IRF 400CNQ045

注文コード No. N 6 1 2 9
5HN02M
No. 6 1 2 9
62299
新
5HN02M
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
unit
50
± 20
V
V
0.2
0.8
A
A
PD
Tch
0.15
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
min
50
max
unit
V
10
± 10
µA
µA
2.4
V
S
2.3
3.2
Ω
Ω
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS=50V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 16V, VDS=0
typ
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=100µA
VDS=10V, ID=100mA
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=100mA, VGS=10V
ID=50mA, VGS=4V
1.8
2.3
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
22
12
帰還容量
Crss
VDS=10V, f=1MHz
4.6
スイッチングタイム測定回路図
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
D
VOUT
S
0.425
5HN02M
50Ω
pF
次ページへ続く。
0.3
0.15
3
G
P.G
pF
pF
0.2
ID=100mA
RL=250Ω
0.425
VDD=25V
VIN
0.31
外形図 2158
(unit : mm)
0∼0.1
2.1
1.250
10V
0V
1
0.22
1 2
0.65 0.65
2.0
0.3
0.6
0.9
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCP3
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
62299 SI寿◎小野田
IM ◎祝田 BX-0698
TA-1849 No.6129-1/4
62797GI
5HN02M
前ページより続く。
min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
typ
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
指定回路において
〃
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=200mA
1.86
0.28
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=200mA, VGS=0
0.45
0.83
max
unit
12
12
ns
ns
〃
〃
260
110
ns
ns
nC
nC
1.2
nC
V
3.0
3.5
単体品名表示：YF
ID -- VDS
0.35
2.5V
0.08
0.06
0.20
0.15
C
0.10
0.25
75°
0.12
0.30
0.10
0.04
0.02
0.05
VGS=2.0V
0
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
1.0
RDS(on) -- VGS
6
Ta=25°C
5
4
ID=100mA
3
50mA
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
7
5
Ta=75°C
25°C
2
1.0
0.01
--25°C
2
3
5
7
0.1
2
ドレイン電流, ID -- A
3
1.0
5
7
1.0
IT00254
1.5
2.0
2.5
IT00251
RDS(on) -- ID
10
VGS=10V
7
5
3
Ta=75°C
25°C
2
--25°C
1.0
0.01
2
3
5
7
2
0.1
3
5
ドレイン電流, ID -- A
IT00252
VGS=4V
3
0.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
10
RDS(on) -- ID
10
0
IT00250
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0.1
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
--25
°C
25°
C
0.14
ドレイン電流, ID -- A
10.0
V
3.
4.0
0V
V
8.0V
0.16
ドレイン電流, ID -- A
VDS=10V
6.0V
0.18
ID -- VGS
0.40
Ta=
0.20
7
1.0
IT00253
RDS(on) -- Ta
5.0
4.5
4.0
3.5
4V
S=
3.0
VG
A,
m
50
I D=
2.5
V
2.0
, VG
mA
10
S=
0
10
I D=
1.5
1.0
0.5
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT00255
No.6129-2/4
5HN02M
yfs -- ID
1.0
5
5
5°C
3
C
75°
°C
25
0.1
7
5
7
5
3
2
2
0.01
2
3
5
7
2
0.1
3
5
ドレイン電流, ID -- A
0
7
1.0
IT00256
SW Time -- ID
1000
7
5
td(off)
3
2
3
2
td(on)
tr
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IT00257
Ciss, Coss, Crss -- VDS
100
VDD=25V
VGS=10V
tf
100
7
5
0.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
f=1MHz
7
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
0.1
3
0.01
0.01
3
2
3
Ciss
2
Coss
10
7
5
Crss
3
2
1.0
0.01
1.0
2
3
5
7
2
0.1
ドレイン電流, ID -- A
3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT00258
VGS -- Qg
10
45
50
IT00259
PD -- Ta
0.20
VDS=10V
ID=200mA
9
8
0.15
7
許容損失, PD -- W
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
2
C
25°C
--25°C
=--2
Ta
2
Ta=75°
3
10
7
5
VGS=0
7
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7
IF -- VSD
1.0
VDS=10V
6
5
4
3
0.10
0.05
2
1
0
0
0
0.5
1.0
1.5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
2.0
2.5
IT00260
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT00261
No.6129-3/4
5HN02M
取り扱い上の注意：本製品は、高速スイッチング用ですから、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
Y24 PS No.6129-4/4