桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3066 SOT-89 場效應晶體管(SOT-89 Field Effect Transistors) N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs N 沟道增强型 MOS 场效应管 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS 16 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +16 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 ID 3 A Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDM 6 A PD 2 W Tch 150 ℃ Tstg -55to+150 ℃ Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ Channel Temperature 溝道溫度 Storage Temperature 儲存溫度 ■DEVICE MARKING 打標 GM3066=NG** 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3066 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID = 250uA,VGS=0V) BVDSS 16 — — V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID = 1mA,VGS= VDS) VGS(th) 0.8 — 1.6 V Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 16V) IDSS — — 1 uA Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+16V, VDS=0V) IGSS — — +1 uA Forward Transfer Admittance 正向傳輸導納(VDS=3V,ID=1A) yfs 0.4 3 — S RDS(ON) — — 300 500 mΩ Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS= 3V,f=1MHz) CISS — 240 — pF Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS= 3V,f=1MHz) COSS — 100 — pF Turn-ON Time 开启時間 (VDS= 3V, ID= 1.5A, RGEN=10Ω) t(on) — 140 — ns Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= 3V, ID=1.5A, RGEN=10Ω) t(off) — 120 — ns Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=1.5A,VGS=4V) (ID=1A,VGS=2.5V) Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0% 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3066 ■外形尺寸(DIMENSION)