桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMW4N60 N-channel 600V, 4A, TO-252 Power MOSFET 功率場效應管 ▉Features 特點 Ultra low on-resistance 超低導通電阻 Low gate charge 低栅電荷密度 Fast switching 快速開關能力 ▉Applications 應用 Switch mode power supplies 開關電源 DC-DC converters and UPS 直流直流变换和不间断電源 PWM motor controls 脉宽调制電机控制 General switching applications 普通開關应用 ▉Internal Schematic Diagram 內部結構 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS 600 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +30 V ID（at TC = 25°C） 4 A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲 IDM 16 A Total Device Dissipation 總耗散功率 PTOT(at TC = 25°C) 90 W Avalanche Energy, Single Pulsed 單脉冲雪崩能量 EAS 260 mJ Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻 RΘJA 50 ℃/W Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度 TJ,Tstg -55~150 ℃ Drain Current (continuous)漏極電流-連續 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMW4N60 ▉Electrical Characteristics 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V) BVDSS 600 — — V VGS(th) 2.5 3.5 4.5 V IDSS — — 10 uA IGSS — — +100 nA RDS(ON) — — 2.5 Ω Forward Transfer Admittance 正向傳輸導納(VDS=10V,ID=1.6A) GFS 2 — — S Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=3.2A,VGS=0V) VSD — — 1.4 V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 600V) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+30V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=1.6A,VGS=10V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=25V,f=1MHz) Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=25V,f=1MHz) CISS — 520 — pF COSS — 70 — pF Gate Source Charge 栅源電荷密度 (VDS=480V, ID=4A, VGS=10V) Qgs — 3.5 — nC Gate Drain Charge 栅漏電荷密度 (VDS=480V, ID=4A, VGS=10V) Qgd — 7 — nC td(on) — 13 — ns tr — 45 — ns td(off) — 25 — ns tf — 35 — ns Turn-On Delay Time 開启延迟時間 (VDS=300V, ID=4A, RGEN=25Ω,VGS=10V) Turn-On Rise Time 開启上升時間 (VDS=300V, ID=4A, RGEN=25Ω,VGS=10V) Turn-Off Delay Time 關断延迟時間 (VDS=300V, ID=4A, RGEN=25Ω,VGS=10V) Turn-On Fall Time 開启下降時間 (VDS=300V, ID=4A, RGEN=25Ω,VGS=10V) 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMW4N60 ■DIMENSION 外形封裝尺寸