HHBY THB6128 THB6128 高细分两相混合式步进电机驱动芯片 一、 特性： ● ● ● ● ● ● 双全桥 MOSFET 驱动，低导通电阻 Ron＝0.55Ω 最高耐压 36VDC，大电流 2.2A（峰值） 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128） 自动半流锁定功能 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选 内置温度保护及过流保护 二、 管脚图： 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -1- 2009 年 03 月 HHBY THB6128 三、 管脚说明： 端子 No 端子符号 端子说明 17 DOWN 通电锁定时输出端 14，23 SGND 信号地 20 OSC1 斩波频率设定电容连接端 18 FDT 衰减模式选择电压输入端 15 VREF 电流设定端 11 VMB B相 28 M1 细分设置端 27 M2 细分设置端 26 M3 细分设置端 13 OUT2B B相 10 NFB B 相 电流检测电阻连接端 9 OUT1B B 相 OUTB 输出端 12 PGNDB B相 7 OUT2A A 相 OUTA 输出端 6 NFA A 相 电流检测电阻连接端 3 OUT1A A 相 OUTA 输出端 4 PGNDA A相 25 ENABLE 脱机信号控制端 24 RESET 复位信号输入端 5 VMA A 相 电机电源连接端 21 CLK 脉冲信号输入端 22 CW/CCW 正／反转信号输入端 19 OSC2 通电锁定检出时间设定电容连接端 16 MO 位置检出 Monitor 端 30 VREG1 内部稳压器用电容连接端 1 VREG2 内部稳压器用电容连接端 2 VM 电机电源连接端 29 ST/VCC 待机控制端 北京博远鼎盛电子科技有限公司 电机电源连接端 OUTB 输出端 功率地 功率地 -2- 2009 年 03 月 HHBY THB6128 四、 电器参数： 1、 最高额定值 Absolute Maximum Ratings (Ta 25°C) 项目 符号 额定值 符号 最高电源电压 VMmax 36 Ｖ 最大输出电流 Iomax 2.2 Ａ 最高逻辑输入电压 VINmax 6 Ｖ VREF 最高输入电压 VREFmax 3 Ｖ 工作环境温度 Topg －20～＋85 ℃ 保存环境温度 Tstg －55～＋150 ℃ 2、 正常运行参数范围 Operating Range (Ta 30 to 85°C) 参数 符号 最小 典型. 最大 单位 逻辑输入电压 VIN 4.5 5.0 6 V 电源电压 VM 9 36 V 输出电流 Io 2 A VREF 0 3 V 电流设定端 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -3- 2009 年 03 月 HHBY THB6128 3、 电器特性 Electrical Characteristics (Ta 25°C, VREF 1.5 V, VM 24 V) 项目 符号 条件 最小 标准 最大 符号 待机时消耗电流 IMstn ST=”L” 200 μA 消耗电流 IM ST＝”H”、OE=”H”、无负载 4 mA TSD 温度 TSD 180 ℃ Thermal Hysteresis 值 ΔTSD 40 ℃ 逻辑端子输入电流 IinL1 VIN=0.8V 8 μA IinH1 VIN=5V 50 μA 逻辑输入“H”Level 电压 Vinh 2.0 Ｖ 逻辑输入“L”Level 电压 Vinl FDT 端子“H”Level 电压 Vfdth 3.5 FDT 端子“M”Level 电压 Vfdtm 1.1 FDT 端子“L”Level 电压 Vfdtl 斩波频率 Fch OSC1 端子充放电电流 斩波振荡电路 电压阈值 VREF 端子输入电流 Iref VREF=1.5V DOWN 输出残电压 VolDO Idown=1mA 400 mV MO 端子残电压 VolMO Imo=1mA 400 mV 通电锁定切换频率 Falert Cosc2=1500pF OSC2 端子充放电电流 通电锁定切换振荡电路 电压阈值 0.8 Cosc1=100pF Ｖ V 3.1 V 0.8 V 100 KHz Iosc1 10 μA Vtup1 1 V Vtdown1 0.5 V -0.5 μA 1.6 Hz Iosc2 TBD μA Vtup2 TBD V Vtdown2 TBD V REG1 输出电压 Vreg1 5 V REG2 输出电压 Vreg2 19 V Blanking 时间 Tbl 1 uS 输出 Ronu Io=2.0A、上側 ON 阻抗 0.3 Ω Rond Io=2.0A、下側 ON 阻抗 0.25 Ω 输出漏电流 Ioleak VM=36V 二极管正向压降 VD ID＝－2.0A 1 V 电流设定基准电压 VRF VREF=1.5V、電流比 100% 300 mV 256 μs 输出 ON 阻抗 50 μA 输出短路保护 Timer Latch 时间 Tscp 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -4- 2009 年 03 月 HHBY THB6128 五、 使用说明 1、细分设定（M1、M2、M3） M1 M2 M3 细分数 L L L 1 H L L 1/2 L H L 1/4 H H L 1/8 L L H 1/16 H L H 1/32 L H H 1/64 H H H 1/128 2、衰减模式设定 PDT 为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效 果。 VFDT 衰减方式 3.5<VPDT<VCC 慢衰减模式 1.1V<VPDT<3.1V 混合式衰减模式 VPDT<0.8V 快衰减模式 3、电流设定 VREF 电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值 Io（100%）=VREF*（1/5）*（1/Rs） Rs 为 NFA(B)外接检测电阻 (例)VREF=1.5V、Rs 电阻为 0.3Ω时，设定电流为： Iout = (1.5V／5) ／ 0.3Ω = 1.0A 4、待机功能（Standby） ST/VCC 端子为 Low 时，IC 进入待机模式，所有的逻辑被重置，输出为 OFF。ST/VCC 端子 为 High 时解除待机模式。 5、CLK 脉冲输入端 输入 芯片工作状态 ST/VCC CLK L * 待机状态 H 输出励磁 Step H 保持励磁 Step 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -5- 2009 年 03 月 HHBY THB6128 6、CW/CCW：电机正反转控制端 CW/CCW 为 Low 时，电机正转 CW/CCW 为 High 时，电机反转 7、RESTER：上电复位端 RESET 端子为 Low 时，输出为初始模式。励磁位置不再与 CLK、CW/CCW 端子关联，而被固 定在初始位置。初识位置时，MO 端子输出 L。(Open Drain 连接) 8、ENABLE：使能端 ENABLE 端子为 Low 时，输出强制 OFF，为高阻状态。但是，由于内部逻辑电路仍在动作， 如果在 CLK 端子输入信号，励磁位置仍在进行。因此，将 ENABLE 重新置为 High 时，根据 CLK 输入，遵循进行的励磁位置的 level 输出。 9、DOWN、MO 输出端 输出端子为 Open Drain 连接。各端子在设定状态下 ON，输出 Low Level。 端子状态 DOWN MO Low 通电锁定时 初始位置 OFF 通电时 初始以外 10、斩波频率设定功能 斩波频率由 OSC1 端子端子-GND 间连接的电容，依据下面的公式设定。 -6 Fcp = 1 ／ (Cosc1 / 10×10 ) (Hz) （例）Cosc1=100pF 时，斩波频率如下。 -12 -6 Fcp = 1 / (100×10 / 10×10 ) = 100(kHz) 11、输出短路保护电路 该 IC 为防止对电源或对地短路导致 IC 损坏的情况，内置了短路保护电路，使输出置于 待机模式。检测出输出短路状态时，短路检出电路动作，一度输出 OFF。此后，Timer Latch 时间（typ:256uS）之后再度输出 ON，如果输出仍然短路的话，将输出固定于待机模式。 由输出短路保护电路动作而使输出固定于待机模式的场合，通过使 ST＝“L”可以解除锁 定。 12、通电锁定电流切换用 Open Drain 端子 输出端子为 Open Drain 连接，从 CLK 输入的一个上升沿脉冲开始，在由 OSC2-GND 间连 接的电容决定的时间以内，下一个 CLK 的上升沿脉冲没有输出时切换为 ON，输出 Low Level。 一次 ON 的 Open Drain 输出由下一个 CLK 的上升沿脉冲置为 OFF。 保持通电电流切换时间(Tdown)由 OSC2 端子-GND 间连接的电容由如下的公式设定。 9 Tdown = Cosc2 × 0.4 × 10 (s) (例)Cosc2=1500pF 时，保持通电电流切换时间如下。 9 Tdown = 1500pF × 0.4 × 10 = 0.6 (s) 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -6- 2009 年 03 月 HHBY THB6128 六、 参考电路图 七、 封装尺寸 Package Dimensions 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -7- 2009 年 03 月 HHBY THB6128 北京博远鼎盛电子科技有限公司 李先生：13520810011；010-81677185 邮箱：[email protected] QQ：120088312 江先生：13911123317；010-68933631 邮箱：[email protected] QQ：8874072 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -8- 2009 年 03 月