C3D02060E–碳化硅肖特基二极管 VRRM = 600 V Z-Rec™ 整流器 IF(AVG)= 2 A Qc 特点 • • • • • • • • = 4.8 nC 封装 600 伏肖特基整流器 针对 PFC 升压二极管应用进行优化 零反向恢复电流 零正向恢复电压 高频工作 与温度无关的开关特性 极快的开关 正向电压 (VF) 的正温度系数 TO-252-2 优点 • • • • • 将双极整流器替换成单极整流器 基本无开关损耗 效率更高 对散热器要求降低 并联器件不会导致热失控 引脚 1 外壳 引脚 2 应用 • • 开关电源 功率因数校正 --典型 PFC Pout：300W-450W 部件号 封装 标记 C3D02060E TO-252-2 C3D02060 D02060E 技术数据表：C3 Rev. C 最大额定值 符号 参数 值 单位 VRRM 测试条件 反向重复峰值电压 600 V VRSM 反向浪涌峰值电压 600 V VDC 直流阻断电压 600 V IF(AVG) 平均正向电流 2.0 A TC<160˚C 12.0 9.0 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波 D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波 D=0.3 IFRM 正向重复峰值浪涌电流 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 21 19 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波 D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波 D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 65 A TC=25˚C，tP=10 µs，脉冲 Ptot 功率耗散 39.5 17 W TC=25˚C TC=110˚C -55 至 +175 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in TJ，Tstg 工作结温和存储温度 TO-220 安装扭矩 注 M3 螺丝 6-32 螺丝 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 1 电气特征 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 注 VF 正向电压 1.5 1.8 1.7 2.4 V IR 反向电流 10 20 50 100 μA VR = 600 V TJ=25°C VR = 600 V TJ=175°C QC 总电容电荷 4.8 nC VR = 600 V, IF = 2A di/dt = 500 A/μS TJ = 25°C C 总电容 120 12 11 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 200 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 400 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz IF = 2 A TJ=25°C IF = 2 A TJ=175°C 注： 1.这是一款主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特征 符号 参数 典型 单位 RθJC TO-220 封装热阻，结到外壳 3.8 °C/W 典型性能 1.0E-05 10 4.0 4.0 TJ = TJ = TJ = TJ = 8.0E-068 Reverse Current (A) 3.0 3.0 25°C 75°C 125°C 175°C Forward Current IF 正向电流 (A) 2.5 2.5 2.0 2.0 6.0E-066 IR 反向电流 (μA) 3.5 3.5 Current 25C Current 25C Current 75C Current 75C 4 Current 125C4.0E-06 1.5 1.5 Current 175C 1.0 1.0 TJ = 175°C 0.5 0.5 0.0 0.0 0.5 0.5 1.0 1.5 1.0 1.5 VF 正向电压 (V) Forward Voltage 图 1.正向特征 2 C3D02060E Rev. C 2.0 2.0 2.5 2.5 3.0 3.0 0.0E+000 Current 175C TJ = 125°C 2.0E-062 0 0.0 Current 125C TJ = 25°C TJ = 75°C 0 0 100 100 200 200 300 400 500 300 400 500 VR 反向电压 (V) Reverse Bias (V) 图 2.反向特征 600 600 700 700 800 800 典型性能 D3_2A_FP 电流降额 C3D02060A Current Derating 60 60 20 18 20% 30% 50% 70% 直流 14 40 40 C 电容 (pF) IF(PEAK) 峰值正向电流 (A) 12 占空系数* 占空系数* 占空系数* 占空系数* 10 8 C Capacitance (pF) 50 50 16 30 30 D3_2A_FP 20 20 6 4 10 10 2 0 25 50 75 100 125 150 00 175 1 1 10 10 VR 反向电压 (V) VR Reverse Voltage (V) TC 外壳温度 (°C) * 频率 > 1KHz 图 3.电流降额 50 75 100 图 4.电容与反向电压的关系 125 150 热阻抗 (°C/W) TC Case Temperature (°°C) 时间 (s) 图 5.瞬态热阻抗 3 C3D02060E Rev. C 100 100 175 1000 1000 典型性能 40.0 40 35.0 35 30.0 30 功率耗散 (W) Power Dissipation (W) 25.0 25 20.0 20 15.0 15 10.0 10 5.0 5 0.0 25 25 50 50 75 75 100 125 100 125 Case Temperature (°C) TTCc外壳温度 (°C) 图 6.功率降额 4 C3D02060E Rev. C 150 150 175 175 封装尺寸 位置 封装 TO-252-2 英寸 最大 最小 最大 A .250 .289 6.350 7.341 B .197 .215 5.004 5.461 C .027 .050 .686 1.270 D* .270 .322 6.858 8.179 E .178 .182 4.521 4.623 1.143 F .025 .045 .635 G 44˚ 46˚ 44˚ 46˚ H .380 .410 9.652 10.414 J * 外壳 引脚 2 .090 典型 6˚ 8˚ 6˚ 8˚ L .086 .094 2.184 2.388 M .018 .034 .457 .864 N .035 .050 .889 1.270 P .231 .246 5.867 6.248 Q 0.00 .005 0.00 .127 R0.010 典型 C3D02060E Rev. C R0.254 典型 S .017 .023 .432 .584 T .038 .045 .965 1.143 U .021 .029 .533 .737 注： * 接片“D”可能不存在 5 2.286 典型 K R 引脚 1 毫米 最小 建议的焊盘布局 .08 TO-252-2 部件号 封装 标记 C3D02060E TO-252-2 C3D02060 二极管型号 Diode Model CSD10060 T+If*RT Vf T Vf = VT T=+ V If*R T -3 -3 V 0.98+(T * -1.7*10 VTT==0.92 + (Tj * J-1.35*10 ) ) -3 -3 R 0.21+(T 1.71*10 RT =0.052 + (T *J*0.29*10 ) ) T= j 注：Tj = 二极管结温，单位摄氏度 VT RT 本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值(也称为阈值)，或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制 使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合（修订截至 2006 年 4 月 21 日）。 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 © 2009-2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标， Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。 6 6 C3D02060E Rev. C 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]