-
6
Nm
Gewicht
weight
G
916
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3/8
DB_FS300R17KE3_2.0.xls
g
Technische Information / Technical Information
FS 300 R17 KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
IC = f (VCE)
VGE = 15V
600
550
500
450
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IC [A]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
IC = f (VCE)
Tvj = 125°C
600
550
VGE=9V
500
VGE=11V
VGE=13V
450
VGE=15V
VGE=19V
IC [A]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
VCE [V]
4/8
DB_FS300R17KE3_2.0.xls
Technische Information / Technical Information
FS 300 R17 KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
IC = f (VGE)
VCE = 20V
600
550
25°C
500
125°C
450
IC [A]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
5
6
7
8
9
10
11
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
IF = f (VF)
600
550
500
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
450
IF [A]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
VF [V]
5/8
DB_FS300R17KE3_2.0.xls
Technische Information / Technical Information
FS 300 R17 KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste (typisch)
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) VGE = ±15V, RGon = RGoff =4,7W, VCE = 900V, Tvj = 125°C
600
500
Eon
Eoff
Erec
E [mJ]
400
300
200
100
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE = ±15V,
IC = 300A , VCE = 900V , Tvj = 125°C
600
Eon
500
Eoff
Erec
E [mJ]
400
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
RG [W]
6/8
DB_FS300R17KE3_2.0.xls
Technische Information / Technical Information
FS 300 R17 KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
0,1
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
i
ri [K/kW] : IGBT
ti [s]
: IGBT
1
2
3
4
19,09
28,21
21,78
5,924
0,01565
0,03977
0,07521
1,443
ri [K/kW] : Diode
44,06
48,89
30,96
6,1
0,02103
0,03011
0,08672
1,1583
ti [s]
: Diode
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE = ±15V, RG = 4,7 Ohm, T vj= 125°C
700
600
500
IC,Chip
IC [A]
ZthJC [K/W]
1
400
300
200
100
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
VCE [V]
7/8
DB_FS300R17KE3_2.0.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS 300 R17 KE3
vorläufige Daten
preliminary data
8/8