桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM7422
N-channel 30V, DFN3*3 MOSFET NN-溝道場效應管
特點
Low on-resistance 低導通電阻
Advanced trench technology 優秀溝槽技術
Backside heat sink 背面熱沉
RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<6mΩ@VGS=4.5V
▉Features
▉Applications 應用
Battery Protection 電池保護應用
Load Switch 負載開關應用
▉Internal
Schematic Diagram 內部結構
▉Absolute Maximum
Ratings 最大额定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓
BVDSS
30
V
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓
VGS
+20
V
ID(at TC = 25°C
32
25
A
Drain Current (continuous)漏極電流-連續
at TC = 100°C)
Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲
IDM
150
A
Total Device Dissipation 總耗散功率
PTOT(at TC = 25°C)
35
W
Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻
RΘJA
75
℃/W
Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度
TJ,Tstg
-55~150
℃
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▉Electrical
Characteristics 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V)
BVDSS
30
—
—
V
VGS(th)
1.2
—
2.3
V
IDSS
—
—
1
uA
IGSS
—
—
+100
nA
RDS(ON)
—
—
4.6
6
mΩ
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(ISD=1A,VGS=0V)
VSD
—
—
1
V
Input Capacitance 輸入電容
(VGS=0V, VDS=15V,f=1MHz)
CISS
—
2400
—
pF
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(VGS=0V, VDS=15V,f=1MHz)
COSS
—
370
—
pF
Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容
(VGS=0V, VDS=15V,f=1MHz)
CRSS
—
245
—
pF
Qgs
—
7
—
nC
Qgd
—
9
—
nC
Turn-On Delay Time 開启延迟時間
(VDS=15V, RL=0.75Ω, RGEN =3Ω,VGS=10V)
td(on)
—
8
—
ns
Turn-On Rise Time 開启上升時間
(VDS=15V, RL=0.75Ω, RGEN =3Ω,VGS=10V)
tr
—
9
—
ns
Turn-Off Delay Time 關断延迟時間
(VDS=15V, RL=0.75Ω, RGEN =3Ω,VGS=10V)
td(off)
—
36
—
ns
Turn-On Fall Time 開启下降時間
(VDS=15V, RL=0.75Ω, RGEN =3Ω,VGS=10V)
tf
—
9
—
ns
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS)
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 30V)
Gate Body Leakage
栅極漏電流(VGS=+20V, VDS=0V)
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID=20A,VGS=10V)
(ID=20A,VGS=4.5V)
Gate Source Charge 栅源電荷密度
(VDS=15V, ID=20A, VGS=10V)
Gate Drain Charge 栅漏電荷密度
(VDS=15V, ID=20A, VGS=10V)
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■DIMENSION
外形封裝尺寸