C3D10065I 碳化硅肖特基二极管 Z-Rec™整流器 IF; 10 A TC<125˚C= 25 nC 封装 650伏肖特基整流器 陶瓷封装提供2.5kV的隔离 零反向恢复电压 高频率工作 与温度无关的切换行为 VF下的正温度系数 针脚1 表面 针脚2 优势 • • • • • 650 V Qc = 特点 • • • • • • VRRM = 符合 电绝缘封装 基本上无切换损耗 效率更高 散热要求降低 并行器件无热失控 规范 应用 • • 采暖、通风与空调 (HVAC) 开关模式电源 部件号 封装 标识 C3D10065I 隔离TO-220-2 C3D10065I D10065I修 技术数据表: C3 订版本A 最大额定值 符号 参数 值 单位 VRRM 测试条件 重复峰值反向电压 650 V VRSM 浪涌峰值反向电压 650 V VDC 直流阻断电压 650 V IF 连续正向电流 10 6.5 A A TC<125˚C，无交流分量 TC<150˚C，无交流分量 28.6 17.7 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 TC=110˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 IFRM 重复峰值正向浪涌电流 IFSM 非重复峰值正向浪涌电流 80 70 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 TC=110˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 Ptot 功耗 60 26 W TC=25˚C TC=110˚C -55到 +175 ˚C 150 ˚C TJ , Tstg Tc 工作结温和储存温度 最高表面温度 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 注 参阅 图3 1 电气特性 符号 参数 典型值 最大值 单位 测试条件 注 IF = 10 A TJ=25°C IF = 10 A TJ=175°C VF 正向电压 1.5 2.0 1.8 2.4 V IR 反向电流 10 20 50 200 μA VR = 650 V TJ=25°C VR = 650 V TJ=175°C QC 总电容电荷 25 nC VR = 400 V, IF = 10A di/dt = 500 A/μs TJ = 25°C C 总电容 480 50 42 pF VR = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz VR = 200 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz 注意： 1. 这是多数载流子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特性 符号 参数 RθJC 从结点到表面的封装热阻 典型值 单位 2.6 °C/W 典型性能 12 20 18 TJ= -55°C TJ= 25°C TJ= 75°C TJ =125°C TJ =175°C 16 14 10 8 (A) IRCurrent (μA) IF (A) 12 10 8 6 4 6 TJ= -55°C TJ= 25°C TJ= 75°C TJ =125°C TJ =175°C 4 2 2 0 0 0.5 1 1.5 2 VF (V) 图1. 正向特性 2 C3D10065I修订版本A 2.5 3 3.5 0 0 100 200 300 400 Voltage (V) VR (V) 图2. 反向特性 500 600 700 800 典型性能 60.0 45 40 30 40.0 25 PTot (W) IF (A) 50.0 20%暂载率* 30%暂载率* 50%暂载率* 70%暂载率* 直流 35 20 15 10 30.0 20.0 10.0 5 0 0.0 25 50 75 100 125 150 175 25 50 75 100 125 150 175 TC ˚C TC ˚C 图3. 电流降额 图4. 功率降额 60 500 450 50 400 350 300 30 C (pF) Qrr (nC) 40 20 100 50 0 0 200 400 600 VR (V) 图5. 恢复电荷与反向电压 3 200 150 10 0 250 C3D10065I修订版本A 800 1000 0.1 1 10 VR (V) 图6. 电容与反向电压 100 1000 典型性能 10 热阻 (˚C/W) 1 0.1 0.01 0.001 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 10E-3 T (sec) 图7. 瞬态热阻抗 4 C3D10065I修订版本A 100E-3 1 10 100 建议的焊盘布局 测量值的单位为英寸 部件号 封装 标识 C3D10065I 隔离TO-220-2 C3D10065I 二极管模型 Diode Model CSD10060 VfT = VT+If*RT Vf T = VT + If*RT VT = 0.98+(T * -1.6*10-3) J -3 RT = 0.04+(TJ* 0.522*10 ) VT= 0.92 + (Tj * -1.35*10-3) -3 RT= 0.052 + (Tj * 0.29*10 ) 注：Tj = 二极管结温（摄氏度） VT 5 C3D10065I修订版本A RT 封装尺寸 最大 8º 最大 5º 符号 A A1 b b1 c c1 D E E1 e1 F L L1 φ 尺寸单位为毫米 最小 最大 4.420 4.720 2.520 2.820 0.710 0.910 1.170 1.370 0.360 0.460 1.170 1.370 9.950 10.250 8.930 9.290 12.550 12.850 4.980 5.180 2.590 2.890 13.080 13.480 2.470 2.870 3.790 3.890 最大 7º 尺寸单位为英寸 最小 最大 1.174 0.186 0.099 0.111 0.028 0.036 0.046 0.054 0.014 0.018 0.046 0.054 0.392 0.404 0.352 0.366 0.494 0.506 0.196 0.204 0.102 0.114 0.515 0.531 0.097 0.113 0.149 0.153 本产品并非旨在用于以下装置而设计、测试或计划：植入人体的装置或者若本产品发生故障可能导致死亡、人身伤害或财产损失的装置，包括但不限于 用于运营核设施的设备、生命维持机、心脏除颤器或类似的急救医疗设备、飞机导航或通信或控制系统、空中交通管制系统或武器系统。 版权所有© 2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree及Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标，Z-Rec Inc.是 Cree, Inc.的商标。 6 C3D10065I修订版本A Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.313.5451 www.cree.com/power