桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMS2302
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N 沟道增强型 MOS 场效应管
■MAXIMUM
RATINGS 最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BVDSS
16
V
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
VGS
+8
V
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
ID
2.6
A
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
IDM
10
A
Total Device Dissipation
總耗散功率
TA=25℃環境溫度爲 25℃
PD
450
mW
Junction 結溫
TJ
150
℃
Storage Temperature 儲存溫度
Tstg
-55to+150
℃
■DEVICE
MARKING 打標
S2302
=A2
GMS2302
GM
S2302=
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GMS2302
■ELECTRICAL
CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(ID = 250uA,VGS=0V)
BVDSS
16
—
—
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(ID = 250uA,VGS= VDS)
VGS(th)
0.4
—
1.2
V
Drain-Source On Voltage
漏極-源極導通電壓(ID= 50mA,VGS= 5V)
(ID = 500mA,VGS= 10V)
VDS(ON)
—
—
0.375
3.75
V
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(IS= 0.75A,VGS=0V)
VSD
—
—
1.2
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 12V)
(VGS=0V, VDS= 12V, TA=55℃)
IDSS
—
—
1
10
uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V)
IGSS
—
—
+100
nA
RDS(ON)
—
—
0.09
0.13
Ω
Input Capacitance 輸入電容
(VGS=0V, VDS= 6V,f=1MHz)
CISS
—
—
880
pF
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(VGS=0V, VDS= 6V,f=1MHz)
COSS
—
—
270
pF
Turn-ON Time 开启時間
(VDS= 6V, ID= 1A, RGEN=6Ω)
t(on)
—
—
20
ns
Turn-OFF Time 关断時間
(VDS= 6V, ID= 1A, RGEN=6Ω)
t(off)
—
—
65
ns
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID=3A,VGS=4.5V)
(ID=2A,VGS=2.5V)
Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%
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■DIMENSION
外形封裝尺寸