Plane MULTILED® 3 mm (T1) LED, Non Diffused LSP P370, LOP P370 Besondere Merkmale farbloses, klares Gehäuse zur Einkopplung in Lichtleiter als optischer Indikator einsetzbar antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich bei geeigneter Ansteuerung mit IC (z.B. SDA 2231), Farbwechsel von grün über gelb bis orange (bzw. bis super-rot) möglich ● Lötspieße mit Aufsetzebene ● gegurtet lieferbar ● Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06712 ● ● ● ● ● ● Features colorless, clear package for optical coupling into light pipes for use as optical indicator antiparallel chips high signal efficiency possible by color change of the LED with appropriate controlling by IC (e.g. SDA 2231) it is possible to change color from green to yellow and orange (resp. to super-red) ● solder leads with stand-off ● available taped on reel ● load dump resistant acc. to DIN 40839 ● ● ● ● ● ● Semiconductor Group 0 11.96 LSP P370, LOP P370 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstrom Luminous Flux IF = 15 mA ΦV (mlm) Bestellnummer Ordering Code LSP P370-KN LSP P370-M LSP P370-N LSP P370-P LSP P370-MQ super-red / pure green colorless clear 6.3 16.0 25.0 40.0 16.0 … 50 … 32 … 50 … 80 … 125 Q62703-Q2439 Q62703-Q2671 Q62703-Q2672 Q62703-Q3232 Q62703-Q2673 LOP P370-KN LOP P370-M LOP P370-N LOP P370-MQ orange / pure green colorless clear 6.3 16.0 25.0 16.0 … 50 … 32 … 50 … 125 Q62703-Q2530 Q62703-Q2674 Q62703-Q2675 Q62703-Q2676 Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.1) Streuung des Lichtstromes in einer LED ΦV max / ΦV min ≤ 4.0. 1) Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe der LED. Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.1) Luminous flux ratio in one LED ΦV max / ΦV min ≤ 4.0. 1) In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one packaging unit determines the brightness group of the LED. Semiconductor Group 1 LSP P370, LOP P370 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values LS, LO LP Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 40 1) 30 1) mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 0.5 A Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 140 100 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 400 400 K/W 1) 1) Die angegebenen Grenzdaten gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhängig vom Betriebszustand des anderen. The stated maximum ratings refer to the specified chip, regardless of the other one’s operating status. Semiconductor Group 2 LSP P370, LOP P370 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LP Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 635 610 557 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 628 605 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max (typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Φrel max (typ.) IF = 20 mA 45 40 22 nm Durchlaßspannung Forward voltage IF = 15 mA (typ.) VF (max.) VF 2.1 2.6 2.1 2.6 2.1 2.6 V V Kapazität 1) Capacitance 1) VR = 0 V, f = 1 MHz (typ.) C0 12 8 15 pF (typ.) tr (typ.) tf 300 150 300 150 450 200 ns ns Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω 1) 1) Die Gesamtkapazität ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitäten. The total capacitance results from the sum of the single capacitances. Semiconductor Group 3 LSP P370, LOP P370 Relative spektrale Emission Φrel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Φrel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LSP P370, LOP P370 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relativer Lichtstrom ΦV / ΦV(15 mA) = f (IF) Relative luminous flux TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LS, LO Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LP Semiconductor Group 5 LSP P370, LOP P370 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA), LS, LO Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA), LP Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Semiconductor Group 6 LSP P370, LOP P370 Relativer Lichtstrom ΦV / ΦV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous flux IF = 15 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 15 mA Semiconductor Group 7 LSP P370, LOP P370 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06816 Maßzeichnung Package Outlines Cathode mark, pure green: Long solder lead Cathode mark, red, orange: Short solder lead Semiconductor Group 8