Besondere Merkmale ● farbloses, klares Gehäuse ● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung ● antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips ● besonders geeignet bei hohem Umfeldlicht durch erhöhten Betriebsstrom (typ. 50 mA) ● hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich ● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbeleuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet ● zur Direkteinkopplung in Lichtleiter geeignet ● gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weißdruck) vor dem äußeren Reflektor ● Lötspieße mit Aufsetzebene ● gegurtet lieferbar ● Störimpulsfest nach DIN 40839 LSG K372, LSP K372 VEX06712 Super Multi ARGUS® LED High-Current, 3 mm (T1) LED, Non Diffused Features ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● colorless, clear package plastic package with a special design antiparallel chip appropriate for high ambient light because of the higher operating current (typ. 50 mA) high signal efficiency possible by color change of the LED in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels for optical coupling into light pipes uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 11.96 LSG K372, LSP K372 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstrom Luminous Flux IF = 50 mA ΦV (mlm) Bestellnummer Ordering Code LSG K372-QO super-red / green colorless clear ≥ 100 (160 typ.) Q62703-Q2647 LSP K372-PO super-red / pure green ≥ 40 (100 typ.) Q62703-Q2380 colorless clear Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.1) Streuung des Lichtstromes in einer LED ΦV max / ΦV min ≤ 3.0 (L*G K372), ≤ 4.0 (L*P K372). 1) Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe der LED. Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.1) Luminous flux ratio in one LED ΦV max / ΦV min ≤ 3.0 (L*G K372), ≤ 4.0 (L*P K372). 1) In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of the LED. Semiconductor Group 2 LSG K372, LSP K372 Grenzwerte 1) Maximum Ratings 1) Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 75 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 1 A Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 240 mW Wärmewiderstand Termal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 2) 250 K/W 1) 2) 1) 2) Die angegebenen Grenzwerte gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhängig vom Betriebszustand des anderen. Montiert auf Platine mit min. Anschlußlänge (bis Aufsatzebene, Lötfläche ≥ 16 mm2). The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one’s status. Mounted on PC board with min. lead length (up to stand-off, pad size ≥ 16 mm2). Semiconductor Group 3 LSG K372, LSP K372 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit S G P Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 635 565 557 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 628 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max (typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Φrel max (typ.) IF = 20 mA 45 25 22 nm Durchlaßspannung Forward voltage IF = 50 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 3.8 2.6 3.8 2.6 3.8 V V Kapazität 1) Capacitance 1) VR = 0 V, f = 1 MHz (typ.) C0 55 55 80 pF (typ.) tr (typ.) tf 300 150 450 200 450 200 ns ns Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω 1) 1) Die Gesamtkapazität ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitäten. The total capacitance results from the sum of the single capacitances. Semiconductor Group 4 LSG K372, LSP K372 Relative spektrale Emission Φrel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Φrel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LSG K372, LSP K372 Durchlaßstrom, Pulsbetrieb IF = f (VF) Forward current, pulsed TA = 25 ˚C Relativer Lichtstrom ΦV / ΦV(50 mA) = f (IF) Relative luminous flux TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA) Max. permissible forward current Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Semiconductor Group 6 LSG K372, LSP K372 Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 50 mA Relativer Lichtstrom ΦV / ΦV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous flux IF = 50 mA Semiconductor Group 7 LSG K372, LSP K372 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06805 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: rot: kürzerer Lötspieß grün: längerer Lötspieß Cathode mark: red: shorter solder lead green: longer solder lead Semiconductor Group 8