SANYO ECH8604

注文コード No. N 7 2 8 9 A
ECH8604
No. N 7 2 8 9 A
32003
半導体ニューズ No.N7289 とさしかえてください。
ECH8604
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
ロードスイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
許容損失
全損失
PD
PT
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
unit
20
± 10
V
V
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
6
40
A
A
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
1.3
1.5
W
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
min
max
unit
1
V
µA
± 10
1.3
µA
V
30
S
mΩ
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=20V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=3A
ID=3A, VGS=4V
RDS(on)2
ID=1.5A, VGS=2.5V
typ
20
0.5
7
10
22
30
44 mΩ
次ページへ続く。
単体品名表示：KE
外形図 2206A
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
4
0.65
2.9
Top View
Bottom View
0.07
1
0.9
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
0.15
0.25
2.3
5
2.8
0.3
8
0.25
(unit : mm)
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO：ECH8
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
32003 TS IM 外変 / 83002 TS IM ◎佐藤 TA-100164 No.7289-1/4
ECH8604
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min
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
780
300
pF
pF
帰還容量
ターンオン遅延時間
Crss
td(on)
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
150
19
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
tr
td(off)
〃
〃
134
90
ns
ns
下降時間
総ゲート電荷量
tf
Qg
〃
94
23
ns
nC
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=10V, VGS=10V, ID=6A
1.6
3.6
nC
nC
ダイオード順電圧
VSD
IS=6A, VGS=0
0.84
6
VDD=10V
3
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
ECH8604
(Top view)
4
P.G
2.0V
3.0V
10
9
V
ドレイン電流, ID -- A
2.5
1.5V
6
5
4
3
S
ID -- VGS
VDS=10V
7
6
5
4
3
1
1
VGS=1.0V
0
0
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
1.0
RDS(on) -- VGS
70
Ta=25°C
60
50
ID=3A
1.5A
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.5
10
IT04387
1.5
1.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT04385
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0.3
25°
C
2
2
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
50Ω
8
7
0.2
ID=3A
RL=3.3Ω
VOUT
VIN
ID -- VDS
4.0V
ドレイン電流, ID -- A
5
--25°C
2
10
0.1
V
4V
0V
75°C
7
1
1.2
スイッチングタイム測定回路図
Ta=
8
0
unit
Ciss
Coss
VIN
8
max
入力容量
出力容量
電気的接続図
9
typ
2.0
IT04386
RDS(on) -- Ta
50
45
40
V
35
,
1.5A
I D=
30
=2.5
VGS
=4.0V
, V GS
A
3
=
ID
25
20
15
10
5
0
--50
--25
0
25
50
75
周囲温度, Ta -- °C
100
125
150
IT04388
No.7289-2/4
ECH8604
yfs -- ID
Ta=
7
--25
75°
5
°C
C
C
25°
3
2
3
5
7
2
1.0
3
5
7
ドレイン電流, ID -- A
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
IT04390
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
VDD=10V
VGS=4V
5
0.3
ダイオード順電圧, VSD -- V
f=1MHz
2
3
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2
10
IT04389
SW Time -- ID
7
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
1.0
2
1.0
7
5
3
2
=75
°C
25°
C
--25
°C
10
Ta
2
5
0.1
2
td(off)
tf
100
7
tr
5
3
td(on)
2
1000
Ciss
7
5
Coss
3
2
Crss
100
7
10
0.1
5
2
3
5
7
2
1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
7
0
10
IT04391
100
7
5
3
2
VDS=10V
ID=6A
9
ドレイン電流, ID -- A
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
総ゲート電荷量, Qg -- nC
25
IT04393
PD -- Ta
1.8
2
4
6
8
10
12
14
16
18
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VGS=0
10
7
5
3
2
3
7
許容損失, PD -- W
IF -- VSD
3
2
VDS=10V
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
5
10
7
5
3
2
ASO
IDP=40A
＜10µs
1m
s
ID=6A
10
DC
ms
10
0m
s
op
er
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
20
IT04392
ati
on
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0.01
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
IT04394
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
全
1.0
損
失
1u
0.8
ni
t
0.6
0.4
0.2
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT04395
No.7289-3/4
ECH8604
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.7289-4/4