桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM4947 P-channel 60V, SOP-8 MOSFET PP-溝道場效應管 ▉Features 特點 Low on-resistance and maximum DC current capability 低導通電阻和最大直流電流能力 Super high density cell design 超高元胞密度設計 RDS(ON)<72mΩ@VGS=-10V RDS(ON)<94mΩ@VGS=-4.5V ▉Applications 應用 Power Management in Note book 筆記本電源管理 Portable Equipment 便攜式設備 Battery Powered System 電池電源系統 DC/DC Converter 直流/直流变换 Load Switch 負載開關應用 LCD Display inverter 液晶顯示控制 ▉Internal Schematic Diagram 內部結構 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS -60 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +20 V ID（at TC = 25°C -4.4 -3.5 A Drain Current (continuous)漏極電流-連續 at TC = 70°C） Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲 IDM -18 A Total Device Dissipation 總耗散功率 PTOT(at TC = 25°C) 2.5 W Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻 RΘJA 50 ℃/W Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度 TJ,Tstg -55~150 ℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM4947 ▉Electerical Characteristics 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =-250uA,VGS=0V) BVDSS -60 — — V VGS(th) -1 — -3 V IDSS — — -1 uA IGSS — — +100 nA RDS(ON) — 60 73 72 94 mΩ Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=-1A,VGS=0V) VSD — -0.8 -1.2 V Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz) CISS — 962 — pF Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz) COSS — 100 — pF Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容 (VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz) CRSS — 33 — pF Qgs — 5.1 — nC Qgd — 4.9 — nC Turn-On Delay Time 開启延迟時間 (VDS=-30V, ID=-1A, RGEN=3Ω,VGS=-10V) td(on) — 38 — ns Turn-On Rise Time 開启上升時間 (VDS=-30V, ID=-1A, RGEN=3Ω,VGS=-10V) tr — 18 — ns Turn-Off Delay Time 關断延迟時間 (VDS=-30V, ID=-1A, RGEN=3Ω,VGS=-10V) td(off) — 51 — ns Turn-On Fall Time 開启下降時間 (VDS=-30V, ID=-1A, RGEN=3Ω,VGS=-10V) tf — 6 — ns Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =-250uA,VGS= VDS) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -60V) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+20V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=-5A,VGS=-10V) (ID=-4A,VGS=-4.5V) Gate Source Charge 栅源電荷密度 (VDS=-30V, ID=-4A, VGS=-4.5V) Gate Drain Charge 栅漏電荷密度 (VDS=-30V, ID=-4A, VGS=-4.5V) 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM4947 ■DIMENSION 外形封裝尺寸