Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 1700 V TC = 80 °C IC,nom. 1200 A TC = 25 °C IC 2400 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 2400 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 9,6 kW VGES +/- 20V V IF 1200 A IFRM 2400 A 2 I t 440 kA2s VISOL 4 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp = 1 ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 1200A, V GE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat IC = 1200A, V GE = 15V, Tvj = 125°C typ. max. 2,6 3,1 V 3,1 3,6 V 5,5 6,5 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 80mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V ... +15V QG 14,5 µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies 79 nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cres 4 nF VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 25°C ICES 0,03 2,5 mA 16 120 mA 400 nA Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VGE(th) VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C prepared by: Oliver Schilling date of publication: 4.9.1998 approved by: Chr. Lübke; 08.10.99 revision: 2 (serie) 1(8) IGES 4,5 FZ1200R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Charakteristische Werte / Characteristic values min. Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) td,on VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 25°C tr VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 25°C µs 0,16 µs µs 1,1 µs 1,1 µs 0,13 µs 0,14 µs Eon 330 mWs Eoff 480 mWs ISC 4800 A LsCE 12 nH RCC´+EE´ 0,08 mΩ td,off IC = 1200A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 25°C tf VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C IC = 1200A, V CE = 900V, V GE = 15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse IC = 1200A, V CE = 900V, V GE = 15V RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH tP ≤ 10µsec, V GE ≤ 15V TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip 0,3 IC = 1200A, V CE = 900V Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data µs 0,16 VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) 0,3 IC = 1200A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) max. IC = 1200A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) typ. pro Zweig / per arm Charakteristische Werte / Characteristic values min. Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage IF = 1200A, V GE = 0V, Tvj = 25°C Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec VF IF = 1200A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C IRM VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge max. 2,1 2,5 V 1,95 2,3 V 700 A 1000 A 160 µAs 350 µAs 90 mWs 180 mWs IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C Qr VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy typ. IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C 2(8) Erec FZ1200R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Transistor / transistor, DC Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K typ. RthJC RthCK Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj Betriebstemperatur operation temperature Top Lagertemperatur storage temperature Tstg max. 0,013 K/W 0,025 K/W 0,008 K/W 150 °C -40 125 °C -40 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AlN Kriechstrecke creepage distance 17 mm Luftstrecke clearance 10 mm CTI comperative tracking index 275 M1 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M4 Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque M2 terminals M8 Gewicht weight G 1050 5 Nm 2 Nm 8 - 10 Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) FZ1200R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (V CE) V GE = 15V 2400 2200 2000 1800 IC [A] 1600 1400 1200 1000 800 Tj = 25°C 600 Tj = 125°C 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 4,5 5,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (V CE) T vj = 125°C 2400 2200 VGE = 20V 2000 VGE = 15V VGE = 12V 1800 VGE = 10V IC [A] 1600 VGE = 9V VGE = 8V 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] 4(8) FZ1200R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (V GE) VCE = 20V 2400 2200 Tj = 25°C 2000 Tj = 125°C 1800 IC [A] 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) I F = f (V F) 2400 2200 Tj = 125°C 2000 Tj = 25°C 1800 IF [A] 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) FZ1200R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Schaltverluste (typisch) Eon = f (I C) , Eoff = f (I C) , Erec = f (I C) Rgon = Rgoff =1,2 Ω, VCE = 900V, T j = 125°C, V GE = ± 15V Switching losses (typical) 1200 Eoff 1000 Eon Erec E [mJ] 800 600 400 200 0 0 500 1000 1500 2000 2500 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) IC = 1200A , V CE = 900V , T j = 125°C, V GE = ± 15V 1400 Eoff 1200 Eon Erec E [mJ] 1000 800 600 400 200 0 0 2 4 6 8 10 RG [Ω] 6(8) FZ1200R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 2 3 4 1,25 6,15 2,6 3 0,003 0,05 0,1 0,95 2,46 13,4 4,57 4,57 0,003 0,045 0,45 0,75 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 1,2 Ohm, T vj= 125°C 3000 2500 2000 IC [A] ZthJC [K / W] 0,1 IC,Modul IC,Chip 1500 1000 500 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] Seite/page 7 (8) FZ1200R17KF6B2 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Äußere Abmessungen / external dimensions 8(8) FZ1200R17KF6B2